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- [发明专利]封装装置-CN201880072940.8有效
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中村智宣;前田彻
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株式会社新川
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2018-09-19
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2023-09-08
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H01L21/60
- 本发明提供一种半导体封装装置，朝基板封装芯片零件，并使装置小型化。半导体封装装置(10)包括：暂时放置平台(12)，载置多个芯片零件(30a、30b、30c)；搬送头(14)，朝暂时放置平台(12)搬送芯片零件(30a)、芯片零件(30b)、芯片零件(30c)，并且以多个芯片零件(30a、30b、30c)的相对位置成为事先决定的位置的方式将各芯片零件(30a)、芯片零件(30b)、芯片零件(30c)载置于暂时放置平台(12)；封装平台(16)，吸附固定基板(36)；以及封装头(18)，吸附载置于暂时放置平台(12)的多个芯片零件(30a、30b、30c)，并保持相对位置在吸附固定于封装平台(16)的基板(36)的规定位置进行加压。
- 封装装置
- [发明专利]安装装置以及安装系统-CN201880020250.8有效
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中村智宣;前田彻
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株式会社新川
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2018-01-30
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2023-08-25
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H01L21/60
- 本发明提供一种在基板上的多个部位层叠并安装两个以上的半导体芯片的安装装置及安装系统，安装装置包括：第一安装头，在所述基板上的多个部位，形成以暂时压接状态将两个以上的半导体芯片层叠的暂时层叠体；以及第二安装头(126)，将形成于所述多个部位的所述暂时层叠体依序正式压接而形成芯片层叠体。第二安装头(126)包括：压接工具(130)，通过将对象的暂时层叠体的上表面一边加热一边加压，而一次性地将构成所述暂时层叠体的两个以上的半导体芯片正式压接；以及一个以上的散热工具(132)，具有散热体，散热体通过与位于所述对象的暂时层叠体的周边的其他层叠体的上表面接触而使其他层叠体散热。
- 安装装置以及系统
- [发明专利]异物去除装置-CN201780049515.2有效
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中村智宣;尾又洋
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株式会社新川
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2017-06-02
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2023-07-04
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H01L21/304
- 一种异物去除装置(100)，其包括：喷嘴(31)，使液体的二氧化碳的加压流膨胀，通过膨胀时的冷却，而在所述流中形成干冰粒子；腔室(29)，连接于喷嘴(31)，且供固体的二氧化碳粒子流入；狭缝(23)，连接于腔室(29)，且使干冰粒子朝向基板(13)的表面喷出；及抽吸口(24)，与狭缝(23)邻接而配置；并且使喷嘴(31)与腔室(29)的间隔变化来调整自狭缝(23)喷出的干冰粒子的粒子径。由此，一面抑制基板或半导体裸片的损伤，一面去除微小的异物。
- 异物去除装置
- [发明专利]接合装置和接合方法-CN201780084538.7有效
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渡辺治;中村智宣;前田彻;永井训;野口勇一郎
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株式会社新川
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2017-11-29
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2023-05-26
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H01L21/60
- 本发明提供一接合装置和接合方法，其课题是将电子零件经由粘接材料良好地接合于基板上。接合装置(10)是将电子零件(100)经由粘接材料(112)热压接于基板(110)或其他电子零件上的接合装置，包括：接合工具(40)，包含接合前端部(42)，所述接合前端部(42)包含接合面(44)及锥形侧面(46)，所述接合面(44设置有隔着单片状的多孔性片材(130)吸附电子零件(100)的第一抽吸孔(50)，所述锥形侧面(46)形成为朝向接合面(44)前端变细的锥状，且设置有吸附多孔性片材(130)的第二抽吸孔(52)、第二抽吸孔(54)；以及接合控制部(30)，对第一抽吸孔(50)及第二抽吸孔(52)、第二抽吸孔(54)相互独立地进行控制。
- 接合装置方法
- [发明专利]拾取装置以及拾取方法-CN201880021520.7有效
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松野康之;中村智宣;高山晋;尾又洋
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株式会社新川
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2018-01-30
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2023-04-18
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H01L21/60
- 本发明揭示一种可更适当地拾取半导体晶片的拾取装置以及拾取方法。拾取贴附于片材(110)的表面的半导体芯片(100)的拾取装置(10)包括：载台(12)，一部分或全部包含能够供具有电离作用的去静电用电磁波透过的材料，且吸附保持所述片材(110)的背面；顶起销(26)，使所述半导体芯片(100)自所述载台(12)的背面侧顶起；以及去静电机构(20)，使所述去静电用电磁波自所述载台(12)的背面侧透过所述片材(110)而照射至所述半导体芯片(100)的背面，将所述半导体芯片(100)与所述片材(110)之间产生的电荷去静电。
- 拾取装置以及方法
- [发明专利]半导体装置的制造方法以及封装装置-CN201780074330.7有效
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中村智宣;前田彻
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株式会社新川
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2017-09-28
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2023-04-18
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H01L21/60
- 本发明提供半导体装置的制造方法及封装装置，其可防止经正式压接的芯片层叠体的周边的芯片层叠体中的不期望的热变化。半导体装置的制造方法具备：临时压接步骤，一面将一个以上的半导体芯片依次分别临时压接于基板上的两个以上的部位，一面进行层叠，从而形成临时压接状态的芯片层叠体；以及正式压接步骤，对所形成的全部临时压接状态的芯片层叠体的上表面依序加热加压并进行正式压接，进而，具备确定步骤，在临时压接步骤之前，确定自正式压接中的芯片层叠体起至通过用于正式压接的加热而升温的基板的温度成为规定的容许温度以下的部位为止的距离即间隔距离，在临时压接步骤中，使临时压接状态的芯片层叠体彼此隔开间隔距离以上而形成。
- 半导体装置制造方法以及封装
- [发明专利]管芯的安装方法-CN201780033011.1有效
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渡辺治;中村智宣;萩原美仁;金井裕司
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株式会社新川;株式会社华尔卡
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2017-05-30
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2022-04-29
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H01L21/52
- 一种管芯的安装方法，其包括：准备具有形成有多个凸块电极(106)的凸块形成面(102a)的管芯(100)的步骤；将具有吸附面(24)的真空吸附工具(22)在吸附面(24)与凸块形成面(102a)相向的方向上，配置在管芯(100)的上方的步骤；在吸附面(24)与凸块形成面(102a)之间插入多孔质性片材(44)，通过真空吸附工具(22)来吸附管芯(100)的步骤；以及将由真空吸附工具(22)所吸附的管芯(100)经由粘接材料(114)而安装在衬底(110)的接合区域中的步骤；且多孔质性片材(44)具有凸块形成面(102a)上的凸块电极(106)的突起高度以上的厚度。由此，可谋求真空吸附的稳定化及维护性的改善。
- 管芯安装方法
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