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[发明专利]一种芯片背面金属化夹具及芯片背面金属化方法-CN202110310695.3有效
发明人：任晓宇;郝沄;吴思诚;袁海;耿振海;王明琼;谭晓惠;杨乐 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片背面金属化夹具及芯片背面金属化方法，包括衬底，所述衬底的上端面平行设置有两个第一挡条，所述衬底的上端面还设置有至少两个第二挡条，每个所述第二挡条的一端与一个所述第一挡条的一侧垂直接触，每个所述第二挡条的另一端与另一个所述第一挡条的一侧垂直接触，相邻的两个所述第二挡条之间设置有与待制作金属化膜层的芯片尺寸相匹配的间距；每个所述第一挡条和每个所述第二挡条均采用与所述芯片晶向结构相同的硅片
一种芯片背面金属化夹具方法

[发明专利]利用背面硅化形成双面接触电容器-CN201780049975.5在审
发明人： S·格科特佩里;P·V·科勒夫;M·A·斯图贝;R·哈蒙德;古仕群;S·费恩利 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：背面金属化部可以耦合到电容器的第一板。正面金属化部可以耦合到电容器的第二板。正面金属化部可以布置在距背面金属化部的远端。
电容器第一板背面金属化金属化部耦合到电容器电介质集成电路结构半导体层双面接触栅极层硅化远端背面

[发明专利]一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构-CN202210039284.X在审
发明人：王来利;朱梦宇;杨成子;孔航;郭伟力;杨奉涛;齐志远;伍敏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
一种双面散热芯片倒装气密性耐高温封装结构

[发明专利]一种ITO靶材的背面金属化方法-CN201610165106.6有效
发明人：莫斌;陆映东;武建良;黄誓成 -专利权人：广西晶联光电材料有限责任公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种ITO靶材的背面金属化方法，该方法是将靶材清净，将不需要金属化的部分用耐热薄膜覆盖，放在常温的加热台上，需金属化的一面朝上，将加热台升温至200～230度，使靶材需金属化的一面温度为170～180度，将铟料放置在靶材待金属化的一面，待其熔化后用铜刷均匀地涂满待金属化的一面，然后用超声波涂铟机再均匀地涂2～4遍；用刮板将多余铟料刮干净；自然降温后将靶材取下加热台，去掉薄膜，完成靶材金属化。本发明采用简单的加热台配合超声波涂铟机进行，可以简单高效地完成ITO靶材背面金属化，其优点为：无需昂贵设备、操作简单高效无污染、可进行大面积的金属化，成本低，适合大批量生产。
一种 ito 背面金属化方法

[发明专利]检测半导体芯片背面金属层分离的方法-CN201410260298.X有效
发明人：袁昌发;吕邦贵;袁浩;李建立;叶新民;顾中平 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种检测半导体芯片背面金属层分离的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、在待检测芯片背面金属化层上粘贴一层薄膜：将芯片放在洁净、无颗粒的平台上，将薄膜均匀地粘贴在芯片背面金属化层上；步骤二对贴有薄膜的芯片进行烘烤：将粘贴好的芯片放入烘箱，同时往烘箱内通入氮气进行保护，要求烘箱的温度在80℃~100℃之间，烘烤时间为25分钟至30分钟，氮气要求流量在9L/min~11L/min范围内；步骤三、撕除芯片背面金属化层上的薄膜：将步骤二的芯片从烤箱中取出，冷却5分钟后将粘在芯片背面金属化层上的薄膜揭去。
检测半导体芯片背面金属分离方法

[发明专利]单晶粒减薄背面金属化方法-CN202010158508.X有效
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了单晶粒减薄背面金属化方法，包括如下步骤：步骤一：把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上，晶粒的正面朝上；步骤二：做晶圆级塑封，将所有的晶粒包封在环氧树脂里面，这样制作出树脂晶圆；步骤三：树脂晶圆再用双面胶带粘在衬底晶圆上；步骤四：树脂晶圆背面减薄；步骤五：树脂晶圆背面腐蚀；步骤六：树脂晶圆背面金属化；步骤七：将树脂同晶粒分开，以此来实现单晶粒的减薄和背面金属化。本发明将单晶粒整合成晶圆状；这样才好利用现有的设备进行加工，且减薄和金属化效率高。
晶粒背面金属化方法

[实用新型]光伏电池片及光伏组件-CN201922120677.X有效
发明人：徐洁;闫新春;夏正月;许涛;邢国强 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光伏电池片，设有正面及背面，所述背面被若干细长型的切割区划分成若干电池单元，相邻两个电池单元之间由一切割区隔开，所述电池单元设有金属化区域，而所述切割区为未金属化区域且切割区低于所述金属化区域与现有技术相比，本实用新型通过在电池片背面的每个电池单元之间设置未被金属化的切割区，使激光切割的质量更高，掰片也更加容易，而且切得的每个电池切片质量更加稳定、隐裂更少。
电池组件

[实用新型]一种超声波焊接PIN针的半导体功率模块-CN202022838539.8有效
发明人：徐敏峻 -专利权人：嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超声波焊接PIN针的半导体功率模块，包括半导体功率模块本体，所述半导体功率模块本体主要包括散热基板及设置在散热基板上表面的金属化陶瓷衬底，且金属化陶瓷衬底的面积小于散热基板的面积，该金属化陶瓷衬底背离散热基板的一侧设置有竖直向上延伸的PIN针，金属化陶瓷衬底的发射极上设置有半导体芯片，且所述金属化陶瓷衬底的发射极铜层通过铝线与半导体芯片的阳极相连，所述散热基板的外侧通过密封胶粘合设置有外壳；所述金属化陶瓷衬底由自上而下依次设置的第一铜表面、中间陶瓷层和背面铜层通过金属化陶瓷工艺制成；所述金属化陶瓷衬底的背面铜层通过焊料焊接在所述散热基板上。
一种超声波焊接 pin 半导体功率模块

