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[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202310031450.6在审
发明人：川嶋祥之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：第一栅极电极经由包含金属元素的第一绝缘膜形成于半导体衬底上。侧壁绝缘膜形成于第一栅极电极的侧表面上。第二栅极电极经由第二绝缘膜形成于半导体衬底上。第二栅极电极被形成为经由第二绝缘膜与第一栅极电极邻近。第二绝缘膜由具有第三绝缘膜、具有电荷累积功能的第四绝缘膜和第五绝缘膜的堆叠膜制成。第三绝缘膜由于通过热氧化处理对半导体衬底的部分进行氧化而形成于半导体衬底上，并且由于通过热氧化处理对所述侧壁绝缘膜进行氧化而形成于第一栅极电极的侧表面上。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201910670044.8在审
发明人：黄义澈;金柱然;罗炯柱;徐凤锡;俞尚旼;郑主护;李城门 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面
栅结构场绝缘膜源图案器件隔离膜方向延伸上表面侧壁半导体器件倾斜表面下表面衬底锐角

[发明专利]压制玻璃灯杯及其制备方法和灯具-CN201710940514.9有效
发明人：李祥许;张修波;丁琳;赵俊杰 -专利权人：佛山电器照明股份有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： F21V1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种压制玻璃灯杯，包括杯体和设于杯体内表面的绝缘膜，所述绝缘膜通过绝缘涂料设于杯体内表面，且所述绝缘膜的涂覆范围为从杯口延伸至杯底的全部内表面，其中，所述绝缘涂料包括组分A和组分B，所述组分采用本发明，其设有的绝缘膜可以一次成型，且所述绝缘膜均匀、完整地涂覆在杯口延伸至杯底的全部内表面，并解决内部导电的问题。
压制玻璃灯及其制备方法灯具

[发明专利]线圈元件、线圈元件集合体及线圈零件的制造方法-CN201280076676.8无效
发明人：佐野孝史;寺田常徳 -专利权人：株式会社LEAP
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01F41/04 文献下载
摘要：本发明无需使用绝缘基板便可制作线圈零件。本发明为使用转印模具来制造线圈元件的方法，包括下述步骤准备蚀刻有反转线圈元件图案的转印模具；在转印模具的表面重叠并形成剥离膜与绝缘膜；在绝缘膜上的未形成反转线圈元件图案的区域形成抗蚀剂膜；以抗蚀剂膜为掩模而蚀刻去除绝缘膜；在将抗蚀剂膜去除之后，以将形成着反转线圈元件图案的区域全部填埋，且在绝缘膜上稍微突出的方式利用第一电镀形成中心导体膜；将中心导体膜从转印模具中剥离；以及以中心导体膜为基底而利用第二电镀形成表面导体膜，从而形成包含中心导体膜与表面导体膜的线圈元件。
线圈元件集合体零件制造方法

[发明专利]有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板-CN201880097155.8有效
发明人：齐藤贵翁;三轮昌彦;神崎庸辅;孙屹;山中雅贵;金子诚二 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：在有源矩阵基板的制造方法中，形成基底无机绝缘膜的工序包括：在基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；通过第一灰化处理，在抗蚀剂的表面形成凹凸面的灰化处理工序；以及接着灰化处理工序，通过进行第二灰化处理和基底无机绝缘膜的蚀刻处理，使基底无机绝缘膜的表面粗面化的粗面化工序。在形成半导体膜的工序中，半导体膜的至少一部分仿照基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。
有源矩阵制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN200680037013.X无效
发明人：中川隆史;斋藤幸重 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-10-03 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：在硅基板表面上将第1绝缘膜(硅氧化膜)、第2绝缘膜(铝氧化膜)按照该顺序层积，形成栅极绝缘膜，使第1绝缘膜的一部分中含有作为构成第2绝缘膜的元素的至少一种元素、且与第1绝缘膜的整个区域中共同含有的元素不同的元素(铝)，在第1绝缘膜上形成电荷俘获点区域。
半导体存储装置及其制造方法

[实用新型]一种叠层母排结构-CN201620562005.8有效
发明人：李进普 -专利权人：深圳市容光机电设备有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01R25/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及叠层母排，尤其涉及一种叠层母排结构，该叠层母排结构包括绝缘膜、负极板和正极板，所述母排结构还设有串接板，所述正极板一侧边突出设有正极端子，所述负极板一侧边突出设有负极端子；所述绝缘膜与正极板、负极板和串接板纵向交替层叠并固定连接，绝缘膜、正极板、负极板以及串接板上均设有位置相互吻合的功能孔，绝缘膜包括顶面绝缘膜和底面绝缘膜，母排结构整体的顶面和底面分别为顶层绝缘膜进和底层绝缘膜；所述顶层绝缘膜一侧边突出，设有端子绝缘挡片。有益效果:表面绝缘纸沿着正负极端子折弯的形状进行贴合粘接，起到端子处表面局部绝缘。
一种叠层母排结构

[发明专利]一种可供液体绝缘介质浸渍的电容元件及电容器-CN201611077090.X在审
发明人：梁崑 -专利权人：梁崑
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01G4/04 文献下载
摘要：本发明属于电容器领域，具体地说，涉及一种可供液体绝缘介质浸渍的电容元件及电容器，包括两电极材料层和设置于两电极材料层之间的聚酯薄膜和聚丙烯膜,所述聚丙烯膜具有粗糙表面，所述粗糙表面与所述聚酯薄膜相贴合设置，所述聚丙烯膜的粗糙表面吸附液体绝缘介质形成液体绝缘介质层，通过聚丙烯膜上设置粗糙表面，粗糙表面吸附作用使液体绝缘介质将聚酯薄膜与聚丙烯膜之间的间隙中的气体排出，吸附的液体绝缘介质形成了一层液体绝缘介质层
液体绝缘介质粗糙表面聚丙烯膜聚酯薄膜电容元件电容器浸渍电极材料层绝缘介质供液体吸附电容器领域贴合设置吸附作用浸渍性抗击穿排出

