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[实用新型]一种槽口结构的叠层母排-CN201420455201.6有效
发明人：高齐 -专利权人：合康变频科技（武汉）有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种槽口结构的叠层母排，第一表面绝缘膜、第二表面绝缘膜、负极板、正极板、绝缘板；负极板和正极板设置于第一表面绝缘膜与第二表面绝缘膜之间组成的夹层中，负极板与正极板并列设置，且负极板与正极板之间设有绝缘板；其特征在于：绝缘板并列设有多个长条形槽口，且第一表面绝缘膜与第二表面绝缘膜均设有多个与槽口相匹配的第一通孔。本实用新型的有益效果是：本实用新型减少了正反两面的所有绝缘块，降低了成本；无需粘胶工序，避免了粘胶脱落的风险，提高了生产效率；体积较原方案大为减小，适用于所有环境。
一种槽口结构叠层母排

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810108448.X无效
发明人：窪田亮;长井信孝;仓智司 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种半导体器件，制造该半导体器件包括如下步骤：形成延伸穿过第一绝缘膜和绝缘中间层的孔，其中，第一绝缘膜和绝缘中间层堆叠在半导体衬底上方，允许孔的内壁的侧蚀刻具体地在绝缘中间层的一部分中进行，从而形成使第一绝缘膜从孔的边缘朝向中心突出的结构；形成下电极膜，该下电极膜在第一绝缘膜的顶表面、侧面和后表面的上方及孔的内壁和底表面的上方延伸；在孔中填充保护膜；去除具体地落在第一绝缘膜的顶表面和侧面的部分中的下电极膜；去除保护膜；以及在孔中形成圆柱电容器
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610101939.2有效
发明人：森茂;是成贵弘;松崎忠弘;田边浩 -专利权人：日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]供电杆组件以及制造这种组件的方法-CN200880128564.6无效
发明人：雷诺德·奎诺特;迪迪埃·贝森 -专利权人：益蒂莱有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H02G5/00 文献下载
摘要：一种供电杆组件，包括：导电杆(4)；覆盖导电杆(4)的相对表面(6、8)的下电绝缘膜(10)和上电绝缘膜(12)；以及与上绝缘膜(12)结合的电绝缘构件(18)，电绝缘构件(18)在绝缘膜(12)的暴露表面(16)上突出，以防止电弧通过在所述暴露表面(16)上行进而传播。根据本发明的一个方面，绝缘构件(18)借助于可热密封涂层(C3)与绝缘膜(12)结合。
电杆组件以及制造这种方法

[发明专利]垂直腔表面发射激光器、其制造方法及其检查方法-CN202010587213.4在审
发明人：辻幸洋 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及垂直腔表面发射激光器、其制造方法及其检查方法。垂直腔表面发射激光器包括设置在半导体层上的第一绝缘膜，第一绝缘膜具有凹部、设置在第一绝缘膜的凹部中的识别标记，识别标记由金属层形成，以及设置在半导体层的上方并且覆盖第一绝缘膜和金属层的第二绝缘膜。金属层具有位于等于或低于第一绝缘膜的上表面的高度处的上表面。
垂直表面发射激光器制造方法及其检查

[实用新型]一种柔性电路板-CN202121749680.9有效
发明人：叶群英 -专利权人：东莞市硅翔绝缘材料有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性电路板，包括铜箔基材层，铜箔基材层沿上表面的中心线对称地设置有第一绝缘保护膜和第二绝缘保护膜；铜箔基材层沿下表面的中心线对称地设置有第三绝缘保护膜和第四绝缘保护膜。加工时，将第一绝缘保护膜和第二绝缘保护膜分别粘贴于铜箔基材层的上表面，使第一绝缘保护膜与铜箔基材层的第一半段对齐，第二绝缘保护膜贴合与铜箔基材层的第二半段对齐；同理将第三绝缘保护膜和第四绝缘保护膜分别粘贴于铜箔基材层的下表面当铜箔基材层在蚀刻工艺后的尺寸改变时，绝缘保护膜采用分段拼接的方式能够有效地减少对位误差，使绝缘保护膜上的槽孔与铜箔基材层上的线路对准，提高线路板的合格率。
一种柔性电路板

[发明专利]驻极体电极、使用了它的促动器、振动发电器及振动发电装置、以及安装了振动发电装置的通信装置-CN200980142242.1有效
发明人：中塚宏;大西庆治;野村幸治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01G7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种驻极体电极、使用了它的促动器、振动发电器及振动发电装置、以及安装了振动发电装置的通信装置，提高了表面电荷密度。在基板(102)上形成导电膜(111)，在导电膜(111)上交替地层叠了第1绝缘膜(112)与第2绝缘膜后，配置被第3绝缘膜(114)以及第4绝缘膜(115)覆盖了下表面、上表面以及侧面的驻极体膜(110a由于在驻极体膜(110a～d)与导电膜(111)之间存在第1绝缘膜(112)以及第2绝缘膜(113)，从而在保持了相同的电荷的情况下膜中的电场强度变小，在相同的电场强度的情况下能提高表面电荷密度(表面电位
驻极体电极使用促动振动电器发电装置以及安装通信

[发明专利]柔性半导体装置及其制造方法-CN201180004076.6有效
发明人：一柳贵志;中谷诚一;平野浩一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该柔性半导体装置具备形成半导体元件的绝缘膜，在该绝缘膜的上表面和下表面分别具有上部配线图案层和下部配线图案层，半导体元件包括在绝缘膜的上表面形成的半导体层、按照与半导体层相接触的方式形成于绝缘膜的上表面的源电极和漏电极、按照与半导体层相对置的方式形成于绝缘膜的下表面的栅电极，在绝缘膜中，使与源电极、漏电极、上部配线图案层以及下部配线图案层相对置的绝缘膜的第1膜厚比栅电极和半导体层间的绝缘膜的第2膜厚厚。
柔性半导体装置及其制造方法

