“衬底结构”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9564295个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种混合集成光电芯片衬底结构的制备方法及衬底结构-CN202110518985.7在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及光电芯片技术领域，特别涉及一种混合集成光电芯片衬底结构的制备方法及衬底结构。方法包括：获取绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底；绝缘体上硅衬底包括支撑层和键合层，键合层包括硅薄膜层，硅薄膜层设置在支撑层上；绝缘体上铌酸锂薄膜衬底包括铌酸锂薄膜层；将铌酸锂薄膜层与键合层键合得到复合键合结构；去除复合键合结构中的支撑层，暴露出硅薄膜层得到混合集成光电芯片衬底结构。通过将绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底键合，得到性能优异的混合集成光电芯片衬底结构，从而能够实现性能更加优秀的光电芯片的制备。
一种混合集成光电芯片衬底结构制备方法

[发明专利]柔性锂离子电池及其制造方法-CN202110685900.4在审
发明人：杨文勇 -专利权人：丽能电池有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01M50/44 文献下载
摘要：电池单元和制作电池单元的方法包括：以自由形态形状配置的阴极衬底和阳极衬底；由纳米纤维材料所制成的隔离层用于包封阴极衬底或阳极衬底以形成包封阴极衬底或包封阳极衬底，其中包封阴极衬底与阳极衬底重叠，或者包封阳极衬底与阴极衬底重叠，以形成堆叠式电池结构，该堆叠式电池结构能够进一步配置成形成凹口式的电池结构。能被扩展的堆叠式电池结构或凹口式的电池结构随后被注入电解液并使用包装层来封闭以形成电池袋结构。
柔性锂离子电池及其制造方法

[发明专利]存储器结构及其形成方法-CN202111243473.0在审
发明人：陈赫;董金文;朱继锋;华子群;肖亮;王永庆 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器结构及其形成方法，所述存储器结构包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述第一基底包括焊垫区域；介质层，位于所述衬底层的第二表面上；焊垫，位于所述焊垫区域上的介质层表面；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述焊垫下方的衬底层被所述隔离结构包围，以用于隔离所述焊垫下方的衬底层与所述隔离结构外围的衬底层。本发明的存储器结构中焊垫与衬底层之间的寄生电容被减小，有利于提高存储器性能。
存储器结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201811091900.6有效
发明人：何佳;骆中伟;刘藩东;华文宇;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面，所述衬底的第一表面上形成有堆叠结构；刻蚀所述堆叠结构，形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述沟道孔底面暴露出衬底的第一表面或者所述沟道孔的底面位于所述衬底内且低于所述衬底的第一表面，所述沟道孔的底面与衬底的第一表面之间的距离小于一预设值；对所述沟道孔底部进行刻蚀后处理，以去除沟道孔底部的衬底表面的杂质和缺陷；在所述沟道孔底部的衬底表面形成外延半导体层。上述方法能够提高形成的半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]射频集成电路芯片及其形成方法-CN201410025041.6有效
发明人：朱岩岩;葛洪涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种射频集成电路芯片及其形成方法，所述射频集成电路芯片包括：半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构；填充层，贯穿所述浅沟槽隔离结构，并填充部分所述半导体衬底以将所述半导体衬底与所述浅沟槽隔离结构隔开；介质层，位于所述半导体衬底、所述浅沟槽隔离结构和所述填充层上；射频器件，位于所述介质层上。由于半导体衬底与浅沟槽隔离结构之间被填充层隔开，因此能够防止半导体衬底与浅沟槽隔离结构之间形成电荷反型层或者电荷积聚层，进而防止半导体衬底出现类似于沟道的导电层，因而射频器件与半导体衬底之间不会存在耦合电容
衬底半导体浅沟槽隔离结构射频集成电路芯片填充层射频器件射频信号介质层隔开电荷积聚层谐波失真耦合电容电荷导电层反型层沟道填充传输贯穿

