“胶去除”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1048931个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光刻胶去除腔的清洗方法-CN202210966068.X在审
发明人：张硕;吴长明;冯大贵;余鹏;孙建;李先宏;尚柯 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻胶去除腔的清洗方法。光刻胶去除腔的清洗方法包括以下步骤：在对各组晶片组进行光刻胶去除工艺前，对所述光刻胶去除腔进行加温预处理，通过还原反应去除沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；在所述光刻胶去除腔中，对在前晶片组进行光刻胶去除工艺；在对在后晶片组进行光刻胶去除工艺前，通过还原反应去除对在前晶片组进行光刻胶去除工艺过程中沉积在所述光刻胶去除腔中的聚合物；所述在后晶片组与所述在前晶片组为相邻两组晶片组，每组所述晶片组包括多张晶片；在所述光刻胶去除腔中，对在后晶片组进行光刻胶去除工艺。本申请可以解决相关技术中随着工艺的进行，去除腔上的聚合物逐渐堆积的问题。
光刻去除清洗方法

[发明专利]掩膜版和利用掩膜版制备薄膜晶体管的方法-CN201510122578.9有效
发明人：刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该掩膜版包括掩膜版主体，所述掩膜版主体具有图案区域，所述图案区域包括用于去除部分光刻胶的光刻胶部分去除区域；用于去除全部光刻胶的光刻胶完全去除区域；以及在光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去除区域之间、与光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去除区域邻接的用于保留光刻胶的第一光刻胶保留区域，第一光刻胶保留区域用于调整与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。采用本发明的技术方案，改善了与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。
掩膜版利用制备薄膜晶体管方法

[发明专利]一种芯片封装溢胶去除装置-CN202311012422.6在审
发明人：张孝忠;田文超 -专利权人：山东汉芯科技有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装溢胶去除装置，涉及溢胶去除技术领域，包括溢胶去除单元以及用于驱使溢胶去除单元移动使溢胶去除单元完成对溢胶去除的第一驱动装置，所述溢胶去除单元包括从上至下依次设置的溢胶分离机构以及吸胶机构本发明在刮胶步骤和铲胶步骤中分别通过矩形刮胶件和铲胶板以刮除的方式将溢胶与芯片和封装基板分离，其能更彻底的将溢胶与芯片和封装基板分离，避免吸胶时溢胶残留在芯片和封装基板上，并且溢胶与芯片和封装基板分离后被截留在由铲胶板封堵的条状溢胶截留槽内，当吸胶机构工作时，条状溢胶截留槽相当于一个储存溢胶的通道，吸胶机构能快速将溢胶吸走，不仅能提升溢胶的除去效果，而且还能提升溢胶的去除效率。
一种芯片封装去除装置

[发明专利]光刻胶的去除方法-CN201210262373.7有效
发明人：李俊良 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光刻胶的去除方法，所述方法利用在去除光刻胶的过程中，当压强在特定压强范围内变动和/或电源功率在特定电源功率范围内变动时，边缘位置光刻胶的去除速率与中央位置光刻胶的去除速率之差会减小，使光刻胶的去除均匀性会有明显改变的原理，通过不断调整压强和/或电源功率来获得多个光刻胶的去除均匀性，获取最小光刻胶去除均匀性所对应的压强及电源功率，根据所获得的压强及电源功率来设置光刻胶的去除工艺条件，使得待形成电路图形的半导体器件上的光刻胶去除更为均匀
光刻去除方法

[发明专利]一种去除光刻胶的方法-CN202110781768.7在审
发明人：赵利芳;杨云春;马琳 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种去除光刻胶的方法，包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、烘烤、显影和硬烤处理，以形成刻蚀区域；去除牺牲层，以使得牺牲层和光刻胶层被剥离去除，进而能够在经过硬烤处理之后，将不容易去除的光刻胶层，通过去除牺牲层的方式，将光刻胶层去除，进而有效去除光刻胶层。
一种去除光刻方法

