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[发明专利]触控组件、显示模组及电子设备-CN202010014314.2有效
发明人：鄞闵慧;张轩满;叶佳锜;陈柏林 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明涉及一种触控组件、显示模组及电子设备，该触控组件包括：触控膜；绝缘保护膜，设置在所述触控膜上，所述绝缘保护膜具有用于与显示屏相接的第一区，以及设置在所述第一区外侧的第二区；所述第二区设有镂空结构，所述镂空结构由所述绝缘保护膜远离所述触控膜的表面贯穿至所述绝缘保护膜用于与所述触控膜相接的表面；其中，所述触控膜用于与所述绝缘保护膜相接的表面的达因值大于所述绝缘保护膜远离所述触控膜的表面的达因值。在本发明中，在第二区域粘贴双面胶时，可以使双面胶从镂空结构处与触控膜粘接，以提高双面胶在第二区域的粘接强度，使双面胶在触控组件上粘接的更牢固。
组件显示模组电子设备

[发明专利]半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法-CN202310052575.7在审
发明人：海老原洪平;增冈史仁;附田正则;古川彰彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供绝缘可靠性高的半导体装置。还涉及电力变换装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：场绝缘膜(3)，其形成于第1导电型的外延层(32)之上；表面电极(4)，其搭至场绝缘膜(3)的内周端部处；以及外周电极(5)，其搭至场绝缘膜(3)的外周端部处。在外延层(32)的表层部形成有与表面电极(4)连接且与表面电极(4)的外周端部相比延伸至外侧的第2导电型的末端阱区域(2)。半绝缘膜(7)形成为与表面电极(4)及外周电极(5)分离，将场绝缘膜(3)的一部分覆盖。半绝缘膜(7)在与末端阱区域(2)的外周端相比更靠内侧的区域及外侧的区域的每一者，通过形成于场绝缘膜(3)的开口部与外延层(32)连接。
半导体装置电力变换制造方法

[发明专利]一种采用微弧氧化制备钛合金表面耐磨绝缘膜层的方法-CN202011218300.9有效
发明人：呼丹;陶路路;翁特;张宇舵;杨小龙;高广睿;屈静;王宝云 -专利权人：西安赛福斯材料防护有限责任公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用微弧氧化制备钛合金表面耐磨绝缘膜层的方法，该方法包括：一、将钛合金试片打磨后酸洗得到表面活化的钛合金试片；二、将表面活化的钛合金试片浸没在脉冲微弧氧化设备的微弧氧化槽内盛放的电解液中，采用分步升压法进行氧化反应，得到表面具有耐磨绝缘膜层的钛合金。本发明采用分步升压法从低电压逐步增加到高电压，以控制微弧氧化反应的程度，从而有效调控了耐磨绝缘膜层的生长，在钛合金表面制备耐磨绝缘膜层，保证了耐磨绝缘膜膜层的致密性与厚度，提高了钛合金表面的硬度和耐磨性能
一种采用氧化制备钛合金表面耐磨绝缘方法

[发明专利]带绝缘被膜的取向性电磁钢板及其制造方法-CN201680017173.1有效
发明人：寺岛敬;花田一利;末广龙一;渡边诚;高宫俊人 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C23C22/00 文献下载
摘要：本发明提供具有耐热性优异的绝缘被膜的带绝缘被膜的取向性电磁钢板及其制造方法。上述带绝缘被膜的取向性电磁钢板具有取向性电磁钢板和配置于上述取向性电磁钢板的表面上的绝缘被膜，上述绝缘被膜含有选自Mg、Ca、Ba、Sr、Zn、Al和Mn中的至少1种和Si、P、O以及Cr，上述绝缘被膜的最表面的
绝缘向性电磁钢板及其制造方法

