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[发明专利]晶片通孔形成-CN200780037549.6有效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人：丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：在完全处理的晶片中的导电通孔形成的方法包括：在所述完全处理的晶片的后侧上限定至少一个沟道区域，在所述沟道区域之内形成至少一个沟道到总深度，其将允许在所述沟道之内形成的通孔遍及它的整体长度被引晶，在进入所述完全处理的晶片之内的沟道之内形成所述通孔到预定深度，沉积籽晶层遍及所述通孔的整体长度，以及电镀所述籽晶层以用导电金属填充所述通孔。
晶片形成

[发明专利]同轴硅通孔-CN201080049019.5有效
发明人： R.P.沃兰特;M.G.法鲁克;P.F.芬德伊斯;K.S.佩特拉卡 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔(TSV)结构，其在硅衬底(40)内形成独特的同轴互连或三轴互连。所述TSV结构提供有两个或更多独立电导体(50、60)，所述电导体彼此绝缘且与衬底绝缘。
同轴硅通孔

[发明专利]直通衬底通孔-CN201080016069.3有效
发明人：保罗·W·桑德斯;迈克尔·F·彼得拉斯;钱德拉塞卡拉姆·拉米亚 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在基本上所有的用于形成接近于衬底晶片(20、20’)的前表面(23)的第一厚度(27)的设备区域(26)所需的高温操作之后，提供直通衬底通孔(TSV)，通过以下步骤来实现：(i)形成前表面(23)，形成包含第一导体(36、36’)的第一纵横比的相对较浅的通孔(30、30’)，其优选地延伸通过第一厚度(27)但是不通过初始晶片(20)厚度(21)；(ii)从后表面(22)移除材料(22”)，以形成具有新的后表面(22’)的更小最终厚度(21’)的修改晶片(20’)；和(iii)从新的后表面(22’)形成其中具有接触第一导体(36、36’)的第二导体(56、56’)的设备区域(26)之下的第二纵横比的更深的通孔(40
直通衬底

[发明专利]通孔检查装置-CN201080006250.6无效
发明人：笹井昌年 -专利权人：玛机统丽公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：本发明不提取边缘而能够准确地检查通孔的位置偏离。在检查焊盘(81)的通孔(84)的形成状态时，事先设定焊盘(81)的坐标位置及焊盘RGB信息、除外RGB信息。
检查装置

[发明专利]一种设有通孔的金属管件-CN201410694234.0在审
发明人：张勇 -专利权人：张勇
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： F16S3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种设有通孔的金属管件，所述设有通孔的金属管件包括环形的内管和设有弧形凸起的外管，所述外管外壁上设有弧形凸起，所述弧形凸起首尾相接形成封闭的外管外壁；所述弧形凸起与内管之间设有通孔，所述通孔沿轴向延伸通过在外管内部设置内管并通过一定的结构连接固定，这样将管壁厚度降低，在减轻重量的同时也能保证强度。
一种设有金属管

[实用新型]一种钻孔封孔注浆三通管-CN201220108851.4有效
发明人：林柏泉;郑春山;王彦凯;张超;贾剑;翟成 -专利权人：山西潞安环保能源开发股有限公司;中国矿业大学
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： E21B33/14 文献下载
摘要：一种钻孔封孔注浆三通管，尤其适用于煤矿井下近水平钻孔的机械注浆封孔作业。三通管包括与出浆口相连的水平注浆管和钝角注浆管，所述的钝角注浆管前部与水平注浆管成夹角α相连，钝角注浆管的后部与水平注浆管相平行，水平注浆管上设有球阀一，钝角注浆管上设有球阀二，水平注浆管的前部设有封孔胶带，钝角注浆管的前部开有等间距排列的多个便于注浆的花眼。
一种钻孔封孔注浆三通

[实用新型]一种弯通管车加工侧孔工装-CN202222555051.3有效
发明人：辛惠轩 -专利权人：深圳市科立达机械有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B23B25/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种弯通管车加工侧孔工装结构，弯通管包括直管部和弯管部，直管部侧面设有侧管，工装包括一用于安装弯通管的支撑主体，支撑主体包括与直管部外侧贴合的第一弧形槽、与侧管外侧贴合的第二弧形槽，支撑主体上安装一用于将弯通管压紧在支撑主体上的压块；压块开设有与直管部外侧贴合的第三弧形槽、与侧管外侧贴合的第四弧形槽；支撑主体上还设有一用于将其安装在车床上的夹持部，夹持部与第二弧形槽同轴设置；支撑主体上还安装一用于对弯管部进行限位的限位块，限位块可调节安装于支撑主体上，且限位块设有与弯管部端部卡接的卡台。
一种弯通管车加工工装

[发明专利]硅通孔深孔填充工艺-CN201310750385.9有效
发明人：侯珏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔深孔填充工艺，用于提高硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，工作步骤如下：步骤A1，向磁控溅射设备中通入工艺气体；步骤A2，用第一射频功率、第一气压对硅通孔进行薄膜沉积；步骤A3，用第二射频功率、第二气压对硅通孔进行薄膜沉积，重复步骤A2和A3，直至硅通孔内部薄膜覆盖率均匀，且达到所需的厚度。本发明的硅通孔深孔填充工艺，工艺设计简单合理，通过采用第一射频功率与第二射频功率交替进行薄膜沉积，提升了硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，可以完美的支持后续的电镀工艺，提高产能。
硅通孔深孔填充工艺

