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[实用新型]一种单纤双向光器件生产定位机构-CN202220409243.0有效
发明人：张小燕 -专利权人：深圳市联鸿泰电子有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B21D28/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及单纤光向器生产技术领域，具体为一种单纤双向光器件生产定位机构，包括：装置主体，所述装置主体包括下模座和上模座，所述下模座的一端连接有冲压座，且冲压座的一端开设有走料槽，所述上模座的一端连接有冲压板本实用新型通过设置有支撑板、支撑套和海绵套，这样利用支撑套的辅助支撑功能，以及与金属外壳薄片紧密贴合的海绵套对金属外壳薄片进行刮边处理，与现有技术相比，本装置可以在金属薄片冲压前对其表面进行清理，避免造成灰尘或者残屑对冲压成品造成影响
一种双向器件生产定位机构

[实用新型]基于CMOS工艺的霍尔开关失调电压消除电路-CN201120129323.2无效
发明人：张良;罗杰;罗立权;刘心泽 -专利权人：灿瑞半导体（上海）有限公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H03K17/90 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于CMOS工艺的霍尔开关失调电压消除电路，包括稳压及电压偏置单元，霍尔薄片电路，电压放大器，信号处理单元，迟滞比较器，时钟信号与逻辑控制单元；第一时钟信号控制霍尔薄片为0°状态时霍尔电压的放大和存储，并将第二时钟信号分为第三时钟信号和第四时钟信号，第三时钟信号控制90°状态霍尔电压的放大和存储，第四时钟信号控制0°状态、90°状态时的霍尔电压与阈值电压的运算和比较，以消除霍尔薄片的失调电压；所述第一时钟信号和第二时钟信号互不重叠与现有技术相比，本实用新型可以在CMOS工艺基础上，使用较少的元器件，使霍尔开关能在微型化和低功耗的要求下应用于微弱磁场的检测。
基于 cmos 工艺霍尔开关失调电压消除电路

[实用新型]衣领缝制夹具-CN201820649746.9有效
发明人：张小林;张庆东 -专利权人：杭州杭丝时装实业有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： D05B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了衣领缝制夹具，夹具包括：第一薄片、第二薄片、第三薄片、第四薄片、第五薄片、第六薄片、第七薄片和第八薄片，其中：第一薄片、第二薄片和第四薄片与第三薄片的左边铰接；第五薄片、第六薄片、第七薄片和第八薄片与第三薄片的右边铰接；第三薄片的中部镂空，该镂空的形状与领座的形状接近且小于领座的形状；第四薄片开设有第一缝纫通道；第七薄片开设有第二缝纫通道；第八薄片开设有第三缝纫通道；第一薄片、第二薄片、第三薄片、第四薄片叠在一起缝制其中的一条缝制线，第七薄片、第六薄片、第五薄片、第三薄片和第八薄片叠在一起缝制另外的一条缝制线。
缝制夹具缝纫本实用新型薄片叠缝制线衣领铰接领座工作效率高中部镂空镂空员工

[发明专利]一种基于LTCC的微型化微流量控制器-CN202010301347.5有效
发明人：官长斌;沈岩;刘旭辉;姚兆普;张美杰;南柯;曾昭奇;范旭丰;于金盈;惠欢欢;扈延林;毛威;王兆立;李恒建;张良;李伟;赵立伟;庚喜慧;谢继香;任凯;张志伟;王建;王国华;刘鹏飞 -专利权人：北京控制工程研究所
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G05D7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LTCC的微型化微流量控制器，包括：第一陶瓷薄片、第二陶瓷薄片、第三陶瓷薄片、第四陶瓷薄片、第五陶瓷薄片、第六陶瓷薄片、第七陶瓷薄片、第八陶瓷薄片和第九陶瓷薄片；其中，第一陶瓷薄片、第二陶瓷薄片、第三陶瓷薄片、第四陶瓷薄片、第五陶瓷薄片、第六陶瓷薄片、第七陶瓷薄片、第八陶瓷薄片和第九陶瓷薄片依次叠在一起，通过高温烧结而成；其中，高温为450摄氏度～850摄氏度；第一陶瓷薄片、第二陶瓷薄片、第三陶瓷薄片、第四陶瓷薄片、第五陶瓷薄片、第六陶瓷薄片、第七陶瓷薄片、第八陶瓷薄片和第九陶瓷薄片的直径均相等。
一种基于 ltcc 微型流量控制器

