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[发明专利]一种测量半导体导热系数的测量系统及方法-CN202310670313.7在审
发明人：戴志展;李婷 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量半导体导热系数的测量系统及方法，属于导热系数测量技术领域；包括：加热台，侧壁上设有多个用于放置加热元件的沟槽；器件安装模具，设于加热台的上方，上表面设有一用于放置待测器件的开槽；第一温度传感器，设于器件安装模具的上表面，测量器件安装模具的温度；第二温度传感器，设于待测器件的表面，测量待测器件的温度；盖板，设于器件安装模具的上方；计算机，采集器件安装模具的温度、待测器件的温度以及温度敏感度系数，依据传入的待测器件的温度和温度敏感度系数计算待测器件的导热系数。上述技术方案的有益效果是：使得待测器件的升温速度快，从而能快速测量热稳定状态下的待测器件的导热系数，效率高。
一种测量半导体导热系数系统方法

[实用新型]一种功率半导体模块-CN202223495817.X有效
发明人：杨黎丽;陈舒佳 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率半导体模块，涉及电力电子学技术领域，包括：外壳底部开口，并内置至少一个空腔；绝缘衬底上盖设有外壳，绝缘衬底的表面设有至少一个功率芯片，各功率芯片在空腔中；绝缘衬底包括：第一金属层的下表面与陶瓷层的上表面连接；第二金属层的上表面和陶瓷层的下表面连接；外壳的侧壁的下表面不超出第二金属层的下表面，其之间的水平间距为第一间距；外壳的内侧壁开设有与绝缘衬底对应的缺口，缺口的上表面和陶瓷层的上表面之间有第二间距，第二间距中设有弹性层；电连接结构通过连接导线连接功率芯片，各电连接结构垂直于绝缘衬底，并从外壳对应开设的开孔露出并延伸。有益效果是外壳和绝缘衬底间填充弹性层用于缓冲压力。
一种功率半导体模块

[实用新型]一种可快速修改回路电感的功率测试板-CN202223496368.0有效
发明人：朱妍旭 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01R21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可快速修改回路电感的功率测试板，属于功率器件测试技术领域；包括：一母线电压；一母线电容，所述母线电容的第一端连接所述母线电压的正极，所述母线电容的第二端连接所述母线电压的负极；一第一可调电感，连接于所述母线电容的所述第一端和第一参考节点之间；一第二可调电感，连接于所述母线电容的所述第二端和第二参考节点之间；一功率器件，连接于所述第一参考节点和所述第二参考节点之间。上述技术方案的有益效果是：提供一种可快速修改回路电感的功率测试板，通过修改功率测试板部分连接，改变回路电感大小，达到不同的测试目的，方便快捷。
一种快速修改回路电感功率测试

[实用新型]一种具有开孔焊片的功率模块-CN202223556476.2有效
发明人：李博 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有开孔焊片的功率模块，涉及半导体模块封装技术领域，包括：铜基板，铜基板的上表面设有多个助焊剂涂覆点；焊片，焊片上开设有对应各助焊剂涂覆点的多个通孔，焊片的下表面连接铜基板的上表面；覆铜陶瓷基板，覆铜陶瓷基板的下表面连接焊片的上表面。有益效果是在焊片上开设通孔，在铜基板或覆铜陶瓷基板其中一个焊接物体的焊接表面涂覆助焊剂，使助焊剂通过焊片上的通孔流向另一个焊接物体，只需要涂覆一次助焊剂，减少助焊剂的使用和涂覆次数。
一种具有开孔焊片功率模块

[发明专利]一种三电平逆变器应用模块-CN202310691249.0在审
发明人：陈浩;冯冰杰 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种电平逆变器应用模块，包括第一封装体，第一封装体包括，第一绝缘基板；第一芯片组成电路，第一芯片组成电路设有多个第一功率连接端和多个第一信号连接端，第一功率连接端和第一信号连接端伸出第一封装体形成多个第一功率引脚和多个第一信号引脚；第二封装体，第二封装体包括，第二绝缘基板；第二芯片组成电路。本发明相较于整体模块方案体积小，可调整引出与整机母排设计可行性高，集成度低，相对热耦合小，拥有绝缘基板，安全性高，信号引出多，有利于减小内部电感。
一种电平逆变器应用模块