[发明专利]一种硅片表面残胶去除方法-CN202210207396.1在审
发明人：付少华;李方乐;魏辉;苏新意;曾伟豪;杜德良;郝红月;宋雪;史丹梅;何鹏;王新伟;刘超;李彦南;李天龙;艾传令;刘嘉琪 -专利权人：天津市环欧新能源技术有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片表面残胶去除方法，步骤包括：将带有残胶的硅片放在片腔中加热以软化残胶；待软化完成后移出片腔，再在设定时间内去除残胶。本发明一种硅片表面残胶去除方法，通过将带有残胶的硅片放置在具有自动加热的密闭环境中进行加热软化，以达到批量地去除残胶的目的，残胶去除速度快且去除效果好，无胶印残留，尤其是在加热温度为100‑150℃且在取出
一种硅片表面去除方法

[发明专利]晶圆处理装置及晶圆处理方法-CN202010228540.0在审
发明人：李世鸿 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：该发明涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法，其中所述晶圆处理装置具有喷淋单元用于喷淋光刻胶去除液以去除光刻胶，还包括加热单元，安装至所述喷淋单元，用于使所述光刻胶去除液升温至一预设温度。本发明的晶圆处理装置及晶圆处理方法对光刻胶去除液进行了加热，使光刻胶去除液的温度达到一预设温度，使得所述光刻胶去除液溶解光刻胶的速度更快，溶解的也更彻底，能够更彻底的去除所述晶圆表面的光刻胶，提高晶圆的良率
处理装置方法

[实用新型]贝类裙边去除单元与去除单元组-CN202121676742.8有效
发明人：李硕 -专利权人：诸城市玖壹机械有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： A22C29/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种贝类裙边去除单元和多个去除单元组成的去除单元组。该去除单元包括主动胶辊和从动胶辊；主动胶辊和从动胶辊上均设置有沿其轴向延伸的若干条形齿；主动胶辊的条形齿与从动胶辊的条形齿相互啮合；主动胶辊和从动胶辊相同一端安装有相互啮合的齿轮；主动胶辊未安装所述齿轮的另一端为驱动端本申请提供的贝类裙边去除单元使得包含该贝类裙边去除单元的贝类裙边去除机通过对贝肉裙边的自动去除节省了人力，提高了贝类裙边去除的加工效率。
贝类去除单元

[发明专利]去除光刻胶层的方法-CN201110216810.7无效
发明人：刘焕新;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种去除光刻胶层的方法，包括：提供包含硅原子的基底；所述基底表面形成有光刻胶层，所述光刻胶层内至少包括掺杂离子和硅原子；采用湿法刻蚀工艺去除所述光刻胶层，所述湿法刻蚀工艺采用的化学试剂至少包括去除掺杂离子的第一试剂、去除硅原子和/或硅的氧化物的第二试剂。本发明实施例的去除光刻胶层的方法简单有效，光刻胶层去除的彻底。
去除光刻方法

[发明专利]一种光刻胶去除装置及其清洗方法-CN201611162303.9在审
发明人：梁洁;叶如彬;吴磊;李双亮 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶去除装置，包含：光刻胶去除腔室；所述光刻胶去除腔室内的顶部设有喷头，向光刻胶去除腔室内引入清洁气体；沿着所述光刻胶去除腔室的侧壁内侧覆盖设置垫板；所述垫板内嵌入设置电极线圈；该电极线圈上施加有高压射频电源，在垫板表面形成DBD等离子体，以对光刻胶去除腔室内部，尤其对垫板表面进行等离子体清洗。本发明采用DBD等离子体进行腔内清洗，能完全清除其上沉积附着的光刻胶残余反应物，损伤极小，且有效提高光刻胶去除装置的稳定性。
光刻胶去除光刻胶去除装置等离子体垫板表面电极线圈垫板腔室清洗喷头等离子体清洗高压射频电源室内光刻胶残余嵌入设置腔室内部清洁气体反应物胶去除侧壁腔内沉积附着损伤施加引入覆盖