[实用新型]一种可供液体绝缘介质浸渍的电容元件及电容器-CN201621296702.X有效
发明人：梁崑 -专利权人：梁崑
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本实用新型属于电容器领域，具体地说，涉及一种可供液体绝缘介质浸渍的电容元件及电容器，包括两电极材料层和设置于两电极材料层之间的聚酯薄膜和聚丙烯膜,所述聚丙烯膜具有粗糙表面，所述粗糙表面与所述聚酯薄膜相贴合设置，所述聚丙烯膜的粗糙表面吸附液体绝缘介质形成液体绝缘介质层，通过聚丙烯膜上设置粗糙表面，粗糙表面吸附作用使液体绝缘介质将聚酯薄膜与聚丙烯膜之间的间隙中的气体排出，吸附的液体绝缘介质形成了一层液体绝缘介质层
一种液体绝缘介质浸渍电容元件电容器

[发明专利]固体摄像装置-CN201910777635.5在审
发明人：板桥康 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：实施方式的固体摄像装置具备：光检测部，设置在半导体中；第1绝缘膜，设置在上述半导体的表面上；多个第2绝缘膜，设置在上述光检测部与上述第1绝缘膜之间，在沿着上述半导体的表面的第1方向上排列配置；以及第3绝缘膜，设置在上述半导体与上述第2绝缘膜之间，具有比上述第2绝缘膜的折射率小的折射率。
固体摄像装置

[实用新型]柔性扁平线缆-CN201920265460.5有效
发明人：邱显钰 -专利权人：瀚荃电子科技(苏州)有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种线缆，尤其是柔性扁平线缆，包括导体、上绝缘膜和下绝缘膜；导体设有多个，多个导体平行间隔设置，上绝缘膜和下绝缘膜分别贴覆在导体的上表面和下表面；柔性扁平线缆的一端设有插入区或柔性扁平线缆的两端均设有插入区，插入区的导体单面覆绝缘膜；插入区的导体的端部还设有固定膜，固定膜沿柔性扁平线缆的宽度方向设置，固定膜贴覆在导体裸露的面，固定膜还与上绝缘膜或下绝缘膜粘结；插入区还设有加强板，加强板贴覆在上绝缘膜或下绝缘膜上该线缆能够有效防止导体翘曲，导体与绝缘膜不易分离、使用寿命长、与连接器连接牢固、不易脱落。
导体插入区柔性扁平线缆上绝缘膜下绝缘膜固定膜加强板贴覆绝缘膜线缆平行间隔设置本实用新型连接器连接导体裸露使用寿命定位槽定位块上表面下表面翘曲粘结对称裸露

[发明专利]自发热一体板及其制备方法-CN201910284447.9在审
发明人：张亚飞;杨敏;李永武;张伟;路亚辉 -专利权人：光之科技（北京）有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： E04F13/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种自发热一体板和其制备方法，所述自发热一体板包括基材、第一绝缘防水膜层、发热膜层、第二绝缘防水膜层、面层和电极，所述基材包括一抛光的表面，所述第一绝缘防水膜层、发热膜层、第二绝缘防水膜层和面层依次堆叠在所述抛光的表面上；所述电极设置在基材上，并和所述发热膜层电连接；所述第一绝缘防水膜层、发热膜层、第二绝缘防水膜层和面层的总厚度为0.01‑5mm。
发热一体及其制备方法

[实用新型]自发热一体板-CN201920477471.X有效
发明人：张亚飞;杨敏;李永武;张伟;路亚辉 -专利权人：光之科技（北京）有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： E04F13/074 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自发热一体板和其制备方法，所述自发热一体板包括基材、第一绝缘防水膜层、发热膜层、第二绝缘防水膜层、面层和电极，所述基材包括一抛光的表面，所述第一绝缘防水膜层、发热膜层、第二绝缘防水膜层和面层依次堆叠在所述抛光的表面上；所述电极设置在基材上，并和所述发热膜层电连接；所述第一绝缘防水膜层、发热膜层、第二绝缘防水膜层和面层的总厚度为0.01‑5mm。
发热一体

[发明专利]半导体器件-CN200610005439.9无效
发明人：山崎舜平;须泽英臣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-11-25 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：具有绝缘表面的衬底；在衬底上形成的第一绝缘膜，为氮化硅膜；在第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，为氧化硅膜；在第二绝缘膜上的结晶半导体膜，具有沟道区及源和漏区；在结晶半导体膜上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的栅电极；层间绝缘膜，设置在所述结晶硅上；以及象素电极，通过层间绝缘膜与漏区电连接。这些半导体器件是借助本发明的一种腐蚀设备制成的，由于不发生等离子损伤，因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现，于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动，因而半导体器件中的截止电流值减小。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201080067421.6有效
发明人：川村武志 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-06-14 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在半导体衬底（1S）上形成层间绝缘膜（PIL）。通过在用来在层间绝缘膜（PIL）中形成栓塞（PL1）的CMP结束之后，使层间绝缘膜（PIL）的表面后退，使得栓塞（PL1）的上表面比层间绝缘膜（PIL）的上表面高。也可以使布线（W1）不向层间绝缘膜（PIL）挖入，或者减小挖入形成的量。
半导体器件及其制造方法

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