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[发明专利]用于FINFET和CMOS器件的集成反熔断器结构-CN02830046.7有效
发明人： J·H·兰金;W·W·阿巴蒂尔;J·S·布朗;K·V·查蒂;W·R·通蒂;R·J·小戈希尔;D·M·弗莱德 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：提供覆盖设置于衬底(10)上的绝缘体(3)的半导体材料区(11)；蚀刻工艺暴露半导体材料中的多个角(111－114)。氧化暴露的角，以在角处形成拉伸尖端(111t－114t)；除去覆盖尖端的氧化物(31)。然后，在半导体材料上形成例如栅极氧化物的氧化物层(51)并覆盖角；该层在角处具有减小的厚度。形成在角处与氧化物层(51)接触的导电材料层(60)，由此，在半导体材料和导电材料层之间穿过氧化物层，形成多个可能的击穿路径。
用于 finfet cmos 器件集成熔断器结构

[实用新型]无铬绝缘涂层电工钢带-CN201320842034.6有效
发明人：许秀飞;黄伟九 -专利权人：重庆万达薄板有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B32B15/092 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无铬绝缘涂层电工钢带，包括表面凹凸不平的钢带基体，在钢带基体的表面覆盖一层硅氧化物膜，该硅氧化物膜渗入钢带基体表面的凹陷中，在硅氧化物膜的表面覆盖有一层SiO₂和Fe的混合物膜，在所述SiO₂和Fe的混合物膜外涂覆有一层含硅无铬绝缘涂层。本实用新型通过在凹凸不平的钢带基体表面氧化一层硅氧化物膜，再在该硅氧化物膜外覆盖SiO₂和Fe的混合物膜和含硅无铬绝缘涂层，从而提供了一种无毒害、无铬绝缘层附着牢固、不易脱落的无铬绝缘涂层电工钢带
绝缘涂层电工

[发明专利]制造具有高介电常数栅极电介质的半导体器件的方法-CN200380100581.6无效
发明人：贾斯廷·布拉斯克;马克·多齐;约翰·巴纳科;罗伯特·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：该方法包括在衬底(100)上形成高k栅极电介质层(110)，然后在高k栅极电介质层上形成覆盖层(115)。在氧化覆盖层以在高k栅极电介质层上形成覆盖电介质氧化物(125)之后，在覆盖电介质氧化物上形成栅电极(120)。
制造具有介电常数栅极电介质半导体器件方法

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置-CN202011170073.7在审
发明人：王利忠;周天民;胡合合;许晓春;姚念琦;薛大鹏;董水浪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置。氧化物薄膜晶体管包括位于衬底上的栅极、金属氧化物有源层和源漏金属层，所述金属氧化物有源层包括沿远离所述衬底方向层叠设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层为载流子传输层，所述第二金属氧化物层为载流子隔离层，所述载流子传输层的电子迁移速率大于所述载流子隔离层的电子迁移速率；所述第一金属氧化物层包括朝向所述衬底以及背离所述衬底的两个主表面，所述第一金属氧化物层还包括位于所述主表面周围的侧面，所述第二金属氧化物层覆盖所述第一金属氧化物层的所述侧面本公开实施例能够提高氧化物薄膜晶体管有源层的可靠性。
一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法显示装置

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202110047069.X在审
发明人：杨蒙蒙;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，用于解决半导体结构的氧化物厚度较大的技术问题。该半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括器件区域和浅沟槽隔离区域，浅沟槽隔离区域环绕器件区域，器件区域暴露于基底表面；于基底上沉积阻挡层，阻挡层至少覆盖器件区域；形成初始氧化物，初始氧化物位于器件区域内，且与阻挡层接触；去除部分初始氧化物，形成器件氧化物。形成初始氧化物时，利用阻挡层遮挡器件区域，可以减缓初始氧化物的生长速率，控制初始氧化物的厚度，形成较薄的初始氧化物，最终形成较薄的器件氧化物。此外，去除部分初始氧化物后形成器件氧化物，进一步减小了器件氧化物的厚度。
半导体结构制备方法

