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[实用新型]一种绝缘双通壳体及一种单体电池-CN202022331672.4有效
发明人：戴亨伟;张立鹏;徐卫东;何庆庆;胡明江;杨伟;张耀 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01M50/103 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘双通壳体及一种单体电池，该绝缘双通壳体包括金属壳和贴设于金属壳内表面的绝缘膜，金属壳由多个围板首尾相连构成，金属壳为两端开口的桶状结构。本实用新型绝缘膜预先贴敷于金属壳的内表面，电芯装配于金属壳中后通过绝缘膜与金属壳绝缘，从而避免在同时将电芯和绝缘膜放入至金属壳的过程中绝缘膜剐蹭金属壳而出现破损的现象。
一种绝缘壳体单体电池

[发明专利]半导体器件-CN200610059879.2无效
发明人：石塚典男;岩崎富生;太田裕之;三浦英生;高橋正人;鈴木範夫;池田修二;田中英樹;美馬宏行 -专利权人：株式会社日立制作所;株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-06-24 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体器件，其特征在于具有：半导体衬底；含形成在所述衬底中的沟槽和埋入在沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；形成在所述衬底中的有源区，该有源区包括其上形成有栅绝缘膜的阱区，该栅绝缘膜上形成有栅电极，阱区包括与栅电极相对应地设置的源和漏扩散区，其中，沟槽中的埋入绝缘膜具有平面延伸到衬底中的底表面，且该埋入绝缘膜包围着有源区，该底表面延伸的深度比扩散区深；埋入绝缘膜有至少包围源和漏扩散区的凹陷的上部平表面，以防止元件隔离区所引起的晶体缺陷，所述凹陷的上部平表面的深度从衬底的平表面算起大于等于所述源和漏扩散区的杂质分布的峰值浓度的深度；沿沟槽中的埋入绝缘膜的侧面和底面形成有氮氧化物膜，该氮氧化物膜与衬底相接触。
半导体器件

[实用新型]聚酰亚胺取暖片-CN201020553054.8无效
发明人：岑建军 -专利权人：宁波今山电子材料有限公司
申请日： 2010-10-09 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： F24D13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种聚酰亚胺取暖片，包括聚酰亚胺电热膜、电极条和绝缘膜，电极条复合在聚酰亚胺电热膜上，绝缘膜复合在设有电极条的聚酰亚胺电热膜外表面。本实用新型和现有技术相比所具有的优点是：不占用室内空间，本实用新型为片体结构，可以盖在地板或家具的表面层；完全性高，绝缘膜采用绝缘性极强的聚酰亚胺绝缘膜，避免因触电或漏电对人体造成的伤害。
聚酰亚胺取暖

[实用新型]单侧传热厚膜元件-CN202020267707.X有效
发明人：胡志升 -专利权人：湘西吉盛智能科技有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H05B3/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单侧传热厚膜元件，其包括金属基体、第一电绝缘层、导电膜层、第二电绝缘层、隔热材料制成的保护层及多个导热柱，第一电绝缘层覆盖在金属基体一侧表面上，导电膜层印刷在第一电绝缘层远离金属基体一侧表面上，第二电绝缘层覆盖在导电膜层远离金属基体一侧表面上，保护层覆盖在第二电绝缘层远离金属基体一侧表面上，导热柱穿过第一电绝缘层和导电膜层并用于将第二电绝缘层上的热量传递至金属基体，其中，导热柱包括金属柱体及包覆在金属柱体表面上的导热层，导热层与导电膜层绝缘并可发生热传递。本实用新型的单侧传热厚膜元件不仅可以提高热量利用率，而且可以将导电膜层远离金属基体一侧的热量及时传递出来。
传热元件

