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[发明专利]具有自适应性衬底间接合的MEMS结构-CN201310067441.9有效
发明人：梁凯智;李久康;林宗贤;李德浩;朱家骅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与第二衬底的顶面连接，从而使得锚固件未延伸穿过第一衬底的底面或第二衬底的顶面。该MEMS结构可以包括接触第一衬底的底面并且被塑造成至少部分地包围锚固件的接合层。
具有自适应性衬底间接 mems 结构

[发明专利]LED衬底转移的方法以及垂直结构LED芯片-CN201811629293.4在审
发明人：徐晓丽 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED衬底转移的方法以及垂直结构LED芯片。LED衬底转移的方法包括：提供生长衬底和导电衬底，导电衬底的一侧上形成有电极，另一侧上形成有具有键合面的第一键合子结构；在生长衬底上形成第二键合子结构，第二键合子结构包括依次形成的Ni层、Au层和Sn层，Sn层远离Au层的表面为第二键合子结构的键合面；以及键合生长衬底和导电衬底，并得到Ni/Au/Sn三元共晶结构，以完成衬底转移。本发明键合生长衬底和导电衬底时得到了Ni/Au/Sn三元共晶结构，从而改善了键合后的电性不良。
衬底衬底转移导电合子键合垂直结构LED芯片生长共晶结构键合面电极电性

[发明专利]一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法-CN201910667824.7有效
发明人：姜涛 -专利权人：乂馆信息科技（上海）有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法，半导体材料图形衬底的制备方法包括选取衬底层；在所述衬底层上形成若干凸起结构和若干凹陷结构；在具有所述凸起结构的所述衬底层的一侧生长外延层；去除所述衬底层上每个凹陷结构上方的外延层直至暴露所述衬底层，并保留所述衬底层上每个凸起结构上方的至少一部分外延层，形成若干籽晶结构，完成半导体材料图形衬底的制备。本发明的半导体材料图形衬底制备方法能够最大程度的减少由于异质衬底的晶格失配和热失配所带来的材料缺陷问题，获得高结晶质量的半导体材料薄膜和器件。
一种半导体材料图形衬底材料薄膜器件制备方法

[发明专利]一种系统级芯片及其制作方法-CN202111677290.X在审
发明人：高峰;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰;王云 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种系统级芯片及其制作方法，通过衬底基板的多晶硅衬底实现高阻率衬底，及通过衬底基板的单晶硅衬底实现低阻率衬底；进而能够通过高阻率的多晶硅衬底支持射频芯片结构的功能，及通过低阻率的单晶硅衬底支持逻辑控制芯片结构的功能，达到在系统级芯片中实现逻辑控制芯片结构和射频芯片结构兼容的目的。
一种系统芯片及其制作方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201980001911.7有效
发明人：吴振勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括第一衬底、第二衬底、存储阵列、电路结构、接合结构和屏蔽结构。第二衬底的第二正面面对第一衬底的第一正面。所述存储阵列布置在第一衬底上并且布置在第一衬底的第一正面处。所述电路结构布置在第二衬底上并且布置在第二衬底的第二正面处。所述接合结构布置在所述存储阵列与所述电路结构之间。所述电路结构通所述接合结构与所述存储阵列电连接。所述屏蔽结构布置在所述存储阵列与所述电路结构之间，并且围绕所述接合结构。所述屏蔽结构电连接至电压源。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN202110331700.9有效
发明人：吴振勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括第一衬底、第二衬底、存储阵列、电路结构、接合结构和屏蔽结构。第二衬底的第二正面面对第一衬底的第一正面。所述存储阵列布置在第一衬底上并且布置在第一衬底的第一正面处。所述电路结构布置在第二衬底上并且布置在第二衬底的第二正面处。所述接合结构布置在所述存储阵列与所述电路结构之间。所述电路结构通所述接合结构与所述存储阵列电连接。所述屏蔽结构布置在所述存储阵列与所述电路结构之间，并且围绕所述接合结构。所述屏蔽结构电连接至电压源。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]准光子晶体图形蓝宝石衬底及其制造方法、发光二极管及其制备方法-CN201110161492.9有效
发明人：刘洪刚;张雄 -专利权人：江苏晶瑞半导体有限公司
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及蓝宝石衬底、其制造方法，采用这种蓝宝石衬底的发光二极管及其制备方法，所述蓝宝石衬底表面具有准光子晶体结构的图形结构，所述图形结构中露出的蓝宝石衬底C面在整个蓝宝石衬底面积中所占比例低。所述蓝宝石衬底，表面具有准光子晶体结构的图形结构，所述图形结构由子区域周期性排列而成，晶格常数为0.2～5μm，相邻子区域之间的空间为V型或类似V型，所述子区域延伸至蓝宝石衬底C面的侧壁与蓝宝石衬底C面的夹角为25～60°，所述图形结构中露出的蓝宝石衬底C面所占比例低于20％。蓝宝石衬底的制造方法为，在蓝宝石衬底表面形成光子晶体结构，然后用磷酸/硫酸混合液对光子晶体侧壁进行各向异性腐蚀，形成准光子晶体的图形结构。
光子晶体图形蓝宝石衬底及其制造方法发光二极管制备