[实用新型]一种传感器的晶圆级封装结构-CN202022328589.1有效
发明人：狄云翔;刘孟彬;韩凤芹 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种传感器的晶圆级封装结构，包括：第二衬底，第二衬底具有第一空腔；检测结构层，检测结构层包括检测结构，检测结构至少部分位于第一空腔上方；介质层，覆盖检测结构层远离第二衬底的表面；金属围堰，金属围堰位于介质层上方；第三衬底，第三衬底位于金属围堰上方，金属围堰与第三衬底围成第二空腔，第二空腔包围至少部分检测结构；电连接结构，电连接结构将检测结构的电性引出。
一种传感器晶圆级封装结构

[发明专利]一种p型外延衬底激光二极管-CN201310500448.5有效
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种p型外延衬底激光二极管，包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上具有p-GaN外延衬底，在p-GaN外延衬底上具有发光结构，所述发光结构设置于p型外延衬底的中部区域，该发光结构由下至上依次具有p型界面层、发光层、n型界面层、n型注入层以及n电极；p-GaN外延衬底的外围区域上具有p电极。
一种外延衬底激光二极管

[发明专利]探测器及其制造方法-CN202210763636.6在审
发明人：康晓旭;蒋宾 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种探测器及其制造方法，该探测器包括：第一衬底，位于第一衬底上的金属反射层，所述金属反射层具有金属反射图案；位于金属反射层上的微桥单元结构；以及位于微桥单元结构外围的封装结构，所述封装结构包括第二衬底结构和与所述第二衬底结构发生键合的沟槽结构；所述沟槽结构包括形成沟槽的边墙和所述沟槽内部的多层金属结构，所述多层金属结构的高度低于所述沟槽的深度；第二衬底结构包括第二衬底和位于所述第二衬底的第一表面的多层金属结构，所述第二衬底的第一表面的多层金属结构与所述沟槽内部的多层金属结构相互键合
探测器及其制造方法

[发明专利]MEMS麦克风结构及其制作方法-CN201210143668.2有效
发明人：柳连俊 -专利权人：迈尔森电子(天津)有限公司
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS麦克风结构及其制作方法，所述MEMS麦克风结构将和第二衬底共同形成信号处理电路的第二导电结构层与形成有MEMS麦克风组件的第一衬底上的第一导电结构层通过第一导电粘合结构和第二导电粘合结构面对面贴合，并且第一导电结构层中包括连接第一衬底的第一衬底导电结构，第二导电结构层中包括连接第二衬底的第二衬底导电结构，采用本发明的MEMS麦克风结构，在MEMS麦克风组件工作时，所述第一衬底导电结构和/或第二衬底导电结构连接地电位或通过低阻抗接地或其他屏蔽电位，可以屏蔽外界的电干扰，提高了MEMS麦克风结构的抗干扰能力。
mems 麦克风结构及其制作方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202211290258.0有效
发明人：刘洋;吴建兴 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构至少包括：衬底；浅槽隔离结构，设置在衬底上，且浅槽隔离结构包括凸部，且凸部超出衬底的表面；堆叠结构，设置在衬底上和浅槽隔离结构上；沉积通道，穿过堆叠结构与衬底和/或凸部的表面接触，沉积通道设置在衬底的高压器件区上；台阶结构，设置在凸部上，且台阶结构位于沉积通道内，台阶结构的表面高于衬底的表面，且台阶结构的高度小于凸部的高度；栅氧化层，设置在衬底上，栅氧化层位于沉积通道内，且栅氧化层和台阶结构之间具有间隙；以及多晶硅层，覆盖在栅氧化层和台阶结构上。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升半导体器件的电学性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]LED芯片及其制造方法-CN201610594128.4在审
发明人：李庆;王磊;张广庚;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的半导体外延结构、以及位于半导体外延结构上的P电极和N电极，所述衬底包括上部衬底和下部衬底，所述上部衬底截面呈等腰梯形，上部衬底的两个侧面为对称设置的第一斜面，下部衬底截面呈等腰梯形或倒等腰梯形，下部衬底的两个侧面为对称设置的第二斜面，所述半导体外延结构的两个侧面沿上部衬底的第一斜面倾斜。本发明通过改变劈裂位置达到改变衬底形貌的目的，在不影响劈裂良率的前提下，提高了LED芯片的亮度。
led 芯片及其制造方法