[发明专利]非易失性半导体存储元件及其制造方法-CN200710085456.2有效
发明人：李自强;李宗霖;黄俊仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-03-05 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储元件，包括：置于基板上的栅极叠层、半导体间隔件、氧化物—氮化物—氧化物叠层、接触垫。这些半导体间隔件与该栅极叠层的侧壁相邻且覆盖该基板。该氧化物—氮化物—氧化物叠层置于这些间隔件与该栅极叠层之间，且置于该间隔件与该基板之间，所以该氧化物—氮化物—氧化物叠层在该栅极叠层的至少一侧壁上具有大体上为L型的剖面。该接触垫覆盖该栅极电极与这些半导体间隔件，且与该栅极电极以及该半导体间隔件形成电连接。本发明具有抑制短沟道效应、接面漏电流以及寄生电阻的效果并降低形成多余金属接触所需要的成本。
非易失性半导体存储元件及其制造方法

[发明专利]一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积的方法-CN201710775201.2有效
发明人：王秉国;王家友;郁赛华;余思;吴俊;蒲浩;吴关平;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在通过栅线缝隙形成栅线并进行清洗之后，进行所述氧化物的沉积，该方法包括：将衬底置于用于氧化物沉积的反应腔中，对所述衬底进行除湿处理，然后进行栅线缝隙氧化物的沉积实现了3D NAND器件栅线缝隙氧化物的均匀沉积，提高了栅线缝隙表面氧化物沉积的覆盖率，提高了氧化物的绝缘性，减小短路的存在，优化了器件的性能。
一种 nand 器件缝隙氧化物沉积方法

[发明专利]一种负极活性材料及其制备方法-CN202011081293.2有效
发明人：方自力;杨乐之;涂飞跃;陈涛;汤刚;唐唯佳;陈文强;覃事彪 -专利权人：长沙矿冶研究院有限责任公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种负极活性材料及其制备方法，负极活性材料包括硅氧化物颗粒、碳材料层和羧基化基团；羧基化基团连接在硅氧化物颗粒表面，碳材料层覆盖在硅氧化物颗粒和羧基化基团的外部；负极活性材料的制备方法包括以下步骤：包括以下步骤：（1）制备硅氧化物颗粒，并对硅氧化物颗粒进行羧基化处理，得到羧基化硅氧化物颗粒；（2）对羧基化硅氧化物颗粒进行碳包覆，得到负极活性材料。
一种负极活性材料及其制备方法

[发明专利]一种基于金属氧化物半导体的半浮栅存储器及其制备方法-CN202010172770.X在审
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于金属氧化物半导体的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：作为底栅的衬底；覆盖衬底的阻挡层，其为第一类绝缘介质；覆盖阻挡层的半浮栅，其为第一类金属氧化物半导体；在半浮栅表面的隧穿层，其为第二类绝缘介质；异质结，其第一端为第二类金属氧化物半导体，与隧穿层平行邻接形成在半浮栅表面，异质结的第二端为第三类金属氧化物半导体，覆盖隧穿层和异质结的第一端；源极和漏极，形成在异质结的第二端的表面；其中，第一类金属氧化物半导体、第二类金属氧化物半导体和第三类金属氧化物半导体的能带构成阶梯层状能带结构
一种基于金属氧化物半导体半浮栅存储器及其制备方法

[发明专利]在异质衬底上制作晶体半导体薄膜的方法-CN200380104762.6无效
发明人： A·阿伯利;P·I·怀登伯格;A·斯特劳布;D－H·纽豪斯;O·哈特利;N－P·哈德 -专利权人：单检索有限公司
申请日： 2003-10-07 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：所述方法涉及在衬底上沉积金属薄膜(23)，在金属表面上形成金属氧化物和/或金属氢氧化物的薄膜(24)，并且在金属氧化物和/或金属氢氧化物的薄膜上形成非晶半导体材料层(25)。整个样品被加热到一定温度，在所述温度下，半导体层被吸入到金属层，通过金属诱发晶化，在目标表面沉积成多晶层(26)金属作为覆盖层(27)覆盖在沉积的多晶层上，在金属层(29)中含有半导体内含物(28)。多晶半导体薄膜(26)和覆盖层(27)被氧化物和/或氢氧化物的多孔界面薄膜(30)隔开。覆盖层中的金属和金属氧化物和/或氢氧化物界面薄膜通过刻蚀去除，所述刻蚀将半导体包含物内刻蚀，形成独立的孤岛。晶种层的表面首先清洗去除任何氧化物或其它污染物，然后在洁净的晶种层表面生成半导体材料非晶层，加热衬底，晶种层和不定形层，使其通过固相外延结晶形成半导体材料。
衬底制作晶体半导体薄膜方法