[实用新型]40V车规MOS衬底结构-CN202222282722.3有效
发明人：郑超;王学合;胡志平 -专利权人：上海芯华睿半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种40V车规MOS衬底结构，包括：第一硅衬底通过第一连接结构与第二硅衬底固定在一起；第一连接结构形成第一硅衬底的底面；第二硅衬底通过第二连接结构与第一硅衬底形成电性固定连接；第二连接结构形成第二硅衬底的顶面；第一硅衬底掺杂浓度低于第二硅衬底掺杂浓度。本实用新型将常规浓度掺杂衬底形成在上部，将高浓度掺杂衬底形成在下部，通过第一连接结构和第二连接结构形成电性固定连接，能解决高浓度掺杂衬底的离子高温扩散造成污染机台腔体的问题的同时能降低MOS导通电阻。
40 车规 mos 衬底结构

[发明专利]一种多孔结构的衬底及其制备方法-CN201010260058.1无效
发明人：夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-08-23 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种多孔结构的衬底，所述衬底的表面形貌呈无序多孔状，所述孔的深度小于所述衬底的厚度，所述孔相互独立，孔内各不连通。本发明还提供一种制备所述多孔结构的衬底的方法，包括将所述衬底放置于所述衬底制备装置的注入腔室内；调整所述衬底制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围；将所述衬底制备装置产生的等离子体中的反应离子注入至所述衬底内；及所述反应离子与所述衬底发生反应，形成多孔衬底。本发明所述的多孔结构的衬底底部无连通，利用此多孔结构的衬底来制造太阳能电池有利于光的吸收、载流子输运和收集；本发明所提供的制备多孔结构的衬底的方法工艺简单，控制方便，无需清洗。
一种多孔结构衬底及其制备方法

[发明专利]半导体器件的制作方法及半导体器件-CN202211078902.8在审
发明人：庄文荣;卢敬权 -专利权人：东莞市中器集成电路有限公司;东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制作方法，包括：提供一生长衬底，在所述生长衬底上生长外延结构层；从所述生长衬底远离所述外延结构层的一面将所述生长衬底减薄至第一预设厚度，并使减薄后的所述生长衬底支撑所述外延结构层；提供散热衬底，将所述散热衬底与减薄后的生长衬底远离所述外延结构层的一面键合，所述散热衬底的热导率大于所述生长衬底的热导率。与现有技术相比，本发明将半导体器件的生长衬底减薄后，在衬底上键合一个高导热率衬底，在不增加半导体器件衬底厚度的情况下，增加半导体器件的导热率。本发明还公开了一种半导体器件。
半导体器件制作方法

