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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种新型电子元件-CN201720502227.5有效
发明人：夏超;张琦;吴良松;陈锃基 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所华东分所
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种新型电子元件，所述新型电子元件包括衬底；位于衬底上的埋氧层；位于埋氧层上的漂移层，漂移层的上表面形成有窗口；位于窗口内壁或者窗口内壁以及窗口下表面的掺杂区，位于窗口内的绝缘层，绝缘层包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层，至少一个第一绝缘层和至少一个所述第二绝缘层沿第一方向排列，所述第一方向与所述漂移层的上表面垂直；位于漂移层上或者绝缘层上远离埋氧层一侧的源极电极、栅极电极以及漏极电极采用上述技术方案，在元件处于反向耐压时，在第一绝缘层和第二绝缘层的界面交界处引入电场峰值，可以提升漂移层的平均电场，提升电子元件的击穿电压。
一种新型电子元件

[实用新型]一种双层夹芯金属线路板-CN201520878417.8有效
发明人：曾凡伍;曾锋;钱江辉 -专利权人：博罗县鸿源华辉电子有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及线路板技术领域，尤其涉及一种双层夹芯金属线路板，包括线路板，线路板包括叠构层和金属芯层，叠构层包裹金属芯层，叠构层包括第一线路层、第一绝缘层、第二绝缘层和第二线路层，第一线路层的底部与第一绝缘层上表面连接，第一绝缘层的底部与金属芯层的上表面连接，第二线路层的上表面与第二绝缘层的底部连接，第二绝缘层的上表面与金属芯层连接，叠构层上设有第一通孔和第二通孔，第一通孔和第二通孔分别贯穿叠构层和金属芯层，叠构层上还设有第一圆槽
一种双层金属线路板

[发明专利]一种提高开口率的低寄生电容TFT阵列基板与制作方法-CN202310179028.5在审
发明人：毛清平 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示器技术领域，提供一种提高开口率的低寄生电容TFT阵列基板与制作方法，包括：玻璃衬底；第一金属层，形成栅极；第一栅绝缘层，固定设置在栅极与玻璃衬底的上表面；第二金属层，形成间隔分布的导电层与TP走线；第二栅绝缘层，固定设置在TP走线、导电层与第一栅绝缘层的上表面；有源层；第三金属层，形成间隔分布的源极与漏极；钝化层；公共电极，固定设置在钝化层的上表面；介质绝缘层；画素电极，固定设置在介质绝缘层的上表面本发明的优点在于：在不影响对有源层的控制能力的前提下，增大栅极与漏极之间的距离，降低栅极与漏极之间的寄生电容，漏极设置在TP走线的上方，提高TFT阵列基板的开口率。
一种提高开口寄生电容 tft 阵列制作方法

[发明专利]一种用于光伏组件焊带上的反光膜-CN201710640232.7在审
发明人：刘志;廖少荣;刘勇 -专利权人：善仁（浙江）新材料科技有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明提出一种用于光伏组件焊带上的反光膜，包括基材、背胶层、微棱镜层、反光层、绝缘层，所述背胶层设于所述基材下表面，所述微棱镜层为多个微棱镜阵列，设于所述基材的上表面，所述微棱镜的棱线方向与所述基材长度方向成15°～65°角度设置，所述反光层覆盖于所述微棱镜层表面，所述绝缘层设于反光层上表面。根据本发明实施例的用于光伏组件焊带上的反光膜，所述绝缘层设于反光层上表面，可以增加反光层的反光效果，并起到绝缘效果。也就是说，所述绝缘层可以进一步增加反光层的反光效率，进而进一步提高光能利用率，增加光伏组件的输出功率，从而能达到绝缘增效的效果。
一种用于组件带上反光

