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[发明专利]晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置-CN202011145090.5在审
发明人：苏亚青;张守龙;季芝慧;谭秀文;叶斐;陈裕 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置。其中晶圆背面减薄方法包括：提供待进行背面减薄的晶圆；对所述晶圆的背面进行至少一次湿法刻蚀，去除覆盖在所述晶圆背面的膜层，露出硅表面；通过太鼓减薄工艺，对露出硅表面的晶圆进行背面磨削减薄，使得在所述晶圆背面的边缘形成太鼓环晶圆背面减薄装置用于执行如该晶圆背面减薄方法。本申请提供的晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄装置，可以解决相关技术中由于太鼓环在晶圆边缘形成阻挡，晶圆背面不同膜层的磨削碎屑无法正常排出，从而影响磨削砂轮的问题。
背面方法装置

[实用新型]晶圆减薄装置-CN202222790692.7有效
发明人：向雪燕 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆减薄装置，晶圆减薄装置用于对晶圆进行减薄。晶圆减薄装置包括承载上料机构以及减薄机构，其中，晶圆放置于承载上料机构上，承载上料机构与减薄机构相对设置，减薄机构包括盛载有第一溶液的刻蚀液容器以及与刻蚀液容器选择性连通的喷射组件，喷射组件与承载上料机构上放置的晶圆对准，刻蚀液容器与喷射组件相连通，使得第一溶液通过喷射组件喷射至晶圆表面。在本申请的晶圆减薄装置中，第一溶液对晶圆进行刻蚀减薄，减薄晶圆的整体厚度，机械结构稳定性好，避免出现晶格损伤、划痕、崩边甚至破片，有效提升晶圆减薄的良率。
晶圆减薄装置

[发明专利]晶圆减薄工艺-CN201910075042.4有效
发明人：王勇威;周立庆;夏楠君;黄鑫亮;亢喆 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆减薄工艺，涉及晶圆减薄的技术领域，包括以下程序：测量程序、数据处理程序和减薄程序，通过测量装置测量出晶圆的质量和厚度，数据处理装置根据晶圆的质量和厚度以及其他参数计算出晶圆减薄后的目标质量，同时计算出晶圆需要减薄掉的质量和需要腐蚀的时间，晶圆在化学腐蚀腔内按照计算出的腐蚀时间进行腐蚀，以实现对晶圆厚度的减薄，晶圆减薄的工艺分别包括多次腐蚀时间计算及其对应的多次腐蚀过程，直至减薄后的晶圆的质量与目标质量相符合，缓解了现有晶圆减薄精度控制方法浅显，难以保证较高减薄精度的技术问题，优化了晶圆的化学减薄工艺，使得晶圆减薄精度的控制工艺更加严谨、科学。
晶圆减薄工艺

[发明专利]IGBT晶圆的减薄方法-CN202010618537.X有效
发明人：郁新举;叶斐;朱伟杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT晶圆的减薄方法，包括：在集成有IGBT器件的晶圆的正面贴附第一薄膜；对晶圆进行减薄，使晶圆的厚度减薄至第一目标厚度；去除第一薄膜，在晶圆的正面贴附第二薄膜；对第二薄膜进行减薄；对晶圆进行减薄，使晶圆的厚度减薄至第二目标厚度；去除第二薄膜。本申请通过在对IGBT晶圆进行制造的过程中，在对晶圆的背面研磨至所需求的厚度之前，依次对晶圆的背面和贴附在晶圆正面的薄膜进行减薄，从而降低了在晶圆研磨过程中晶圆的厚度和薄膜的厚度对减薄工艺的影响，从而提高了减薄后的晶圆的厚度的一致性
igbt 方法

[发明专利]一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具-CN202011003935.7在审
发明人：王广阳;熊帅 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具，将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片；对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片；对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片。这样，在第一设备对晶圆片进行减薄后，再利用第二设备对晶圆片进行减薄，能够去除一次减薄过程中所造成的放射纹和损伤层，有效避免了后续进行更加复杂的加工处理，从而降低了晶圆片减薄的加工成本，同时提高了晶圆片减薄的加工效率
一种晶圆片减薄方法装置夹具