[发明专利]空气桥立体电路及其制作方法-CN201110157240.9无效
发明人：丁万春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种空气桥立体电路及其制作方法，包括：提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个焊垫；在衬底和焊垫表面形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光以在第一光刻胶层中形成第一待去除区，第一待去除区分别与各焊垫上方的区域对应；在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，对第二光刻胶层曝光以在第二光刻胶层中形成第二待去除区，第二待去除区为包括对应于各第一待去除区上方和相邻第一待去除区之间的区域；去除第一待去除区中的第一光刻胶层和第二待去除区中的第二光刻胶层，以形成空气桥图案；在空气桥图案中填充金属以形成空气桥立体电路；去除剩余的第一光刻胶层和第二光刻胶层。
空气立体电路及其制作方法

[发明专利]一种去除石墨烯上光刻胶的方法-CN201610459777.3在审
发明人：狄增峰;贾鹏飞;薛忠营;郑晓虎;王刚;马骏;张苗;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种去除石墨烯上光刻胶的方法，包括：提供表面具有石墨烯的衬底；在所述石墨烯上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂覆光刻胶，并进行需要光刻胶的后续工艺处理；利用丙酮浸泡去除部分所述光刻胶；利用氢氟酸浸泡去除所述氮化硅层及剩余的光刻胶本发明的方法，在石墨烯与光刻胶之间插入一层氮化硅层，利用氢氟酸去除氮化硅层，从而通过去除氮化硅层可有效带走其上难以去除的光刻胶。插入的氮化硅层不会影响后续带胶工艺，易腐蚀，方便去除，且不会对石墨烯造成不利影响，避免了传统打胶处理对石墨烯造成的损伤。
一种去除石墨光刻方法

[发明专利]一种贝类裙边去除机-CN202110831926.5有效
发明人：李硕 -专利权人：诸城市玖壹机械有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： A22C29/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种贝类裙边去除机。该去除机包括至少一个贝类裙边去除单元，该单元包括主动胶辊和从动胶辊；主动胶辊和从动胶辊上均设置有沿其轴向延伸的若干条形齿；主动胶辊的条形齿与从动胶辊的条形齿相互啮合；主动胶辊和从动胶辊相同一端安装有相互啮合的齿轮；主动胶辊未安装所述齿轮的另一端为驱动端。本申请提供的贝类裙边去除机通过对贝肉裙边的自动去除节省了人力，提高了贝类裙边去除的加工效率。裙边去除系统配合传输系统则进一步实现了进出料的自动传输，从而使得加工效率得到更大的提高。
一种贝类去除

[实用新型]一种晶圆表面硬胶清洁自动化设备-CN202123006958.6有效
发明人：方玉龙 -专利权人：昆山超瀚电子科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆表面硬胶清洁自动化设备，包括安装架、进料储物盒、表面硬胶去除机构、侧面硬胶去除机构、用于清洗晶圆片的清洗机构、用于检测晶圆片的视觉检测机构、成品储物盒、机械手；所述机械手安装于安装架的安装平台上；所述进料储物盒、表面硬胶去除机构、侧面硬胶去除机构、清洗机构、视觉检测机构、成品储物盒依次环绕所述机械手布局；所述机械手可携带晶圆片依次经过表面硬胶去除机构、侧面硬胶去除机构、清洗机构、视觉检测机构，本实用新型可分别实现表面硬胶去除、侧面硬胶去除、清洗液清洗、视觉检测等功能，满足自动化生产的需求，生产效率较高。
一种表面清洁自动化设备

[发明专利]光刻胶的去除方法-CN201210077046.4无效
发明人：王兆祥;杜若昕;杨平;刘志强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种光刻胶的去除方法，包括：提供基底，所述基底表面依次具有刻蚀阻挡层、低k介质层和图案化的掩膜层，其中掩膜层至少包括有机光刻胶层，所述低k介质层内具有暴露出刻蚀阻挡层的开口，所述开口暴露出的刻蚀阻挡层表面具有含氟的聚合物层；采用第一光刻胶去除工艺去除部分有机光刻胶层的同时将含氟的聚合物层中的氟释放；采用第二光刻胶去除工艺去除剩余的有机光刻胶层。本发明实施例的光刻胶去除方法去除有机光刻胶效果佳且不会损伤低k介质层。
光刻去除方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条