专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]谱图数据的匹配检索方法、系统、电子设备和存储介质-CN202310590733.4有效
  • 王薇;杨柳青;彭雨洁;王中健 - 药融云数字科技(成都)有限公司
  • 2023-05-24 - 2023-08-04 - G06F16/907
  • 本发明公开了谱图数据的匹配检索方法、系统、电子设备和存储介质,方法包括以下步骤:获取待检索的第一谱图数据,第一谱图数据包括多个检索峰值数据;同时获取数据标准性要求;根据预设阈值,将每个检索峰值数据扩展为对应个数的范围值;利用范围值在对应的谱图数据库中进行检索,获取谱图数据库中的第二谱图数据,其中第二谱图数据的多个匹配峰值数据能够分别落入对应范围值;根据数据标准性要求展示第二谱图数据。本发明对核磁共振谱谱图、红外光谱谱图和质谱谱图的多个检索峰值数据进行检索,使得得到的第一谱图数据在可接受误差范围内的波动的情况下也能够进行检索,同时设置了数据标准性要求的选择,从而满足用户的不同需求。
  • 数据匹配检索方法系统电子设备存储介质
  • [发明专利]一种医学文献查找方法、系统、存储介质及终端-CN202310306749.8在审
  • 王帅;王中健;朱凌峰 - 药融云数字科技(成都)有限公司
  • 2022-12-27 - 2023-06-23 - G06F16/33
  • 本发明公开了一种医学文献查找方法、系统、存储介质及终端,包括:将医学文献中常用词语进行标准化处理,构建规范词表;通过主题模型生成文献的主题集以及主题词集;对输入的检索式进行清洗,得到无序检索词表;遍历匹配所述规范词表,将无序检索词表中的检索词替换为匹配后的规范词,得到规范检索词表,并对规范检索词表中的检索词分配权重;选取其中每一个与规范检索词表中检索词相关的主题词对应的主题,形成各自的主题特征向量;将所述规范检索词表转换为检索式特征向量;计算检索式特征向量和每个主题特征向量的相似度,抽取其中相似度大于一定阈值的主题对应的文献。本发明通过主题揭示文献提高了检索的全面性和准确性。
  • 一种医学文献查找方法系统存储介质终端
  • [发明专利]一种具有p沟道的GaN基HEMT器件的制备方法-CN202310441727.2在审
  • 王中健;曹远迎 - 成都功成半导体有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-06-23 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种具有p沟道的GaN基HEMT器件的制备方法,所述方法包括:在金刚石衬底上键合硅薄膜,所述硅薄膜的厚度为20nm‑200nm;在所述硅薄膜上外延生长GaN层;在所述GaN层上外延生长AlGaN层,在所述AlGaN层上生长p‑GaN层及工艺保护层;在GaN HEMT功率器件一侧的金刚石衬底上形成钝化层;在钝化层以及工艺保护层上生长BaF2层作为介质层;对BaF2层进行选择性刻蚀,使用lift‑off工艺去除p‑GaN层上面的SiO2层和BaF2层;分别在金刚石区域和GaN区制造源极,漏极和栅极,得到最终的器件。本发明将超薄硅层与金刚石衬底键合然后外延GaN,有效提高键合质量和成功率,同时,金刚石通过H离子钝化形成的钝化层,解决GaN器件单片集成的技术难题。
  • 一种具有沟道ganhemt器件制备方法
  • [发明专利]一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺-CN202310310908.1有效
  • 唐义洲;王中健 - 成都功成半导体有限公司
  • 2023-03-28 - 2023-06-13 - H01L21/304