[发明专利]在半导体装置中形成介电层的方法-CN200510052520.8无效
发明人：金正根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成半导体装置的绝缘膜的方法。根据本发明形成绝缘膜，并然后进行退火处理，以去除在该绝缘膜中所包含的释气源。然后，通过热处理去除在该绝缘膜的表面上所形成的缺陷点、副产物或CH－基。因此，可最小化该绝缘膜的表面上的缺陷的产生，并阻止在该绝缘膜上形成如断开或薄图案的故障。因而，本发明的优点在于：可改善制备过程的可靠性和装置的电学特性。
半导体装置形成介电层方法

[发明专利]半导体装置封装-CN201810154963.5在审
发明人：陈建桦;陈明宏;施旭强 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：半导体装置封装包含衬底、第一绝缘层、支撑膜及互连结构。所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层处于所述衬底的所述第一表面上并且具有第二侧壁。所述第一绝缘层具有第一表面及邻近于所述衬底且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面。所述支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有第三侧壁。所述支撑膜具有邻近于所述衬底的第一表面及与所述支撑膜的所述第一表面相对的第二表面。所述互连结构通过所述第一绝缘层及所述支撑膜从所述第一绝缘层的所述第一表面延伸到所述支撑膜的所述第二表面。
第一表面绝缘层支撑膜衬底第二表面互连结构第三侧壁邻近封装半导体装置半导体装置第二侧壁第一侧壁封装延伸覆盖

[发明专利]半导体装置-CN202010095723.X在审
发明人：下村纱矢 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具有半导体部、所述半导体部的表面上的电极、和在所述表面侧的沟槽内设置的控制电极及场板电极。所述控制电极位于所述场板电极和所述电极之间。所述控制电极一体地设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜之间，该第一绝缘膜将所述场板电极及所述控制电极与所述半导体部绝缘，该第二绝缘膜将所述控制电极与所述电极绝缘。所述第一绝缘膜包括从所述场板电极侧延伸到所述控制电极中的绝缘部，所述第二绝缘膜包括从所述电极侧延伸到所述控制电极中的绝缘部。所述控制电极包括：第一部分，位于所述半导体部和所述第二绝缘膜的所述绝缘部之间；第二部分，位于所述第一绝缘膜的所述绝缘部和所述第二绝缘膜的所述绝缘部之间。
半导体装置

[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN201510415396.0有效
发明人：户谷真悟 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：第III族氮化物半导体发光器件具有插入在第二半导体层与透明电极之间的绝缘多层膜。该绝缘多层膜用作分布式布拉格反射器并且形成在包括通过将p电极投影至p型接触层所获得的投影区域的区中。绝缘多层膜具有第一区和第二区，其中第一区具有厚度大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层，并且所述第二区具有厚度不大于所述绝缘多层膜的最大膜厚度的95％的层。在第二区中绝缘多层膜的第二表面包括具有朝着绝缘膜的第一表面凹陷的凹部的斜坡。
iii 氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造它的方法-CN201010201360.X有效
发明人：鹤目卓也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L27/13 文献下载
摘要：本发明的目的是提供具有足以用作天线的导电膜的半导体器件，和制造它的方法。半导体器件具有设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层，设置在元件形成层上的绝缘膜，和设置在绝缘膜上的用作天线的导电膜。绝缘膜具有槽。导电膜沿绝缘膜和槽的表面设置。绝缘膜的槽可被设置穿过绝缘膜。或者，可在绝缘膜中设置凹形部分以便不穿过绝缘膜。对槽的结构没有特殊限制，例如，可设置槽具有锥形形状等。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和制造它的方法-CN200680003335.2有效
发明人：鹤目卓也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明的目的是提供具有足以用作天线的导电膜的半导体器件，和制造它的方法。半导体器件具有设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层，设置在元件形成层上的绝缘膜，和设置在绝缘膜上的用作天线的导电膜。绝缘膜具有槽。导电膜沿绝缘膜和槽的表面设置。绝缘膜的槽可被设置穿过绝缘膜。或者，可在绝缘膜中设置凹形部分以便不穿过绝缘膜。对槽的结构没有特殊限制，例如，可设置槽具有锥形形状等。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201510361964.3有效
发明人：川村武志 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-06-14 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在半导体衬底(1S)上形成层间绝缘膜(PIL)。通过在用来在层间绝缘膜(PIL)中形成栓塞(PL1)的CMP结束之后，使层间绝缘膜(PIL)的表面后退，使得栓塞(PL1)的上表面比层间绝缘膜(PIL)的上表面高。也可以使布线(W1)不向层间绝缘膜(PIL)挖入，或者减小挖入形成的量。
半导体器件制造方法