[发明专利]一种晶圆背面减薄方法-CN202211030849.4在审
发明人：张洁;刘子泽;刘东栋 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆背面减薄方法，包括提供晶圆，在晶圆的边缘包括一与晶圆的110晶向垂直的平边，在晶圆的正面粘贴研磨保护膜，随后将晶圆固定在减薄机台的晶圆支撑盘上，对晶圆的背面进行打磨减薄，得到晶圆减薄片，最后再去除晶圆减薄片正面的研磨保护膜。通过将晶圆的平边设置在与晶圆的110晶向相垂直的方向上，以使晶圆在减薄过程中，平边出现缺口时产生的微裂纹仅在沿平行于平边的方向扩展，而不会扩展至晶圆的中心，避免了在晶圆减薄过程中产生裂片，提高了晶圆背面减薄的良率
一种背面方法

[发明专利]晶圆背面减薄方法-CN201610107954.1在审
发明人：雷通 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆背面减薄方法，包括：第一步骤：提供待减薄晶圆；第二步骤：去除待减薄晶圆背面的损伤层；第三步骤：对待减薄晶圆背面进行氢离子注入；第四步骤：使得待减薄晶圆在于大于300℃的温度下进行退火，由此使得注入到待减薄晶圆背面的氢离子在晶圆中形成气泡，进而导致待减薄晶圆在气泡处发生分离，以使得硅薄层从待减薄晶圆分离下来；第五步骤：取走分离下来的硅薄层；第六步骤：判断待减薄晶圆的厚度是否大于第一预定厚度，而且如果待减薄晶圆的厚度大于第一预定厚度，则对剩余的待减薄晶圆重复第三步骤至第五步骤。
背面方法

[发明专利]一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺-CN202310310908.1有效
发明人：唐义洲;王中健 -专利权人：成都功成半导体有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺，属于半导体加工技术领域。本发明提供的晶圆减薄制程加工工艺，包括：对晶圆进行修边工艺；对载片进行激光开槽，在载片正面形成深槽；对晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；对晶圆和载片进行临时键合工艺；对晶圆进行第一次减薄处理；对减薄后的晶圆和载片进行解键合工艺；对减薄后的晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；对减薄后的晶圆和载片进行临时键合工艺；对减薄晶圆进行第二次减薄处理。本发明提供的晶圆减薄制程加工工艺，采用激光开槽、多次临时键合与减薄结合的形式，防止晶圆在减薄过程中出现碎片以及键合胶层严重变薄现象，保证制程的稳定性和重复性。
一种及其晶圆减薄制程加工工艺

[发明专利]晶圆背面减薄方法-CN200710046484.3无效
发明人：黄河;高大为;蒲贤勇;毛剑宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种晶圆背面减薄方法，包括，对于晶圆背面进行研磨达到研磨停止厚度；去除两片晶圆粘合时或晶圆置于支撑载体上时的晶圆边缘间隙范围的晶圆圆周边缘；对于晶圆背面进行研磨达到减薄厚度。所述晶圆背面减薄方法由于解决了晶圆背面减薄时容易使晶圆边缘发生弯曲甚至断裂的问题，从而提高了晶圆减薄的质量。
背面方法

[发明专利]晶圆减薄方法-CN201210333127.6有效
发明人：邢家明;洪齐元 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆减薄方法，所述晶圆减薄方法包括：提供晶圆，并在所述晶圆中形成阻挡层；利用磨削工艺减薄晶圆；利用化学机械研磨工艺减薄晶圆至所述阻挡层。利用阻挡层标示出晶圆需要减薄到的位置，由此，利用化学机械研磨工艺便能实现对晶圆的减薄精度要求，避免了对于湿法刻蚀工艺的使用，由此也就避免了湿法刻蚀工艺所带来的一些缺陷，提高了晶圆减薄工艺的可靠性。
晶圆减薄方法