[发明专利]一种叠层型电子元器件制造方法-CN201010577304.6有效
发明人：伍检灿;戴春雷;刘宁;孙峰 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层型电子元器件制造方法，在浆料填孔之前依次有以下步骤：1)流延形成陶瓷生片；2)开设通孔，其特征在于：开设通孔包括先在支撑体薄片开孔，以及后在承载片和放置在承载片片底面的陶瓷生片依次开孔本发明与现有技术对比的有益效果是：在激光开孔过程中能有效避免陶瓷生片通孔周围堆积陶瓷粉尘，明显提高叠层型陶瓷电子元器件层间连接可靠性，较大幅度的提高电极导通率。本发明的制造方法可以广泛应用于制造铁氧体材料叠层型陶瓷电子元器件，也可以广泛应用于制造玻璃陶瓷、氧化锌陶瓷叠层型电子元器件。
一种叠层型电子元器件制造方法

[发明专利]基于金属阳离子修饰黑磷的突触器件及其制备方法-CN201810340826.0有效
发明人：张晗;王慧德;郭志男 -专利权人：张晗
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于金属阳离子修饰黑磷的突触器件，包括作为突触前端的背栅电极、依次设置在背栅电极上的隔离层和功能层、以及间隔设置在功能层上的作为基准电极的第一电极和作为突触后端的第二电极，第一电极和第二电极之间形成的沟道结构暴露出部分功能层，功能层的材料包括金属阳离子修饰的黑磷薄片。本发明提供的金属阳离子修饰的黑磷突触器件，环境稳定性好、同时具有优异的突触性能，为类脑计算提供了极具实用价值的重要元器件支撑。本发明还提供了一种基于金属阳离子修饰黑磷的突触器件的制备方法，方法简单易操作。
基于金属阳离子修饰黑磷突触器件及其制备方法

[发明专利]一种薄片晶圆背金层的制备方法及晶体管器件-CN201910993421.1在审
发明人：高晓丽 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及薄片晶圆背金层的制备方法，该方法通过在溅射工艺气体中进一步加入应力控制填充气体，以降低金属合金或金属化合物中的晶格缺陷，从而降低膜层应力。本发明提供的薄片晶圆背金层制备方法，工艺设备简单、过程有效。采用该方法可获得较低应力金属合金或金属化合物膜层，且由于应力控制填充气体不与金属合金或金属化合物粒子发生反应，因而制成膜层的电学性能及结晶特性几乎没有变化，更有利于IGBT等半导体器件的稳定性与可靠性。
金属合金填充气体应力控制背金层晶圆膜层制备金属化合物粒子金属化合物膜层半导体器件金属化合物电学性能工艺气体工艺设备结晶特性晶格缺陷低应力溅射

[发明专利]绝缘栅型双极晶体管的集电极背面结构-CN201310013014.2有效
发明人：陈宏;朱阳军;吴凯;徐承福;卢烁今;邱颖斌 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明通过高浓度注入区与低浓度注入区间隔分布，可以有效降低背面集电极的注入效率，提高器件的开关性能；本发明对于薄片、超薄片工艺来说，提高了芯片的平均厚度，可以减小碎片的风险。
绝缘双极晶体管集电极背面结构

[实用新型]基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿电路-CN201120123146.7有效
发明人：张良;罗杰;罗立权;刘心泽 -专利权人：灿瑞半导体（上海）有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H03K17/90 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于CMOS工艺的霍尔开关温度补偿电路，包括：霍尔薄片；稳压器；信号处理单元；迟滞比较器；时钟信号与逻辑控制单元，为信号处理单元、迟滞比较器提供时钟信号和逻辑控制信号；电压偏置单元，为信号处理单元和迟滞比较器提供偏置电压；所述电压偏置单元产生与霍尔薄片的霍尔迁移率的温度系数相等的偏置电压，并将该偏置电压连接到信号处理单元和迟滞比较器的输入端，用作迟滞比较器的阈值电压。与现有技术相比，本实用新型可以在CMOS工艺基础上，使用较少的元器件，使霍尔开关能在较宽温度范围内正常工作。
基于 cmos 工艺霍尔开关温度补偿电路

[发明专利]衣领缝制夹具及其缝制方法-CN201810414004.2有效
发明人：张小林;张庆东 -专利权人：杭州杭丝时装集团有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： D05B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了衣领缝制夹具及其缝制方法，夹具包括：第一薄片、第二薄片、第三薄片、第四薄片、第五薄片、第六薄片、第七薄片和第八薄片，其中：第一薄片、第二薄片和第四薄片与第三薄片的左边铰接；第五薄片、第六薄片、第七薄片和第八薄片与第三薄片的右边铰接；第三薄片的中部镂空，该镂空的形状与领座的形状接近且小于领座的形状；第四薄片开设有第一缝纫通道；第七薄片开设有第二缝纫通道；第八薄片开设有第三缝纫通道；第一薄片、第二薄片、第三薄片、第四薄片叠在一起缝制其中的一条缝制线，第七薄片、第六薄片、第五薄片、第三薄片和第八薄片叠在一起缝制另外的一条缝制线。
衣领缝制夹具及其方法

