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[发明专利]柔性OLED显示器件及其制造方法-CN201410815492.X在审
发明人：刘亚伟;吴泰必 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性OLED显示器件及其制造方法。该OLED显示器件包括：一柔性衬底(1)、与柔性衬底(1)相对设置的柔性封装盖板(2)、设于柔性衬底(1)上的TFT层(3)、设于TFT层(3)上的OLED薄膜器件(4)、设于OLED薄膜器件(4)上并包裹住该OLED薄膜器件(4)的钝化层(5)、及设于柔性封装盖板(2)靠近柔性衬底(1)一侧并将柔性封装盖板(2)与柔性衬底(1)粘结在一起的有机封装薄膜(6)；所述柔性衬底(1)为金属薄片与超薄玻璃中的一种，所述柔性封装盖板(2)为金属薄片与超薄玻璃中不同于所述柔性衬底(1)的另一种。该OLED显示器件既具有良好的柔韧性，又能够有效阻止水汽、氧气的渗透，封装效果好。
柔性 oled 显示器件及其制造方法

[发明专利]一种倒装芯片的制作方法-CN201110357654.6在审
发明人：金鹏;李宁;施建根 -专利权人：北京大学深圳研究生院;南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：所述倒装芯片的制作方法包括：在芯片上生长凸起；在凸起界定的区域内放入合金Ga-In薄片，升高温度使薄片重熔，材料布满整个界定区域中底部；在一定温度和压力下芯片凸点与布线板电极精确对位压接，经固化实现芯片的倒装本发明不需要高温环境，能有效避免因高温而造成的器件失效现象，尤其适合某些特殊器件封装，如热敏器件、光电器件。
一种倒装芯片制作方法

[发明专利]基于二维材料光电器件的再生锁模光纤激光器-CN201710493648.0有效
发明人：潘洪刚;张爱玲;宋红云;王洛欣;姚远;张悦 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：基于二维材料光电器件的再生锁模光纤激光器，由掺铒光纤放大器(1)、偏振控制器(2)、电光调制器(3)、光纤环形器(4)、二维材料光电器件(5)、窄带微波滤波器(6)、窄带微波放大器(7)、微波移相器(8)、可调光纤延时线(9)、20:80光纤耦合器(10)组成，其中二维材料光电器件(5)由源极(51)、漏极(52)、二维二硫化钨纳米薄片(53)、二维黑磷纳米薄片(54)、反射镜(55)、氧化硅衬底(56)组成，二维材料光电器件(5)有两个功能，既可以作为光电探测器，也可以作为可饱和吸收体。
基于二维材料光电器件再生光纤激光器

[发明专利]电化学器件-CN201910117255.9有效
发明人：长谷川浩昭;伊藤秀毅;大桥良彦;吉野勇二;吉川和典;桧圭宪 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01G11/74 文献下载
摘要：本发明提供连接可靠性优异的电化学器件。一种EDLC(2)，具有：元件主体(10)，其以夹着隔离物薄片(11)的方式层叠有一对内部电极(16、26)；外装薄片(4)，其覆盖元件主体(10)；密封部(40、42)，其以元件主体(10)在电解质溶液中被浸渍的方式密封外装薄片(4)的周缘部；引线端子(18、28)，其从外装薄片(4)的密封部(40、42)被引出到外侧。
电化学器件

[发明专利]场效应电催化产氢器件的制备方法-CN201611022130.0有效
发明人：麦立强;潘雪雷;晏梦雨;王俊辉 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应电催化产氢器件的制备方法，将至少一层二硒化钒纳米薄片分散到带有氧化层的硅基板上，其中纳米薄片作为沟道材料，氧化层作为介电层，在沟道材料的两端制作金属微电极；旋涂一层绝缘层，并在两金属微电极之间刻蚀出矩形窗口；在硅基板空白一侧除去氧化层，制作背栅电极的接触点，在器件表面注入电解液获得场效应电催化产氢器件。
场效应电催化器件制备方法