[发明专利]LED芯片及其制造方法-CN201610594393.2在审
发明人：李庆;王磊;张广庚;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的半导体外延结构、以及位于半导体外延结构上的P电极和N电极，所述衬底包括上部衬底和下部衬底，所述上部衬底截面呈等腰梯形，上部衬底的两个侧面为对称设置的第一斜面，下部衬底截面呈平行四边形，下部衬底的两个侧面为相互平行的第二斜面，所述半导体外延结构的两个侧面沿上部衬底的第一斜面倾斜。本发明通过改变劈裂位置达到改变衬底形貌的目的，在不影响劈裂良率的前提下，提高了LED芯片的亮度。
led 芯片及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202210094845.6在审
发明人：高敏峰;杨敦年;刘人诚;郭文昌;陈昇照;洪丰基;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底包括像素区和外围区。背面隔离结构延伸至半导体衬底的背面中并横向包围像素区。该背面隔离结构包括金属芯，并且介电衬垫将金属芯与半导体衬底分离。导电部件设置在半导体衬底的正面上方。贯穿衬底通孔从半导体衬底的背面延伸穿过外围区以与导电部件接触。该贯穿衬底通孔与背面隔离结构横向偏移。导电桥设置在半导体衬底的背面下方并将背面隔离结构的金属芯电耦合至贯穿衬底通孔。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]将导线结构布置在衬底上的方法和具有该导线结构的衬底-CN200580004017.3无效
发明人： G·埃克施泰因;W·维尔辛 -专利权人：西门子公司
申请日： 2005-01-26 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H05K3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于使一个导线结构(2)布置在一个衬底(1)上的方法。该方法可以称为转移压制方法。该方法执行下列的方法步骤：a)在至少一个转移载体(3)与导线结构(2)之间建立一个可分离的连接(4)；b)将具有导线结构(2)的转移载体(3)与衬底(1)放到一起，使得在导线结构(2)与衬底(1)之间建立一个连接(5)，该连接比转移载体(3)与导线结构(2)之间的可分离连接(4)更结实；c)使转移载体(3)与转移载体(3)的导线结构(2)之间的可分离的连接(4)分离，其中保留在导线结构(2)与衬底(1)之间的连接由此产生一个具有一个导线结构(2)的衬底(1)，导线结构在衬底(1)的一个衬底接触面(10，11)上并且在衬底(1)的至少另一衬底接触面(11，10)上与衬底(1)连接。该衬底(1)的特征是，所述导线结构(2)在两个衬底接触面(10，11)之间具有纳米管(20)，纳米管从衬底接触面(10，11)指向另一衬底接触面(11，10)。所述纳米管(20)侧面地布置。
导线结构布置衬底方法具有

[发明专利]半导体器件制造方法、半导体器件及存储器-CN202011077071.3在审
发明人：张仕然;孙正庆;于有权 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：该半导体器件制造方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构和若干个间隔排布的凹槽，相邻两个凹槽之间形成衬底凸起；在半导体衬底表面沉积栅极氧化层，栅极氧化层覆盖凹槽和衬底凸起；在栅极氧化层上形成栅极结构，栅极结构包括第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构覆盖衬底凸起表面；在半导体衬底内形成源极和漏极。第一栅极结构覆盖衬底凸起表面，使得导电沟道呈弯曲结构，在纵向(垂直于半导体衬底方向)上延伸栅极氧化层和导电沟道的长度，通过调整不同的纵向深度，可提供不同电容参数的晶体管，同时可有效改善晶体管器件的短沟道效应
半导体器件制造方法存储器