[发明专利]一种大尺寸晶圆片减薄工艺-CN202110015809.1有效
发明人：刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种大尺寸晶圆片减薄工艺，包括：执行对晶圆片的厚度进行单面减薄；减薄时，用于减薄晶圆片厚度的砂轮磨盘与晶圆片交叉叠放接触，以设定减薄后厚度目标值分阶段地对晶圆片逐层进行减薄，并实时采用测厚针与晶圆片表面连续接触以监测晶圆片减薄后的厚度值；当减薄后厚度目标值与厚度最终值的差值为2‑5μm时，测厚针远离晶圆片直至减薄结束；同时，在设定转速情况下磨盘仍以前一阶段的进给速度一旋转若干圈，再向远离晶圆片一侧移动一定距离，停止旋转；再在同一设定转速条件下，以进给速度二向靠近晶圆片一侧的方向移动，并以进给速度二对晶圆片厚度进行减薄，直至减薄结束。本发明晶圆片平坦度在1μm内，破片率降低0.009％，单面减薄时间提高17％。
一种尺寸晶圆片减薄工艺

[发明专利]晶圆的减薄方法-CN200910197079.0有效
发明人：黄河;高大为;蒲贤勇;陈轶群;刘伟;谢红梅;杨广立;钟旻 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的减薄方法，包括下列步骤：提供待减薄的半导体晶圆；对所述晶圆表面进行研磨减薄，直至停止厚度；对所述晶圆表面进行喷雾腐蚀减薄，直至预定减薄厚度。本发明采取分步减薄的方式，先使用机械研磨进行初步减薄至停止厚度；再采用喷雾腐蚀进一步减薄至预定减薄厚度，使得晶圆在减薄过程中，避免因机械研磨所产生的应力损坏晶圆，减少晶圆边缘的断裂现象，并改善晶圆表面平整度
方法

[发明专利]一种晶圆减薄方法-CN202110645550.9有效
发明人：张韶轩;温虎;郭靖 -专利权人：东莞安晟半导体技术有限公司;东莞铭普光磁股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆处理技术领域，具体涉及一种晶圆减薄方法，取一衬底进行预处理；在待处理的晶圆表面覆上胶体层，测量胶体层的厚度，控制胶体层的厚度在预定范围内；将晶圆粘接在衬底上并对晶圆进行减薄处理，待减薄处理完成后使晶圆和衬底进行分离以此先将晶圆粘接在衬底上再对晶圆进行减薄处理，使得衬底在减薄处理过程中能为晶圆提供支撑，可以有效降低减薄时晶圆碎裂的风险，提高晶圆的生产质量，有利于提高产品的良品率。
一种晶圆减薄方法

[发明专利]一种晶圆搬运装置及晶圆减薄设备-CN202010365306.2在审
发明人：秦乐;李海林 -专利权人：南通通富微电子有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆搬运装置及晶圆减薄设备，其中晶圆减薄装置包括吸盘组件，所述吸盘组件的中心部位设置有盘面朝下的真空吸盘，所述真空吸盘用于吸附晶圆的中心位置，且所述真空吸盘的盘面面积不大于待吸附晶圆表面面积的四分之一，通过较小的真空吸盘牢固吸附晶圆的中心位置，避免了在搬运过程中晶圆的脱落，通过吸盘组件对晶圆按压使翘曲的晶圆贴合在晶圆减薄平台上，使晶圆减薄平台可牢固吸附晶圆，从而使晶圆减薄设备可自动对翘曲的晶圆进行减薄，可提高设备的工作效率，保证晶圆的产品质量。
一种搬运装置晶圆减薄设备

[发明专利]晶圆背面减薄工艺-CN200710042458.3有效
发明人：黄河;陈建华;高大为;毛剑宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆背面减薄工艺，包括在两片晶圆的边缘间隙或晶圆与支撑载体的边缘间隙填入填充物质，然后对于晶圆背面进行研磨来减薄晶圆厚度，并在研磨完成后对于晶圆背面进行抛光。本发明晶圆背面减薄工艺使得晶圆边缘不致发生弯曲或者断裂，提高了晶圆减薄的质量。
背面工艺

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