[发明专利]触控组件、显示模组及电子设备-CN202010812307.7在审
发明人：叶佳锜;李璟林;鄞闵慧;张轩满;金鸿杰;黄彦衡 -专利权人：业成光电（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明涉及一种触控组件、显示模组及电子设备，其中，触控组件包括触控膜和绝缘保护膜，绝缘保护膜包括层叠设置的第一、第二绝缘层，第一绝缘层覆盖在触控膜上，第二绝缘层设置在第一绝缘层背离触控膜的表面上；第二绝缘层包括第一区和设置在第一区外侧的第二区，第一区背离第一绝缘层的表面用于与显示面板相接，第二区背离第一绝缘层的表面用于通过粘接层与框架粘接，第二区上设置有镂空结构。本发明的触控组件、显示模组及电子设备，通过在第二绝缘层的第二区上设置镂空结构，以增大第二区的表面粗糙度以及粘接层与绝缘保护膜之间的接触面积，从而增大了粘接层与绝缘保护膜之间的粘结力，提高了双面胶与绝缘保护膜之间的连接稳定性
组件显示模组电子设备

[发明专利]绝缘层薄膜表面的导电化处理工艺-CN201811049029.3有效
发明人：李克贵;陈耀 -专利权人：深圳科诺桥科技股份有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C23C28/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，包括以下步骤：提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。
绝缘薄膜表面导电处理工艺

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610187398.3有效
发明人：绪方完 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：非易失性存储器的存储器单元包括经由第一绝缘膜形成在半导体衬底上的控制栅电极以及经由第二绝缘膜形成在半导体衬底上的存储器栅电极以便经由第二绝缘膜相邻于控制栅电极。第二绝缘膜包括由二氧化硅膜制成的第三绝缘膜，由第三绝缘膜上的氮化硅膜制成的第四绝缘膜以及第四绝缘膜上的第五绝缘膜。第五绝缘膜包括氧氮化硅膜。在存储器栅电极和半导体衬底之间，第四和第五绝缘膜的相应端部比存储器栅电极的下表面的端部更靠近存储器栅电极的侧表面。在存储器栅电极和半导体衬底之间，在未形成第二绝缘膜的区域中，嵌入另一二氧化硅膜。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种PTC加热模组及水加热器-CN201922027242.0有效
发明人：朱兴文 -专利权人：江苏钧瓷科技有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： F24H9/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种PTC加热模组及水加热器，PTC加热模组，包括绝缘支架、PTC陶瓷元件、第一电极片、第二电极片、绝缘膜、第一盖板和第二盖板，所述绝缘支架中间设有用于容纳所述PTC陶瓷元件的中空部，两电极片分别贴靠在所述PTC陶瓷元件的上、下表面，所述绝缘膜覆盖于所述第一电极片上表面和第二电极片的下表面，两盖板分别贴靠在上部绝缘膜和下部绝缘膜的表面。本实用新型PTC加热模组，采用绝缘支架作为载体框架，电极片、PTC陶瓷元件、绝缘膜、盖板之间直接装配接触，无需涂覆导热胶及繁琐的烘烤压管工艺，工艺简单，组装方便，有利于批量量产，提升生产效率。
一种 ptc 加热模组加热器

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN95110000.9无效
发明人：菅野壮晃;西山幸彦;藤井秀治 -专利权人：夏普公司
申请日： 1995-12-22 - 公布日： 1996-09-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：用含蒸汽和氧的混合气体首先氧化已形成的绝缘氧化膜，由此造成膜表面上残留易移动的离子的状态。随后为除去残留离子进行热氧化工艺。结果，促进绝缘氧化膜内部的氧化。并改善了绝缘氧化膜表面的绝缘性能。因此能获得有优异耐压特性和很小的或无漏电流的高绝缘电介质膜。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02108311.8有效
发明人：高田和彦;菅谷慎二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：在衬底上形成隧道绝缘膜和构成浮栅下部的第一半导体膜，腐蚀形成器件隔离凹槽，在凹槽中和第一半导体膜上形成器件隔离绝缘膜，从第一半导体膜的上表面去除器件隔离绝缘膜，减薄器件隔离凹槽上的器件隔离绝缘膜，选择生长用作浮栅上部的第二半导体膜，并使其在器件隔离绝缘膜上横向延伸，在浮栅上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成用作控制栅的导电膜。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]厚膜水冷电阻-CN201820483780.3有效
发明人：史永俊 -专利权人：深圳市正阳兴电子科技有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种厚膜水冷电阻，涉及电子器件技术领域，包括第一绝缘介质层、厚膜电阻层、第二绝缘介质层以及用于液体流通的金属腔体，第一绝缘介质层设置于金属腔体的上表面；第一绝缘介质层表面设有厚膜电阻层，厚膜电阻层表面设有第二绝缘介质层。
绝缘介质层厚膜电阻层金属腔体水冷电阻电阻厚膜绝缘介质层表面本实用新型电子器件散热性能液体流通应用环境上表面散热

