“脉冲偏压”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果219236个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种适用于超音频脉冲电子束焊接的偏压电源装置-CN201110141331.3有效
发明人：许海鹰;左从进;邱灵;郭光耀;王永锋 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： B23K15/02 文献下载
摘要：本发明是一种适用于超音频脉冲电子束焊接的偏压电源装置，它是由降压整流滤波电路、峰值偏压产生电路、基值偏压产生电路、峰值脉冲偏压切换电路、基值脉冲偏压切换电路组成，峰值偏压产生电路产生的峰值偏压Up在峰值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q5开通，基值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q6关断时，峰值脉冲偏压Upp作用在电子枪的栅极，获得峰值脉冲束流Ipp，基值偏压产生电路产生的基值偏压Ub在峰值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q5关断，基值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q6开通时，基值脉冲偏压Ubp作用在电子枪的栅极，获得基值脉冲束流Ibp。本发明超音频脉冲电子束焊接的偏压电源装置可以实现脉冲偏压频率≥20kHz，相应的使脉冲束流的频率≥20kHz。
一种适用于音频脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]一种适用于高频脉冲电子束焊接的偏压电源装置-CN201210345485.9无效
发明人：齐铂金;徐国宇 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： B23K15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高频脉冲电子束焊接的偏压电源装置，该装置包括基值偏压产生模块、高频脉冲偏压产生模块、脉冲宽度调制模块和驱动电路模块。其中，基值偏压产生模块和高频脉冲偏压产生模块采用两路独立电路串联构成，既能够实现高频脉冲束流焊接，又能够实现常规连续束流焊接，同时有利于高频脉冲偏压基值和高频脉冲偏压幅值调节和高频脉冲波形的精确控制；并且高频脉冲偏压产生模块通过控制前级低压电路的方式实现后级高压最终高频脉冲偏压输出，比在高压端调节生成高频脉冲方式更加方便、安全和可靠。
一种适用于高频脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源-CN201910441985.4在审
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;熊涛;姜亚南;贺岩斌;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H02M9/06 文献下载
摘要：本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源。该电源可以输出所需要的不同输出波形特性的直流负偏压、单极性脉冲负偏压、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压。并且，负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比可调节，直流叠加脉冲负偏压的直流电压幅度可调节，负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式两种模式可设置，正脉冲电压幅度和占空比可调节。
负偏压可调节等离子体镀膜单极性脉冲双极性脉冲偏压电源直流叠加复合式占空比电力电子技术领域脉冲电压幅度直流电压幅度直流叠加脉冲自动控制技术低压大电流正脉冲电压直流负偏压偏压模式输出波形非对称电源输出

[实用新型]一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源-CN201920776684.2有效
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;熊涛;姜亚南;贺岩斌;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H02M9/06 文献下载
摘要：本实用新型属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源。该电源可以输出所需要的不同输出波形特性的直流负偏压、单极性脉冲负偏压、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压。并且，负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比可调节，直流叠加脉冲负偏压的直流电压幅度可调节，负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式两种模式可设置，正脉冲电压幅度和占空比可调节。
负偏压可调节单极性脉冲双极性脉冲直流叠加占空比电力电子技术领域等离子体镀膜脉冲电压幅度直流电压幅度直流叠加脉冲自动控制技术本实用新型低压大电流正脉冲电压直流负偏压偏压电源偏压模式输出波形非对称复合式电源输出