[发明专利]电机-CN202010254359.7有效
发明人： J.范德梅尔;D.蔡泽 -专利权人：大众汽车有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H02K1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有定子(1)的电机，该定子由大量彼此布置的定子薄片(2,3)来构建，其中，定子(1)被悬挂在电机的壳体中且在此具有至少在其周缘方向上伸延的冷却剂通道(5)，其经由定子(1)的定子薄片(2,3)彼此的转动偏移来实施，且其中，在定子(1)的周缘方向上伸延的冷却剂通道(5)构造在由定子(1)的外周面径向向外指向地成形的器件容纳部(6)中，其中，在器件容纳部(6)中布置有悬挂器件(7)，定子(1)
电机

[发明专利]基于同位素富集降低极化激元材料光学损耗的器件及方法-CN202110900319.X有效
发明人：赵永潜;陈佳宁;鲍丽宏;陈建翠 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于同位素富集来降低极化激元材料的光学损耗的器件，包括：单元素同位素富集的极化激元材料薄片；和所述极化激元材料薄片被置于其上的衬底。本发明的器件可以是高Q值纳米微腔，波导，耦合器等极化激元光子器件。本发明还涉及一种基于同位素富集来降低极化激元材料的光学损耗的方法。
基于同位素富集降低极化材料光学损耗器件方法

[发明专利]一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法-CN201010034446.8无效
发明人：冯士维;张光沉;乔彦斌;郭春生;丁凯凯 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法涉及电子器件测量领域。本发明将被测器件置于一真空系统中，真空系统外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一温敏电阻A，将温敏电阻B与加热薄片一面接触，加热薄片另一面与被测器件的底部即散热端点接触；获取建立有源区到散热端点的温度梯度所需时间t1；建立散热端点到有源区的温度梯度所需时间t2；对被测器件施加功率为P，接通时间为t1+t2，当温敏电阻A和B趋于一恒定值，该温度即为被测器件正常工作时的温度，可得被测到器件的工作温升及热阻。该方法对半导体器件或功能模块的封装形式没有要求，且属于非破坏性测试。
一种利用真空环境测量电子元器件工作温和方法

[发明专利]容纳液体或含液体物质的衬、容器及方法-CN201210477720.8有效
发明人：格伦·M·汤姆;约翰·R·金格里;凯文·T·奥多尔蒂;柯克·米克尔森;米凯莱·阿尔贝里;约瑟夫·门宁;严宏伟 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： B65D83/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种设置成容纳液体或含液体物质的衬，包括：第一薄片，其包括内层片，邻接至单独的外层片，包括乙烯-乙烯醇(EVOH)层和尼龙层中的至少一种；第二薄片，其包括内层片，邻接至单独的外层片，包括EVOH层和尼龙层中的至少一种；以及至少一个焊接的边缘接缝，在第一薄片和第二薄片的边缘附近将第一薄片连接至第二薄片以形成适合在其中容纳液体或含液体物质的衬。本发明还涉及一种用于分配液体或含液体物质的容器、用于生产微电子器件的方法。
容纳液体物质容器方法

[发明专利]一种LED用荧光薄片的制备方法-CN201410447004.4有效
发明人：江柳杨 -专利权人：江西省晶瑞光电有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种LED用荧光薄片的制备方法，该方法主要包括在UV膜上形成与LED芯片电极大小相一致的光刻胶胶柱，将留有光刻胶胶柱的UV膜上均匀涂布一层荧光粉胶，去除所述光刻胶胶柱，形成荧光薄片，并将荧光薄片切割成特定尺寸形状的荧光薄片制品通过本发明制得平面薄片的出光均匀性较好、柔韧性好，同时荧光薄片的厚度容易控制，属于平面化工艺，适合集成规模化的生产。并且本发明改变了传统使用荧光粉和硅胶/树脂混合后再覆盖在LED芯片上的做法，而以独立的荧光薄片的形式出现，使用时直接和LED芯片封装在一起即可，更加利于LED芯片的散热，提高了LED器件的使用寿命。
一种 led 荧光薄片制备方法