[发明专利]桌脚架安装孔通孔装置-CN201911278343.3有效
发明人：王峰 -专利权人：平湖市喜峰达金属制品有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了桌脚架安装孔通孔装置，包括有安装台和固定在安装台上的钻孔机，钻孔机包括有样品台和设于样品台上方的钻头座，钻头座上安装有弹性塑料钻头，弹性塑料钻头竖直朝下正对样品台，样品台上固定有滑轨，滑轨上安装有沿滑轨滑动的滑杆本发明的桌脚架安装孔通孔装置，能够快速、高效的对桌脚架进行通孔，去除安装孔中的喷塑材料。具有操作简单、使用方便、能够适应不同规格的桌脚架等优点。
脚架安装孔通孔装置

[实用新型]一种新型六通管-CN201120129674.3无效
发明人：冀淑新;宣立东 -专利权人：哈飞汽车股份有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： F16L41/03 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型六通管，包括两通管基体、四通管基体、四通转接孔、两通转接孔、制动管接孔，四通管基体上固接有两通管基体，四通管基体上有制动管接孔和四通转接孔，制动管接孔与四通转接孔互相垂直，两通管基体上有两通转接孔，四通转接孔与两通转接孔互相平行，四通转接孔、两通转接孔和制动管接孔都是通孔。
一种新型六通管

[发明专利]通孔的检测方法及用于通孔的检测系统-CN202110267054.4在审
发明人：张建;张璇;孔维夷 -专利权人：中国航发商用航空发动机有限责任公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01J5/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的检测方法及用于通孔的检测系统，用于对物体上的通孔进行检测，检测方法包括以下步骤：将待测物体固定，并使待测物体上的通孔的两端的开口分别位于两个互不影响的区域，分别记为第一区域和第二区域；在第一区域内设置红外摄像装置，并使通孔在第一区域内的开口位于红外摄像装置的拍摄范围内，向第二区域内释放温度不同于第二区域的环境温度和待测物体的温度的气体，并使气体通过通孔向第一区域内流动，通过红外摄像装置采集气体从通孔内流出时的红外图像；对红外摄像装置采集的红外图像进行处理和分析，判断通孔是否满足要求。本发明采用上述检测方法对物体上的通孔进行检测时，检测效率高，避免对被测物体表面造成损伤。
检测方法用于系统

[发明专利]通孔电阻测试结构与测试通孔电阻的方法-CN202210642551.2在审
发明人：王志强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种通孔电阻测试结构与测试通孔电阻的方法。该测试结构包括N个通孔；N+1层叠置的金属线，相邻两层金属线之间通过通孔连接；N+3个测试焊垫，其中，两个测试焊垫分别连接在其中两层金属线各自长度方向的第一端，其余测试焊垫一一对应地与各金属线的长度方向的第二端采用N+3个测试焊垫实现对N个通孔的电阻的测量，节省了测试焊垫的数量，进一步地节省了晶圆面积，节省成本。
电阻测试结构方法

[发明专利]硅通孔结构的制备方法和硅通孔结构-CN202080103632.4在审
发明人：李珩;张晓东;胡天麒;戚晓芸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请提供一种硅通孔结构的制备方法和硅通孔结构。该制备方法包括：提供晶圆，该晶圆包括衬底层、介质层和金属层；从衬底层的第二侧形成贯穿衬底层的导通孔，该导通孔停止在金属层上；从衬底层的第二侧形成凹孔；在衬底层的第二侧的表面、导通孔内和凹孔内沉积金属；对金属进行研磨，以去除衬底层的第二侧的表面上的除导通孔和凹孔之外的区域上的金属。本申请中凹孔的设置能够使得在衬底层上没有导通孔的地方增加金属，有助于在研磨过程中金属尽可能地均匀分布，从而有助于提高研磨工艺的一致性和可靠性。另外，本申请中导通孔对应的TSV可以不是TSV array，因而够根据产品需要，灵活地设计TSV图案，增大工艺窗口。
硅通孔结构制备方法

[发明专利]硅通孔测试结构以及硅通孔短路测试方法-CN202210247673.1在审
发明人：张家瑞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开提供一种硅通孔测试结构以及硅通孔短路测试方法。硅通孔测试结构包括：多个硅通孔组，硅通孔组包括多个电连接的硅通孔；与多个硅通孔组连接的电源电路，电源电路用于向每个硅通孔组提供第一电压或第二电压，第一电压和第二电压不同；控制电路，连接电源电路，并向电源电路提供第一控制信号和第二控制信号，电源电路根据第一控制信号对至少一个硅通孔组输出第一电压，电源电路根据第二控制信号对至少一个硅通孔组输出第二电压；读出电路，电连接多个硅通孔组，被配置为在控制电路提供第一控制信号和第二控制信号后，读取多个硅通孔组上的电信号本公开实施例可以检测到出现短路的硅通孔组，提高集成电路的产品良率。
硅通孔测试结构以及短路方法

[发明专利]硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法-CN201310438705.7有效
发明人：李广宁;沈哲敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明揭示了一种硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法。所述硅通孔填充结构包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一金属层，填充在所述硅通孔内；塑性材料层，位于所述第一金属层的侧壁上；第二金属层，填充于塑性材料层内。本发明提供的硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法中，通过设置具有塑性变形能力的塑性材料层，从而可以同时吸收第一金属层和第二金属层的应力，以在保证硅通孔导电能力的同时，提高硅通孔中第一金属层与半导体衬底的粘附性
硅通孔填充结构以及方法