[发明专利]声表面波装置-CN201080032018.X有效
发明人：西山健次;中尾武志;门田道雄 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：本发明提供一种声表面波装置，即使谋求高频化也难以产生成品率变差和浪涌电压耐受性等可靠性变差，而且能获得良好的频率特性。声表面波装置(1)中，在压电基板(2)上形成IDT电极(3)，在IDT电极(3)上层叠第1绝缘膜(7)、和至少1层的第2绝缘膜(8)，利用SH波的高阶模式，且比起位于最外表面的第2绝缘膜(8)的声表面波的音速，位于较最外表面的绝缘膜(8)更接近IDT电极(3)的一侧的第1绝缘膜(7)的声表面波的音速更快。
表面波装置

[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及照相机-CN200510092615.2有效
发明人：神户秀夫;江崎孝之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：提供一种固态成像装置，能改善衬底的光入射侧中透明绝缘膜的透光率，抑制暗电流，并且防止量子效率的损失，其中像素电路形成在衬底的第一表面中，并且从第二表面接收光，固态成像装置具有：光接收单元，形成在衬底中，用于产生对应于入射光的量的电荷并存储该电荷；透明的第一绝缘膜，形成在第二表面上；以及透明的第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上，并用于在第一绝缘膜的交接面中或者内部保持与信号电荷具有相同极性的电荷，第一和第二绝缘膜的厚度确定为获得比仅仅利用第一绝缘膜更高的透光度
固态成像装置及其制造方法以及照相机

[实用新型]高清电视线束-CN202021271306.8有效
发明人：杨平;赵世新 -专利权人：上饶市达淋新材料有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：本高清电视线束包括铜导体层，连接在铜导体层厚度方向一表面的第一绝缘膜，以及连接在铜导体层厚度方向另一表面的第二绝缘膜，第一绝缘膜的长度短于铜导体层的长度，第二绝缘膜的长度与铜导体层的长度相等并且第二绝缘膜的两端分别与铜导体层的两端齐平，在铜导体层靠近第一绝缘膜的一表面有线路层，线路层的两端伸出至第一绝缘膜的两端外，线路层的长度短于铜导体层的长度并且线路层的两端和铜导体层的两端分别形成0.2‑0.6mm宽度的定向留白区。
高清电视线

[实用新型]一种用于手机的绝缘背胶复合结构-CN201720044635.0有效
发明人：陈群锋;梁义英 -专利权人：东莞市德信绝缘材料有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及背胶技术领域，公开了一种用于手机的绝缘背胶复合结构，包括底层离型单膜，底层离型单膜的上方依次设置的底层绝缘膜、背胶复合层和设置于背胶复合层上方的顶层屏蔽膜，背胶复合层的上表面和下表面均设置有粘贴层，所述底层绝缘膜与背胶复合层下表面的粘贴层粘接；本背胶复合结构在运输和装入手机的过程中由底层离型单膜进行底层绝缘膜的保护，在组装至手机的上壳体后，即可将底层离型单膜剥离，由于本实用新型采用底层绝缘膜和顶层屏蔽膜，底层绝缘膜可以使电容屏与手机的PCB主板实现分隔绝缘，而顶层屏蔽膜进一步的防止PCB主板的电信号对电容屏造成信号干扰或电荷传递，因此，本背胶复合结构具有绝缘和屏蔽效果好的优点。
一种用于手机绝缘复合结构