[发明专利]一种适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置-CN201110272609.0无效
发明人：齐铂金;徐国宁 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： B23K15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置，该偏压电源装置包括偏压基值产生模块、偏压脉冲产生模块、电压闭环电路、PWM电路和驱动电路。偏压基值产生模块的输出正极串联到60kV～150kV高压电源的输出负极，偏压基值产生模块输出负极和偏压脉冲产生电路输出正极串联，偏压脉冲产生电路输出负极串联到电子枪的栅极，该装置与高压电源和阴极加热电源共同作用产生幅值、占空比和频率均可调节的脉冲束流。
一种适用于脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置及脉冲电子束焊机-CN201610351675.X有效
发明人：齐铂金;范霁康 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： B23K15/02 文献下载
摘要：适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置及脉冲电子束焊机，其中，该偏压电源装置包括基值生成电路，其用于产生第一直流电压，其输出端正极形成偏压电源装置的电源正极；脉冲生成电路，其输出端正极与基值生成电路的输出端负极连接，输出端负极形成偏压电源装置的电源负极，用于产生脉冲电压，以使得第一直流电压与脉冲电压叠加形成所需要的偏置电压。该偏压电源装置的基值生成电路与脉冲生成电路彼此相互独立、互不干扰，这样有利于实现对脉冲偏压基值和峰值的精确调节。
适用于脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜的方法-CN202210485242.9有效
发明人：田修波;王本福;巩春志 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜(ta‑C)的方法，本发明是为了解决ta‑C碳膜制备过程中较高的固有应力，限制了碳膜厚度的问题。沉积厚的ta‑C的方法：一、真空室内石墨阴极靶材与脉冲阴极弧电源连接，工件基体与工件脉冲偏压电源相连接；二、抽真空通入氩气，通过脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制放电模式沉积ta‑C碳膜，其中工件偏压脉冲中先施加多段正向短脉冲，之后的多段负向工件偏压脉冲与脉冲阴极弧多段正向脉冲保持同频率和脉宽工作。本发明通过多段正向偏压脉冲排斥Ar+离子，规避Ar+离子对膜层的轰击夯实作用，降低薄膜应力。通过多段脉冲的设计有效地控制了薄膜沉积过程中的膜层温度。
脉冲阴极工件偏压协同控制沉积四面体非晶碳膜方法

[发明专利]SIPM探测器的偏压调节方法、电路和激光雷达设备-CN202111369204.9在审
发明人：冯奥凯;胡攀攀 -专利权人：武汉万集光电技术有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明提出一种SIPM探测器的偏压调节方法、电路和激光雷达设备，SIPM探测器的偏压调节方法中，先对SIPM探测器的模拟输出信号进行波形整形，并对整形得到的脉冲方波信号的上升沿和下降沿进行计数和计时，从而得到脉冲方波信号的脉冲信号的个数和脉冲宽度，根据脉冲方波信号的个数和脉冲宽度确定预设时间段内SIPM探测器的暗计数率，进而根据暗计数率、温度和偏压之间的关系确定SIPM探测器的偏压大小，提高了温度检测精度和获取偏压大小的准确性。
sipm 探测器偏压调节方法电路激光雷达设备

[发明专利]一种脉冲极化偏压下制备CdTe薄膜及其太阳电池工艺-CN202111087702.4在审
发明人：宋慧瑾;鄢强 -专利权人：成都大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：采用脉冲激光沉积技术极化偏压下在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜，不同沉积温度下制备CdTe薄膜。在最佳退火温度下，使用脉冲激光沉积技术在沉积薄膜的过程中引入极化脉冲偏压制备CdTe薄膜并应用到电池器件中，本发明的积极效果：相对于不加脉冲偏压制备的CdTe薄膜太阳电池，加入极化偏压后所制备的太阳电池的性能参数均得到有效提升，随着脉冲偏压的升高CdTe薄膜的结晶度提升。在适当的衬底温度以及脉冲偏压条件下，沉积出来的CdTe薄膜表面更加致密，结晶性更好。
一种脉冲极化偏压制备 cdte 薄膜及其太阳电池工艺