[实用新型]电池及电池组-CN202220269602.7有效
发明人：周勇;张璐璐 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01M50/593 文献下载
摘要：电池包括：电芯；绝缘膜，绝缘膜设置于电芯的表面；绝缘板，绝缘板设置于绝缘膜背离电芯的表面，绝缘板与绝缘膜热熔连接，以在绝缘板上形成有热熔连接部；其中，热熔连接部贯穿绝缘板，以避免绝缘膜背离绝缘板的一侧形成热熔凸起绝缘板与绝缘膜热熔连接，以此保证绝缘板与绝缘膜的连接稳定性。热熔连接部贯穿绝缘板，即热熔机构由绝缘板向绝缘膜进行热熔，从而在实现绝缘板与绝缘膜热熔连接的基础上，可以避免绝缘膜与电芯接触的一面形成热熔凸起，以此保证绝缘膜不会对电芯造成损伤，改善了电池的性能。
电池电池组

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710233508.X在审
发明人：筱原正昭 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：通过使用硬掩模绝缘膜在半导体衬底的主面中形成沟槽部。形成覆盖硬掩模绝缘膜的上表面以及沟槽部的表面的第一绝缘膜，后面跟随第一绝缘膜的回蚀以露出硬掩模绝缘膜的上表面。然后，形成覆盖硬掩模绝缘膜的上表面和沟槽部的表面的第二和第三绝缘膜，以在沟槽部中形成空间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201910401527.8在审
发明人：堰和彦 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：首先，包括绝缘膜的堆叠膜的偏移间隔物形成在半导体层的上表面、栅电极的侧表面和盖膜的侧表面上。接下来，绝缘膜的部分被去除以暴露半导体层的上表面。接下来，在栅电极的侧表面被绝缘膜覆盖的状态下，外延层形成在半导体层的暴露的上表面上。此时，在偏移间隔物当中，作为氮化硅膜的绝缘膜形成在最接近栅电极的位置，并且绝缘膜的上端形成在栅电极的侧表面上的位置比栅电极的上表面的位置高。
绝缘膜栅电极侧表面上表面半导体层半导体器件偏移间隔氮化硅膜上端堆叠膜外延层暴露盖膜去除覆盖制造

[发明专利]单体电池-CN202011117819.8在审
发明人：周倩;鲁俊文;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01M50/124 文献下载
摘要：本发明涉及一种单体电池，包括电芯、绝缘复合膜和壳体；绝缘复合膜紧密包覆在电芯的外部并且收容于壳体内，用于绝缘间隔电芯的外表面与壳体的内表面；绝缘复合膜包括绝缘膜和贴附于绝缘膜上的压力感测层，压力感测层用于检测电芯外表面的膨胀力本发明的单体电池，通过在电芯的外部紧密包覆绝缘复合膜，绝缘复合膜包括绝缘膜和贴附于绝缘膜上的压力感测层，压力感测层能够检测电芯外表面的膨胀力，从而可以直接地检测电芯在反复充放电过程中的膨胀力，得到的测量结果更加直接
单体电池

[实用新型]单体电池-CN202022333778.8有效
发明人：周倩;鲁俊文;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01M50/131 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单体电池，包括电芯、绝缘复合膜和壳体；绝缘复合膜紧密包覆在电芯的外部并且收容于壳体内，用于绝缘间隔电芯的外表面与壳体的内表面；绝缘复合膜包括绝缘膜和贴附于绝缘膜上的压力感测层，压力感测层用于检测电芯外表面的膨胀力本实用新型的单体电池，通过在电芯的外部紧密包覆绝缘复合膜，绝缘复合膜包括绝缘膜和贴附于绝缘膜上的压力感测层，压力感测层能够检测电芯外表面的膨胀力，从而可以直接地检测电芯在反复充放电过程中的膨胀力，得到的测量结果更加直接
单体电池

[发明专利]图像拾取元件、制造图像拾取元件的方法以及电子设备-CN201410481987.3有效
发明人：万田周治;桧山晋;志贺康幸 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像拾取元件，包括：半导体基板，包括用于每个像素的光电转换部；像素分隔凹槽，设置在该半导体基板中；以及固定电荷膜，设置在该半导体基板的光接收表面侧，其中该固定电荷膜包括第一绝缘膜和第二绝缘膜，该第一绝缘膜从该光接收表面到该像素分隔凹槽的壁表面和底表面连续设置，并且该第二绝缘膜设置在该第一绝缘膜的至少对应于该光接收表面的一部分上。
图像拾取元件制造方法以及电子设备

[发明专利]包含多孔绝缘材料的半导体器件及其制造方法-CN02105834.2有效
发明人：福山俊一;大和田保;佐久间裕子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-04-11 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在衬底上形成第一绝缘膜、第一层间绝缘膜、第二和第三绝缘膜以及第二层间绝缘膜。形成布线沟槽到达第三绝缘膜的上表面，并且从布线沟槽的底部到第一绝缘膜的上表面形成通孔。在选择性地腐蚀第二层间绝缘膜的条件下，通过腐蚀第二层间绝缘膜，形成布线沟槽。在选择性地腐蚀第三绝缘膜的条件下，通过腐蚀去除暴露在布线沟槽底部的第三绝缘膜和暴露在通孔底部的第一绝缘膜。
包含多孔绝缘材料半导体器件及其制造方法