[发明专利]一种新型压接型功率模块-CN201710046740.2有效
发明人：杨冬伟 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种新型压接型功率模块，主要包括圆形晶闸管芯片、绝缘陶瓷片、散热铜基板、功率端子、压块、信号引架、信号引线、塑料外壳、硅凝胶、钼片、密封胶，所述的塑料外壳与散热铜基板通过密封胶粘接在一起，所述的功率端子、钼片、圆形晶闸管芯片以及陶瓷片置于散热铜基板的上表面并用橡胶圈定位，所述的圆形晶闸管芯片上表面置有大功率端子并轻微固定并压紧，所述圆形晶闸管芯片的门极和E极的信号引线卡于信号引架相应位置，并水平置于大功率端子的表面，信号引线将圆形晶闸管芯片的门极和E极引出至信号支架和信号端子，将压块置于信号引架表面，用螺丝拧紧，所述的塑料外壳内的散热铜基板上面覆盖有绝缘硅凝胶。
一种新型压接型功率模块

[实用新型]一种焊接冲压针的智能功率模块-CN202223431937.3有效
发明人：杨芳;俞一豪;陈斌 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开一种焊接冲压针的智能功率模块，包括：外壳、DBC板和若干冲压针，所述外壳为底部开口设置，且所述外壳的底部内壁环设有支撑台阶，所述外壳的顶部设有与所述外壳内连通的若干安装孔，所述DBC板固定在所述外壳的底部开口处，并与所述支撑台阶限位配合，若干所述冲压针与所述DBC板垂直设置，且若干所述冲压针的底部焊接在所述DBC板的顶部，并与所述DBC板电性连接，若干所述冲压针的顶部分别穿过若干所述安装孔延伸至所述外部的外部，用于与外部电路电性连接。本实用新型降低了外壳生产料本的同时，简化了装配的工序，提高加工效率。
一种焊接冲压智能功率模块

[发明专利]一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构-CN202211196346.4有效
发明人：盛况;王珩宇;任娜;邵泽伟;沈华;刘志红 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心;浙江大学;嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构，包括以下步骤：在含氮氧化气体环境下，高温氧化SiC衬底层，并制备出钝化SiO2薄膜层；在无氮氧化气体环境下，退火处理钝化SiO2薄膜层，部分钝化SiO2薄膜层生成致密化SiO2薄膜层；在致密化SiO2薄膜层沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高和长期栅压作用可靠性高的优点，突破了因氮原子钝化Si、C原子容易引起可靠性下降的瓶颈。
一种 sic 功率器件结构制备方法

[实用新型]一种折弯夹具-CN202223517302.5有效
发明人：汤宇佳;俞韶军 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B21F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种折弯夹具，包括：底板和设置在底板上的定位结构、折弯结构及垫片结构；定位结构用于放置待折弯产品，折弯结构设在定位结构的一侧或者相对两侧，垫片结构设置在定位结构的一端，垫片结构可升降和可平移设置以伸入定位结构上放置的待折弯产品内。该折弯夹具的折弯结构靠近待折弯产品并进行翻转以实现待折弯产品的端子的折弯，相比较现有技术的手工折弯，可以实现自动化折弯，效率高，相比较现有技术而言，垫片的设置可以控制端子折弯的高度。
一种折弯夹具

[实用新型]一种可控制焊料厚度的功率模块引线框架及功率模块结构-CN202223556363.2有效
发明人：陈智荣;李庆祥 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控制焊料厚度的功率模块引线框架，属于电子器件封装技术领域；包括：一引线框架本体；一框架外围结构；一用于连接功率芯片的基岛，所述基岛上设有至少一打沉结构，每一所述打沉结构设有凸包结构。上述技术方案的有益效果是：提供一种可控制焊料厚度的功率模块引线框架，采用局部打沉并冲压出凸包结构，能有效控制焊料的基础厚度和焊料的铺开范围。
一种控制焊料厚度功率模块引线框架结构