[发明专利]声表面波滤波器的封装结构及制作方法-CN201610975677.6在审
发明人：姜峰 -专利权人：无锡吉迈微电子有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明提供声表面波滤波器的封装结构，包括基体和盖板；基体的表面覆盖有第一绝缘层，在第一绝缘层表面覆盖一层压电材料；压电材料上方连接有多个金属电极；所述金属电极包括引出电极和换能器电极；引出电极和引出电极外侧的声表面波滤波器边缘被粘胶覆盖，盖板压在引出电极上的粘胶上；盖板与基体表面的压电材料之间形成密闭的空腔；在盖板中对应于引出电极上方位置设有开口，开口中和盖板上表面制作有金属线路，金属线路连接引出电极并延伸至盖板上表面；盖板上表面覆盖有第二绝缘层；第二绝缘层覆盖盖板上表面的金属线路；在第二绝缘层上开口并制作有连接金属线路的焊盘。
表面波滤波器封装结构制作方法

[发明专利]布线电路基板及其制造方法-CN200810005820.4无效
发明人：龟井胜利;中村和哉;V·塔维普斯皮波恩 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2008-02-02 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：本发明提供一种布线电路基板及其制造方法，所述布线电路基板具备第1绝缘层，形成于第1绝缘层上的具有端子部的导体布图，在第1绝缘层上的用于包覆导体布图而形成的第2绝缘层。按照端子部的表面从第1绝缘层及第2绝缘层露出的状态进行设置。至少在端子部的上表面及两侧面形成锡合金层。
布线路基及其制造方法

[实用新型]FFC排线及线束-CN201922189862.4有效
发明人：洪新江;卢兵;陈春 -专利权人：浙江新富尔电子有限公司
申请日： 2019-12-08 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种FFC排线，包括排线本体，排线本体包括第一绝缘层、导线层、第二绝缘层、第三绝缘层和补强板；第一绝缘层复合在导线层的上表面，且导线层两端上部裸露形成导电部；第二绝缘层复合在导线层的下表面上，并在导线层两端下部具有不设置第一绝缘层的预留区，预留区复合第三绝缘层，第三绝缘层的外端边缘与导线层边缘平齐，内端边缘搭接在第二绝缘层上；补强板贴合在第三绝缘层的下表面上，并将第三绝缘层的内端边缘遮盖，第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层中仅第三绝缘层为耐高温绝缘层。
ffc 排线

[发明专利]金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属装置-CN201811147906.0在审
发明人：胡振国;杨昶丰;林浩雄;潘正圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;胡振国
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：一种金属‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑金属(MISIM)装置，包括半导体层、设置在半导体层的上表面上的绝缘层、设置在半导体层的与上表面相反的下表面上的背电极以及设置在绝缘层上并且彼此间隔开的第一电极和一第二电极
绝缘体半导体层绝缘层上表面金属半导体第二电极第一电极金属装置背电极下表面

[发明专利]衬底处理方法-CN201810841057.2有效
发明人：金永勋;崔钟完;禹正俊;柳太熙 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开提供一种衬底处理方法，当在具有阶梯结构的VNAND装置上选择性地形成阻挡层时，所述衬底处理方法能够防止由蚀刻溶液导致的对阶梯结构的一部分的过度蚀刻。衬底处理方法包含：交替地堆叠第一绝缘层以及第二绝缘层；通过蚀刻堆叠的第一绝缘层以及第二绝缘层来形成阶梯式结构，所述阶梯式结构具有上表面、下表面以及使上表面连接到下表面的侧表面；使阶梯式结构致密；在致密化的第二绝缘层上形成阻挡层；以及对包含第二绝缘层以及阻挡层的牺牲字线结构的至少一部分执行各向同性蚀刻。在于各向同性蚀刻步骤处蚀刻阻挡层期间，第二绝缘层并不经蚀刻或经略微蚀刻到可忽略的程度。
衬底处理方法