[发明专利]一种可提高焊枪灵活度的调节机构-CN201810126798.2在审
发明人：章显红 -专利权人：成都融创智谷科技有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： B23K37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可提高焊枪灵活度的调节机构，涉及焊接自动化领域，以解决现有技术中无法满足对一些精密器件的焊接精度要求的缺点；其包括焊枪和用于安装焊枪的安装壳体，所述安装壳体包括固定壳体和转动壳体，所述安装壳体内设有驱动焊枪沿通过实施本技术方案，可灵活的焊接不同的金属薄片，并可对精密器件加工生产过程中的金属薄片精确焊接，保证精密器件中金属薄片的焊接精度要求。
焊枪焊接金属薄片精密器件激光跟踪系统共焦传感器监控摄像头安装壳体精度要求激光器灵活度处理器光谱加工生产过程往复回转运动焊接自动化驱动电性连接固定壳体转动壳体转动组件安装壳灵活的体内保证

[发明专利]一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管-CN201910656233.X在审
发明人：邹雨婷;于伟利;于治;郭春雷 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管，包括底部栅极层、底栅绝缘层、源极层、半导体层和漏极层，所述垂直结构场效应晶体管的顶部和底部分别为所述底部栅极层、所述漏极层，所述底栅绝缘层位于所述底部栅极层与所述源极层之间，所述半导体层位于所述漏极层与所述源极层之间，所述半导体层为钙钛矿单晶薄片，厚度等于导电沟道的长度。本发明的基于钙钛矿单晶薄片的垂直结构场效应晶体管克服了钙钛矿晶界所造成的负面影响，从而有效的提高了电荷传输，并且这种垂直结构的器件减小了导电沟道长度，极大的提高了器件的工作电流并降低了器件的阈值电压。
一种基于钙钛矿单晶薄片垂直结构场效应晶体管

[发明专利]基于MoS₂纳米薄片的场效应电催化产氢器件的制备方法-CN201611030303.3有效
发明人：麦立强;周训标;王俊辉;晏梦雨 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于MoS₂纳米薄片的场效应电催化产氢器件的制备方法，包括有以下步骤：将至少一层二硫化钼纳米薄片分散到带有氧化层的硅基板上，其中纳米薄片作为沟道材料，氧化层作为介电层，在沟道材料的两端制作金属源极和漏极；旋涂绝缘层，使之覆盖住金属源极和漏极；在金属源极和漏极之间刻蚀出凹槽；在硅基板空白一侧除去氧化层，制作背栅电极的接触点，在器件表面注入电解液获得场效应电催化产氢器件
基于 mos2 纳米薄片场效应电催化器件制备方法

[实用新型]一种用于调节焊枪焊接位置的调节机构-CN201820221420.6有效
发明人：章显红 -专利权人：成都融创智谷科技有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B23K37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于调节焊枪焊接位置的调节机构，涉及焊接自动化领域，以解决现有技术中无法满足对一些精密器件的焊接精度要求的缺点；其包括焊枪和用于安装焊枪的安装壳体，所述安装壳体包括固定壳体和转动壳体通过实施本技术方案，可灵活的焊接不同的金属薄片，并可对精密器件加工生产过程中的金属薄片精确焊接，保证精密器件中金属薄片的焊接精度要求。
一种用于调节焊枪焊接位置机构

[发明专利]高承载的压电发电装置-CN200910307257.0无效
发明人：谢涛;袁江波;单小彪;陈维山 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：高承载的压电发电装置，属于电力领域，本发明为了解决悬臂梁型压电发电装置承载能力小，在高载的情况下很容易折断致使不能正常工作，且结构尺寸较大，不能满足现代微电子器件的微型化发展需要的问题。本发明包括金属环、金属薄片、压电元件和金属槽钹片，沿金属环的上环面和下环面由内向外依次对称设置有金属薄片、压电元件和金属槽钹片，金属环的上下环面分别与一个金属薄片固定连接，所述金属薄片与压电元件固定连接本发明用于给低耗能的微电子器件供电。
承载压电发电装置