[发明专利]一种功率器件的高温安全工作区测试方法及系统-CN202211697384.8在审
发明人：朱翔 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件的高温安全工作区测试方法及系统，涉及电力电子学技术领域，包括：首先，根据测试热阻、实时环境温度和期望结温处理得到加热功率；随后，根据加热功率和预设的工作电压处理得到加热电流；接着，在加热电流对应关系表中匹配得到测试驱动电压；然后，根据测试驱动电压、工作电压和加热时间将各功率器件依次加热到对应的期望结温；最后，根据工作电压、测试电感和测试电流处理得到测试驱动电压对应的测试驱动时间，并按照测试驱动电压和测试驱动时间对加热到期望结温的各功率器件进行高温安全工作区测试。有益效果是合理安排测试顺序，在高温安全工作区测试前将功率器件快速升温，不需要保温功能减少测试步骤提高测试效率。
一种功率器件高温安全工作测试方法系统

[发明专利]一种压力接触连接的功率端子及使用方法-CN201710076010.7有效
发明人：鉏晨涛;克里斯逊·克罗纳德 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种压力接触连接的功率端子及使用方法，所述的功率端子包括：底部与绝缘基板粘连的端子底座，中部封装于模块外壳内部浸入硅凝胶中有若干可拉伸缓冲结构的连杆，以及上部裸露在模块外侧与控制电路板实现压力接触式连接的端子头部；所述的使用方法是：a)现将功率端子的底座通过焊接的方式粘接到绝缘基板上；b)使用注塑外壳对绝缘基板封壳，将功率端子的头部裸露与模块外侧；c)对封壳后的模块灌入硅凝胶，使功率端子的下半部分浸没于硅凝胶中，然后将硅凝胶固化；d)将成品模块压入控制电路板，实现功率端子与电路板电气连接；它提高了模块的安装效率，同时确保压接的可靠性。
一种压力接触连接功率端子使用方法

[实用新型]一种电子器件的宇宙射线可靠性测试结构-CN202223577698.2有效
发明人：潘超;朱妍旭;俞张平;沈建斌 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种经济简便的宇宙射线可靠性测试结构，属于电子器件可靠性测试技术领域；包括：一高压源，包括一高压源正极和一高压源负极；多个待测器件支路，每个所述待测器件支路连接于所述高压源正极和所述高压源负极之间，每个所述待测器件支路包括一发光二极管和与所述发光二极管串联的一待测器件。上述技术方案的有益效果是：提供一种电子器件的宇宙射线可靠性测试结构，通过发光二极管、摄影机等器件，实现宇宙射线测试结构，成本低，操作简便。
一种电子器件宇宙射线可靠性测试结构

[实用新型]一种具有银浆烧结层的功率模块-CN202223311797.6有效
发明人：陆岩 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有银浆烧结层的功率模块，涉及电子器件技术领域，包括：底板，底板上设有至少一块基板，基板的表面设有导电铜层，各基板的表面设有至少一块芯片；至少一个功率端子，各功率端子的引脚通过银浆烧结层连接导电铜层。有益效果是通过银浆烧结层扩大功率模块的工作温度范围、提高模块的功率端子与覆铜陶瓷基板连接的可靠性、提升功率循环能力。
一种具有烧结功率模块

[发明专利]一种采用负温度系数栅极电阻的功率器件-CN202211732694.9在审
发明人：陈斌;朱翔 -专利权人： 嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种采用负温度系数栅极电阻的功率器件，涉及功率器件封装技术领域，包括：基板，基板的表面设有多个功率芯片，基板的一端的表面设有金属电极；多个负温度系数栅极电阻，各负温度系数栅极电阻设于金属电极的表面；各负温度系数栅极电阻的第一电极对应连接各功率芯片的表面栅极，各负温度系数栅极电阻的第二电极连接功率输出端子。有益效果是通过使用负温度系数栅极电阻，其特性是低温阻值大、高温阻值小，可以改善功率器件的低温波形，降低功率器件的高温损耗；由于功率器件发热明显，负温度系数栅极电阻在使用时将获得更小的阻值，有利于降低高温开关损耗。
一种采用温度系数栅极电阻功率器件

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