[发明专利]天线基板-CN201780075166.1有效
发明人：樱井敬三 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：包含：盖基板(10)，具有以相互对置的状态按纵横的排列位于第1绝缘层(11)的两面的第1天线用导体(12)和位于第1绝缘层(11)的下表面的外周缘的第1连接焊盘(13)；框基板(20)，具有位于第2绝缘层(21)的上表面外周缘的第2连接焊盘(22)和位于第2绝缘层(21)的下表面外周缘的第3连接焊盘(23)；基底基板(30)，具有位于第3绝缘层(31)的上表面的多个第2天线用导体(32)和位于第3绝缘层(31)的上表面外周缘的第4连接焊盘(34)，基底基板(30)、框基板(20)和盖基板(10)依次被层叠，第2绝缘层(21)具有第1开口部(26)，该第1开口部具有在俯视下位置比第1天线用导体(12)的外周更靠外侧的外周
天线

[发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN201910481256.1在审
发明人：李大硕;李学承;林东灿;金泰成;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：半导体芯片包含：衬底；层间绝缘层，包含位于衬底的上表面上的底部层间绝缘层和位于底部层间绝缘层上的顶部层间绝缘层；蚀刻终止层，位于底部层间绝缘层与顶部层间绝缘层之间；接地焊盘，位于层间绝缘层上；以及贯通孔，经由衬底、层间绝缘层以及蚀刻终止层连接到接地焊盘。蚀刻终止层经隔离以免与接地焊盘直接接触。
半导体芯片及其制造方法

[发明专利]电路基板-CN201510983082.0有效
发明人：笠岛正人;小林知善;笹木哲;几岛好广 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：电路基板具有：第1绝缘层，在其上表面设有电子部件的安装区域和布线图案；金属芯，其以与安装区域上下重叠的方式设于第1绝缘层的下表面；以及第2绝缘层，其位于第1绝缘层的下表面而且设于金属芯的周围。金属芯的下表面从第2绝缘层露出，第1绝缘层和金属芯的导热率高于第2绝缘层的导热率，第1绝缘层的硬度高于第2绝缘层的硬度。电路基板还设有贯通绝缘层并连接位于绝缘层的布线图案的通孔。
路基

[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法-CN202010693343.6有效
发明人：李豪;张杰;胡舜涛;潘晓伟 -专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成沟槽；其中，所述半导体衬底的上表面设置有第一绝缘层，所述沟槽由所述半导体衬底和所述第一绝缘层围合而成；在所述沟槽底部形成屏蔽导体；在所述屏蔽导体上形成栅极导体，所述栅极导体的上表面与所述第一绝缘层的上表面齐平；去除所述第一绝缘层，所述栅极导体的上表面高出所述半导体衬底的上表面。
屏蔽沟槽 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]形成集成电路器件的方法-CN202010993772.5在审
发明人：裵泰龙;徐训硕;朴气玄;李学善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成集成电路器件的方法可以包括在衬底上形成第一绝缘层和通路接触。衬底可以包括面对通路接触的上表面，通路接触可以在第一绝缘层中并且可以包括面对衬底的下表面以及与下表面相反的上表面。该方法还可以包括在通路接触上形成第二绝缘层和金属线。金属线可以在第二绝缘层中，并且可以包括面对衬底并且与通路接触的上表面接触的下表面。金属线的下表面和金属线与通路接触之间的界面均可以在与衬底的上表面平行的水平方向上具有第一宽度。
形成集成电路器件方法

[发明专利]一种维持画素电极电势准位的阵列基板及其制作方法-CN202310082142.6在审
发明人：毛清平 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示器技术领域，提供一种维持画素电极电势准位的阵列基板，包括：玻璃衬底；第一金属层，镀在所述玻璃衬底的上表面，形成了间隔分布的栅极、第一CK信号走线与第三CK信号走线；栅绝缘层，镀在所述玻璃衬底与所述第一金属层的上表面；画素电极，镀在所述栅绝缘层的上表面；第一电极块；第二电极块；第三电极块；有源层，镀在栅极绝缘层的上表面；第二金属层，镀在所述栅绝缘层的上表面，形成了间隔分布的源极、漏极与第一信号连接线；导电层，镀在所述钝化层的上表面本发明的优点在于：导电层的电位高低与栅极的电位高低相反，栅极对于漏极的耦合效应和导电层对于漏极的耦合效应相互抵消，减小Feedthrough电压。
一种维持电极电势阵列及其制作方法

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