[发明专利]电子装置用基板及其处理方法-CN200580011029.9无效
发明人：小林保男;川村刚平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：在该基板的处理方法中，首先，准备电子装置用基板，在该基板的表面上形成由加氟碳(CF)构成的绝缘膜(I)。接着，通过使在例如氪(Kr)气的等离子体中生成的活性种(Kr⁺)与绝缘膜(I)的表面碰撞，使在绝缘膜(I)的表面上露出的氟(F)原子从该绝缘膜脱离。此时，至少从形成绝缘膜的工序之后直到使氟原子脱离的工序结束的期间，维持基板不与水分接触。
电子装置用基板及其处理方法

[实用新型]一种电芯、电池模组和电池包-CN202223076075.7有效
发明人：张增高 -专利权人：楚能新能源股份有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本实用新型涉及动力电池技术领域，提出了一种电芯、电池模组和电池包，所述电芯包括电芯本体，所述电芯本体的外表面包覆有绝缘膜，还包括热敏变色膜，所述热敏变色膜位于所述绝缘膜面向水冷板一侧的表面。本实用新型在绝缘膜表面设置热敏变色膜，当电芯本体处于长时间或高倍率场景时，电芯本体温度上升，使得与水冷板接触的热敏变色膜变成黑色，导热效率增加，从而起到增加绝缘膜与水冷板导热效率的作用。
一种电池模组

[实用新型]一种方形电池-CN202320654290.6有效
发明人：何绪苗;李涛;李树军 -专利权人：溧阳中科海钠科技有限责任公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01M50/586 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种方形电池，属于电池加工技术领域，解决了现有技术中方形电池的绝缘膜的边缘溢出导致顶盖和外壳焊接异常的问题。本实用新型的方形电池包括：顶盖、塑料绝缘板、绝缘膜和外壳；塑料绝缘板固设在顶盖的下方；顶盖的下方设置挡块；挡块平行于塑料绝缘板设置，且位于塑料绝缘板的外侧；绝缘膜围设在电池内芯和塑料绝缘板的外部；绝缘膜的上端设置在挡块与塑料绝缘板之间的间隙中；外壳罩设在绝缘膜和挡块的外部，且外壳的上表面与顶盖的下表面抵接。本实用新型通过设置挡块实现了对电池绝缘膜的有效收拢，有效避免了绝缘膜边缘外溢影响顶盖和外壳的焊接，保证了方形电池的外壳组件的焊接质量。
一种方形电池

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201380015255.9有效
发明人：堀井拓;木村真二;木本美津男 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种MOSFET(1)，设置有：衬底(10)；栅极绝缘膜(20)；栅电极(30)；形成在栅极绝缘膜(20)上以围绕栅电极(30)的层间绝缘膜(40)；包含Ti和N且不包含Al的缓冲膜(51)；以及包含TiMOSFET(1)具有其中形成的接触孔(80)，所述接触孔贯穿层间绝缘膜(40)，暴露衬底(10)的主表面(10A)，并且与栅电极(30)隔开。缓冲膜(51)形成为与接触孔(80)的侧壁表面(80A)接触。在衬底(10)的主表面(10A)上，源电极(52)被形成为使得所述源电极与该主表面接触，所述主表面通过形成缓冲膜(51)和接触孔(80)而被暴露。
接触孔主表面缓冲膜源电极栅电极衬底层间绝缘膜栅极绝缘膜半导体器件侧壁表面暴露隔开贯穿制造