[发明专利]多级磁场直管磁过滤与脉冲偏压复合的电弧离子镀方法-CN201310226754.4有效
发明人：魏永强;宗晓亚;蒋志强;文振华;陈良骥 -专利权人：魏永强
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：多级磁场直管磁过滤与脉冲偏压复合的电弧离子镀方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决弧源上施加磁过滤引起等离子体传输效率低和脉冲偏压不能彻底清除大颗粒的问题。本发明方法包括：一、将工件接脉冲偏压电源，电弧离子镀靶源接靶电源，在靶源前接多级磁场直管磁过滤装置；二、薄膜沉积：待真空室内气压小于10-2Pa时，通入工作气体至0.01～10Pa；开启脉冲偏压电源，调节脉冲偏压幅值、频率和占空比；开启靶电源，产生等离子体；开启多级磁场直管磁过滤装置，实现大颗粒的清除和等离子体在磁过滤装置中的高效传输；调节工艺参数，快速制备无大颗粒缺陷的薄膜；三、采用单级磁场结合直流/脉冲偏压，获得一定厚度的薄膜
多级磁场直管磁过滤脉冲偏压复合电弧离子镀方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN200910137115.4有效
发明人：陈逸舟;林昱佑 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，该方法包含：向存储单元施加复位偏压配置，以使电阻状态自较低电阻状态改变至较高电阻状态；所述复位偏压配置包括第一电压脉冲；所述方法更包含向所述存储单元施加设定偏压配置，以使电阻状态自较高电阻状态改变至较低电阻状态；所述设定偏压配置包括第二电压脉冲，所述第二电压脉冲具有与所述第一电压脉冲的电压极性不同的电压极性。
存储器装置及其操作方法

[实用新型]一种脉冲偏压控制系统-CN202122864157.7有效
发明人：吴如切 -专利权人：吴如切
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H02M7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脉冲偏压控制系统，涉及偏压电源技术领域，包含DSP控制器、脉冲合成电路、第一功率放大电路、第二功率放大电路、第一整流电路、第二整流电路、PWM芯片。其选取高速DSP数字处理芯片实现脉冲束流基值，峰值向偏压基值、峰值的转化，根据输入脉冲频率、占空比，可以调节脉冲束流的输出，并通过PWM发生芯片，输出100kHz以上的基波,由DSP输出脉冲合成的模式，再经由大功率运放、基值、峰值串联整流电路可以获得脉冲偏压输出，继而实现对脉冲束流输出的调控，从而获得一熔滴一脉冲的熔丝成形效果。
一种脉冲偏压控制系统

[其他]用于控制脉冲功率放大器中的偏压的系统-CN201690001340.9有效
发明人： R·雅利斯 -专利权人：菲力尔系统公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：用于自动控制脉冲功率放大器中的偏压的系统和方法包括用于测量放大器中的电流、将测量值与期望值相比较、修改偏压并且控制施加给功率放大器的偏压的部件。电路控制脉冲期间栅偏压(Vg)的水平，例如用脉宽调制器。在启用偏压之后但在信号脉冲之前登记放大器电流的测量。驱动控制逻辑实现控制算法以用于在脉冲中间且及时调整栅值以用于下一个脉冲。
测量放大器电流功率放大器脉冲电流转换成电压脉冲功率放大器电路控制脉冲驱动控制逻辑测量放大器脉宽调制器参考电压测量电路控制脉冲控制算法信号脉冲比较器栅偏压施加期望

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202111247505.4在审
发明人：大下辰郎;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其利用施加到偏压电极的电压脉冲来控制冲击基片的离子的能量。公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、等离子体生成部和偏压电源。基片支承器设置在腔室内，包含偏压电极。等离子体生成部构成为能够在腔室内从气体生成等离子体。偏压电源构成为与偏压电极电连接，能够生成施加到偏压电极的多个电压脉冲的序列。多个电压脉冲分别具有从基准电压电平转变为脉冲电压电平的前沿期间和从脉冲电压电平转变为基准电压电平的后沿期间，前沿期间的时间长度和后沿期间的时间长度中的至少一者比0秒长，且为0.5μ秒以下。
等离子体处理装置方法

[发明专利]光检测装置以及电子设备-CN201780031869.4有效
发明人：清水隆行 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：光检测装置(1)包括SPAD偏压控制块(20)，所述SPAD偏压控制块(20)利用脉冲信号的脉冲数来调整反向偏置电压，所述脉冲信号由第一光(4)的入射而从SPAD阵列(8)输出。
检测装置以及电子设备

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条