[发明专利]具有非晶硅MONOS存储单元结构的半导体器件及其制造方法-CN200610147446.2有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种具有非晶硅(a－Si)金属－氧化物－氮化物－氧化物半导体(MONOS)存储单元结构的半导体器件。该器件包括：基片；覆盖基片的电介质层；以及嵌入电介质层中的一个或多个源区或漏区，其中n型a－Si和电介质层有共面表面。另外，该器件包括p－i－na－Si二极管结。该器件还包括覆盖a－Sip－i－n二极管结的氧化物－氮化物－氧化物(ONO)电荷捕获层和覆盖ONO层的金属控制柵。
具有非晶硅 monos 存储单元结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]电极活性物质的制造方法和电极活性物质-CN201180071177.5有效
发明人：三木成章;内山贵之;铃木知哉 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明提供抑制在电极活性物质表面覆盖离子传导性氧化物时的异物的生成、覆盖不良、电极活性物质的劣化等，并能够实现电池电阻的降低和电池的高输出功率化的电极活性物质的制造方法以及电极活性物质。本发明的制造方法是表面被离子传导性氧化物覆盖的电极活性物质的制造方法，包括准备工序，准备至少将液体水或具有水合水和表面吸附水中的至少一方的溶质与醇盐化合物混合而得到的醇盐溶液；和覆盖工序，在干燥气氛下，本发明的电极活性物质是表面被离子传导性氧化物覆盖的电极活性物质，该电极活性物质表面的上述离子传导性氧化物以外的物质所占的面积为21%以下。
电极活性物质制造方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置-CN201710977057.0有效
发明人：刘晓伟;孟凡清;王洋;安亚斌;樊之勇;吴成龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。所述氧化物薄膜晶体管显示基板包括至少对应于氧化物薄膜晶体管的半导体区域的第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述制作方法包括：在形成所述氧化物薄膜晶体管后，形成至少覆盖所述第一区域的SiON层；形成覆盖所述第二区域的本发明的技术方案能够提高氧化物薄膜晶体管显示基板的良率。
氧化物薄膜晶体管显示及其制作方法显示装置

[发明专利]自调节电阻加热元件-CN200780048331.0无效
发明人：杰弗里·博德曼 -专利权人： 2D热度有限公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：自调节电阻加热元件(10)包括基体(12)，基体(12)包括用作合成物金属氧化物层的一侧上的第一电触头(18)的电传导涂层(12a)。在上述电传导层(12a)上设置具有正的电阻温度系数的第一金属氧化物(14)。具有负的电阻温度系数并与第一金属氧化物层电串联的第二金属氧化物层(16)覆盖第一金属氧化物层，并且第二电触头(20)覆盖第二金属氧化物层(16)。以确保元件的电阻性特征不被改变的方式对元件设置具有负的电阻温度系数的第二金属氧化物层(16)。
调节电阻加热元件

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310157840.4无效
发明人：周明杰;冯小明;张娟娟;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的透光基底、反射层、介质层、阳极、发光层及阴极，所述透光基底具有覆盖面，所述反射层包括多个分散在所述覆盖面的表面的反射区，所述覆盖面包括被所述反射区覆盖的遮光区及被所述介质层覆盖的透光区，所述反射层的材料选自铝、银、铂及镍中的至少一种，所述介质层覆盖所述反射区及所述透光基底的透光区，所述介质层的材料选自二氧化硅、一氧化硅及氮化硅化合物中的至少一种，所述阳极的材料选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，所述阴极的材料选自银、铝、钐及镱中的至少一种。
有机电致发光器件及其制备方法