[发明专利]一种直接共晶式芯片封装结构-CN202210914259.1在审
发明人：孙承呈 -专利权人：朝阳微电子科技股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种直接共晶式芯片封装结构，包括半导体芯片和陶瓷管壳，所述半导体芯片包括芯片本体、芯片背面金属化层和芯片正面金属化层，所述芯片本体下表面设置有芯片背面金属化层，所述陶瓷管壳共晶焊接于芯片背面金属化层的底部该直接共晶式芯片封装结构，芯片背面金属化层与管壳表层镀金层经高温加热后，经过摩擦直接共晶焊接，实现芯片与管壳直接有效连接，直接共晶焊接有利于增强连接牢度，减低电阻抗率，提高电流量和散热能力，且不需要使用合金焊料
一种直接共晶式芯片封装结构

[发明专利]用于改良热性能的具有焊接盖的集成电路封装-CN200780052037.7无效
发明人：扎夫·S·库特路 -专利权人： LSI公司
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：集成电路管芯，包括线路面和与所述线路面相对的背面。在所述背面形成一凸点下金属化层。在所述凸点下金属化层上形成一层焊料。
用于改良性能具有焊接集成电路封装

[发明专利]一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法-CN202210596451.0在审
发明人：叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;许邦泓;萧维彬 -专利权人：滁州钰顺企业管理咨询合伙企业（有限合伙）
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法，包括如下步骤：S1、根据靶材类型确定靶材容器；S2、检查靶材放入靶材容器的位置是否正确；S3、判断靶材添加是否有误；S4、根据靶材类型调节蒸镀制程加热功率；S5、进行晶圆背面金属化蒸镀制程，本发明能够定义靶材异常因素，预防在晶圆背面金属化蒸镀制程时异常发生，防止因晶圆背面金属化蒸镀异常，导致生产良率降低，晶圆重新加工风险提升
一种基于背面金属化防止金属镀层异常方法

[实用新型]一种双面电池正背面金属化图形-CN202122024746.4有效
发明人：杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;申开愉;张云鹏;吕爱武;杜泽霖;李陈阳 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种双面电池正背面金属化图形，该双面电池正面金属化图形和背面金属化图形都包括横向排列的5‑15个彼此间隔相等的隔离的区块，每个区块都包括多根平行且间距相等的横向细栅线和一根垂直于横向细栅线的主栅线，任意一个区块的横向细栅线处于另外一个区块的横向细栅线延长线上，该双面电池正面金属化图形和背面金属化图形中区块成一一对应关系，成一一对应关系的区块中主栅线也一一对应，通过将电池正反面金属化图分割，形成区域化图形，从而将一个太阳能电池分割成独立的过个，避免了各区域之间的干扰
一种双面电池背面金属化图形

[发明专利]电磁偶极子天线-CN201410373641.1有效
发明人：冯波涛;李书芳;刘超;翟翌立 -专利权人：青岛海尔电子有限公司;北京邮电大学
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种电磁偶极子天线，包括两面均布覆有印刷电路的基板，在所述基板的背面布覆有地，在所述基板的正面对称布覆有第一电偶极子金属贴片和第二电偶极子金属贴片；在所述两个电偶极子之间布覆有馈电结构；所述第一电偶极子金属贴片具有第一短路结构，所述第二电偶极子金属贴片具有第二短路结构；所述第一短路结构通过第一金属化过孔与所述基板背面的地连接；所述第二短路结构通过第二金属化过孔与所述基板背面的地连接；所述第一短路结构、第一金属化过孔、第二短路结构、第二金属化过孔和所述第一金属化过孔与第二金属化过孔之间的地，形成磁偶极子。本文公开的电磁偶极子天线将传统的三维结构的电磁偶极子天线改变为二维结构，大大降低了电磁偶极子天线的尺寸，有效地满足电磁偶极子天线小型化的需求。
电磁偶极子天线

[实用新型]光电接收组件用金属-陶瓷同轴封装外壳-CN201020126838.2有效
发明人：李军;张文娟;张志庆;邹勇明;张磊 -专利权人：河北中瓷电子科技有限公司
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光电接收组件用金属-陶瓷同轴封装外壳，用于光通信领域的高传输速率光电接收器件的封装，结构中包括金属支架以及焊接在金属支架上的带玻璃光窗的金属盖帽，其中：金属支架为圆环形结构，在金属盖帽内侧的金属支架上焊接有陶瓷基板，陶瓷基板的正面及背面有金属化区域，正面及背面的金属化区域通过陶瓷基板上的金属化通孔形成电连接，金属引线焊接于陶瓷基板的背面。
光电接收组件金属陶瓷同轴封装外壳

[发明专利]一种晶圆背面金属化的方法及晶圆背面金属化结构-CN202210385395.6有效
发明人：杨浩辉;易文杰;吕文利;谢于柳;石褔荣 -专利权人：湖南楚微半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆背面金属化的方法及晶圆背面金属化结构，该方法是以钛镍合金为金属源锭，在晶圆背面的钛金属层和银金属层之间制备钛镍合金层，形成Ti‑Ti/Ni‑Ag金属层。本发明晶圆背面金属化的方法，以钛镍合金为金属源锭，替代常规的金属镍，在满足背面金属热膨胀系数的前提下，也能够从根本上避免镍沉积过程中发生溅源的可能，从而能够提高产品的良率，同时，通过预熔化处理也能显著减少抽真空所需时间
一种背面金属化方法结构