[发明专利]一种手持式三维扫描显微镜-CN201911269667.0在审
发明人：徐英舜 -专利权人：江苏德恩医学技术有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G02B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及微型显微镜技术领域，具体为一种手持式三维扫描显微镜，包括扫描器件，所述扫描器件包括镜体，所述镜体上设有镜面，所述扫描器件还包括能够驱动镜体的第一驱动器，所述第一驱动器与镜体固定连接，所述镜面上依次连接有光电检测器、超薄片、滤光薄膜、光学镀膜，所述扫描器件还包括镜框、能够驱动镜框的第二驱动器，所述镜框分别与第一驱动器、第二驱动器固定连接，所述第一驱动器驱动镜体旋转的方向与第二驱动器驱动镜框旋转的方向垂直。采用本方案能够将分别实现若干功能的光学元件，集成到一个器件，减小显微镜的体积和重量。
驱动器镜体扫描器件镜框驱动镜面显微镜光电检测器微型显微镜方向垂直光学镀膜光学元件滤光薄膜三维扫描依次连接减小

[发明专利]功率半导体器件及其制作工艺-CN201910760390.5在审
发明人：郭依腾;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体器件及其制作工艺。功率半导体器件的制作工艺包括以下步骤：在衬底的正面沉积一层外延层并完成功率半导体器件正面结构的制作；对所述衬底的背面进行刻蚀，刻蚀穿整个衬底，直至外延层，形成引线孔；在所述引线孔里填充金属并在所述衬底背面垫积形成背面金属层在不影响焊接工艺和功率半导体器件电性的基础上，取缔了减薄工艺，保留了衬底作为支撑，避免了减薄过程以及后续薄片制作工艺上造成的碎片风险，节约了成本。
功率半导体器件及其制作工艺

[发明专利]一种高温超导环片堆叠结构的无阻无源磁屏蔽器件-CN202111505620.7在审
发明人：曾志刚;周迪帆;蔡传兵;彭永强;肖书良 -专利权人：上海大学
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温超导环片堆叠结构的无阻无源磁屏蔽器件，基于高温超导带材，通过适当方法切割加工获得的超导环型薄片，再对环片进行不同结构的堆叠组成。本发明的磁屏蔽器件具有结构简单，制造方便，功能灵活等优点，各类堆叠结构的器件已被证实与管状超导块体屏蔽器件相比具有极高的轴向屏蔽系数和高的工作磁场，与基于常导线圈和有接头超导线圈的屏蔽器件相比具有优良的低频屏蔽性能
一种高温超导堆叠结构无阻无源屏蔽器件

[实用新型]一种手持式三维扫描显微镜-CN201922220945.5有效
发明人：徐英舜 -专利权人：江苏德恩医学技术有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G02B21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及微型显微镜技术领域，具体为一种手持式三维扫描显微镜，包括扫描器件，所述扫描器件包括镜体，所述镜体上设有镜面，所述扫描器件还包括能够驱动镜体的第一驱动器，所述第一驱动器与镜体固定连接，所述镜面上依次连接有光电检测器、超薄片、滤光薄膜、光学镀膜，所述扫描器件还包括镜框、能够驱动镜框的第二驱动器，所述镜框分别与第一驱动器、第二驱动器固定连接，所述第一驱动器驱动镜体旋转的方向与第二驱动器驱动镜框旋转的方向垂直。采用本方案能够将分别实现若干功能的光学元件，集成到一个器件，减小显微镜的体积和重量。
一种手持三维扫描显微镜

[发明专利]镉金属有机框架材料及其制备方法和应用-CN202211281115.3有效
发明人：黄超;张强;米立伟;张莹莹;常红;张跃;刘赛威;王斐;王丹丹 -专利权人：中原工学院
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镉金属有机框架材料及其制备方法和应用，利用镉金属有机框架材料Cd‑MOF构筑了具有优异循环稳定性的TENG器件，将其应用于自驱动阴极金属防腐蚀。本发明的Cd‑MOF能够通过溶剂热法可控合成，扩展摩擦电极材料选择范围，提高摩擦纳米发电机的电输出性能，Cd‑MOF材料构筑的TENG器件，应用于自供电特性的金属防腐蚀，构筑了一种新型具有良好输出性能的摩擦材料和优异的循环稳定性，并将其制备成TENG器件，应用到Q235钢薄片的阴极保护，实现了自供电驱动的金属防腐蚀功能。
金属有机框架材料及其制备方法应用