[发明专利]低翘曲的衬底结构、半导体结构及其制备方法-CN202210240338.9在审
发明人：王颖慧;罗晓菊;裴卫江 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种低翘曲的衬底结构、半导体结构及其制备方法。本申请提供的低翘曲的衬底结构的制备方法包括：提供氮化镓衬底；在预设生长条件下，于氮化镓衬底的背面形成第一膜层，以使得第一膜层产生与所述氮化镓衬底内的内应力方向相反的张应力，第一膜层的热膨胀系数小于氮化镓衬底的热膨胀系数；于第一膜层远离氮化镓衬底的表面形成第二膜层，第二膜层的热膨胀系数大于氮化镓衬底的热膨胀系数。本申请提供的低翘曲的衬底结构的制备方法能够抵消衬底结构由于氮化镓衬底的内应力而导致的翘曲，降低衬底结构由于翘曲而形成的碗装内凹，降低后续进行器件制程和/或芯片制程的难度，并使得衬底结构在后续工艺步骤中不受温度的影响
低翘曲衬底结构半导体及其制备方法

[实用新型]具屏蔽结构的半导体芯片-CN200520136613.4无效
发明人：李胜源 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具屏蔽结构的半导体芯片，包括一衬底、一金属内连线结构以及一电路。衬底具有至少一绝缘环，其镶嵌于衬底的一衬底表面。金属内连线结构配置于衬底表面上，并且金属内连线结构具有至少一保护环。此电路位于衬底之上，其中绝缘环在衬底表面上的投影围绕电路，而保护环在衬底表面上的投影围绕绝缘环在衬底表面上的投影及电路在衬底表面上的投影。由于本实用新型的半导体芯片的屏蔽结构具有至少一绝缘环以及至少一保护环，其中绝缘环围绕电路在衬底表面上的投影，并且保护环在衬底表面上的投影围绕绝缘环及电路在衬底表面上的投影。因此，屏蔽结构可以减少电路所受到的干扰。是以，具有这种屏蔽结构的半导体芯片能够具有优选的效能。
屏蔽结构半导体芯片

[发明专利]封装结构及其制作方法-CN202011153863.4在审
发明人：蔡宗甫;高金福;王卜;卢思维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：一种封装结构包括线路衬底、半导体封装、盖结构以及多个第一间隔物结构。半导体封装设置在线路衬底上且电连接到线路衬底。盖结构设置在线路衬底上，覆盖半导体封装，其中盖结构通过粘合材料贴合到线路衬底。所述多个第一间隔物结构环绕半导体封装，其中第一间隔物结构夹置在盖结构与线路衬底之间，且包括与盖结构接触的顶部部分及与线路衬底接触的底部部分。
封装结构及其制作方法

[发明专利]一种半导体衬底结构、异质集成封装结构及其制造方法-CN202310900074.X在审
发明人：李晓静;李博;王磊;段亚驰;陆芃;朱慧平;高林春;周虹珊;张学文;杨灿 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/467 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体衬底结构、异质集成封装结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决异质晶圆和半导体衬底键合时容易产生缺陷、气泡和破裂的问题。所述导体衬底结构包括衬底，衬底的上表面设置有用于释放键合应力的上微流道结构，衬底的下表面设置有用于液冷的下微流道结构。所述异质集成封装结构包括上述方案所提的半导体衬底结构。所述异质集成封装结构的制造方法包括上述方案所提的异质集成封装结构。
一种半导体衬底结构集成封装及其制造方法

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN200710104018.6有效
发明人： R·T·P·康彭;O·沃兹尼;M·侯本;M·埃尔鲍柴比;F·J·M·博克霍尔特;R·瓦克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2007-05-14 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种光刻设备，它设置成将图案从图案形成装置转移到衬底上，该设备包括：衬底台，它构建成固定衬底；第一夹紧系统，配置成将衬底台夹到衬底台支撑结构上；以及第二夹紧系统，配置成在衬底台已被夹到衬底台支撑结构上之后将衬底夹到衬底台上
光刻设备器件制造方法