  • 本发明公开了一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺,属于半导体加工技术领域。本发明提供的晶圆减薄制程加工工艺,包括:对晶圆进行修边工艺;对载片进行激光开槽,在载片正面形成深槽;对晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边;对晶圆和载片进行临时键合工艺;对晶圆进行第一次减薄处理;对减薄后的晶圆和载片进行解键合工艺;对减薄后的晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边;对减薄后的晶圆和载片进行临时键合工艺;对减薄晶圆进行第二次减薄处理。本发明提供的晶圆减薄制程加工工艺,采用激光开槽、多次临时键合与减薄结合的形式,防止晶圆在减薄过程中出现碎片以及键合胶层严重变薄现象,保证制程的稳定性和重复性。
  • 一种及其晶圆减薄制程加工工艺
  • [发明专利]一种使用金刚石衬底的高导热HEMT器件及其制备方法-CN202310441730.4在审
  • 王中健;曹远迎 - 成都功成半导体有限公司
  • 2023-02-23 - 2023-06-06 - H01L21/335
  • 本发明公开了一种使用金刚石衬底的高导热HEMT器件及其制备方法,包括在硅衬底上生长金刚石薄膜层;在金刚石薄膜层中开窗,得到第一开窗,第一开窗贯穿所述金刚石薄膜层;在第一开窗中的硅衬底上生长外延层,制作欧姆接触,并通过临时键合的方式将硅衬底替换为金刚石衬底;继续生长所述金刚石薄膜层,使得金刚石薄膜层完全覆盖所述外延层和欧姆接触;在欧姆接触上方的金刚石薄膜层上开窗,得到第二窗口,在AlGaN层上方的金刚石薄膜层上开窗,得到第三窗口;在第二窗口中制作源极和漏极,在第三窗口中制作栅介质,并制作栅极,得到GaN HEMT功率器件。通过将金刚石散热区设计在器件的周围及表面,避免键合问题,可以根据实际功率需要,灵活设定散热区域的面积,取得性能和产出的优化。
  • 一种使用金刚石衬底导热hemt器件及其制备方法
  • [发明专利]一种基于金刚石衬底的HEMT器件及其制备方法-CN202310441731.9在审
  • 王中健;曹远迎 - 成都功成半导体有限公司
  • 2023-02-23 - 2023-06-06 - H01L21/335
  • 本发明公开了一种基于金刚石衬底的HEMT器件及其制备方法,包括在硅衬底上生长金刚石薄膜层;在金刚石薄膜层中开窗,得到第一开窗,第一开窗贯穿所述金刚石薄膜层;在第一开窗中的硅衬底上生长外延层,制作欧姆接触,并通过临时键合的方式将硅衬底替换为金刚石衬底;继续生长所述金刚石薄膜层,使得金刚石薄膜层完全覆盖所述外延层和欧姆接触;在欧姆接触上方的金刚石薄膜层上开窗,得到第二窗口,在AlGaN层上方的金刚石薄膜层上开窗,得到第三窗口;在第二窗口中制作源极和漏极,在第三窗口中制作栅介质,并制作栅极,得到GaN HEMT功率器件。通过将金刚石散热区设计在器件的周围及表面,避免键合问题,可以根据实际功率需要,灵活设定散热区域的面积,取得性能和产出的优化。
  • 一种基于金刚石衬底hemt器件及其制备方法
  • [发明专利]一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法-CN202310300874.8有效
  • 唐义洲;王中健 - 成都功成半导体有限公司
  • 2023-03-27 - 2023-06-06 - H01L21/31
  • 本发明公开了一种SiC晶圆自动键合热氧生长方法,包括热氧第一次生长、先减薄后CMP抛光,热氧第二次生长、湿法刻蚀、减薄、激光退火,热氧第三次生长、减薄,热氧第四次生长、湿法刻蚀、减薄和激光退火。本发明将采用4种不同类型二氧化硅进行多次热氧生长,并采用热氧生长、湿法刻蚀、CMP抛光以及激光退火等相结合方式消除晶圆在热氧生长中的内应力,在保证热氧生长厚度的同时采用湿法刻蚀、CMP抛光以及激光退火方式等消除晶圆内应力。本发明防止内应力聚集出现的晶圆翘曲进而避免晶圆在键合时产生空洞现象,对后续的进一步减薄制程产生影响;这样保证后续的减薄等制程的稳定性,提升生产制造良率。
  • 一种sic自动键合热氧生长方法

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