专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]P型通道存储器的操作方法-CN200510091964.2无效
  • 刘志拯 - 力晶半导体股份有限公司
  • 2005-08-15 - 2007-02-21 - H01L27/115
  • 一种P型通道存储器的操作方法,此P型通道存储器至少是包括:基底、位于基底上的栅极、位于基底与栅极之间的电荷陷入结构,以及位于电荷陷入结构两侧的基底中的第一源极/漏极与第二源极/漏极。此方法在进行抹除操作时,于第二源极/漏极施加第一电压,第一源极/漏极施加第二电压,栅极施加第三电压,基底施加第四电压。利用三次热空穴机制将热空穴注入电荷陷入结构中,以抹除P型通道存储器。其中,第三电压与第四电压的压差的绝对值小于或等于6伏特,且第二电压小于第三电压
  • 通道存储器操作方法
  • [发明专利]组对结构非易失性存储阵列的数据读取方法-CN202210131433.5有效
  • 禹小军;金波 - 杭州领开半导体技术有限公司
  • 2022-02-14 - 2022-05-03 - G11C16/08
  • 本发明的组对结构非易失性存储阵列的数据读取方法中,在第一数据读取周期,选中存储单元的第一存储管的字线施加零伏电压而第二存储管的字线施加开启电压,与选中存储单元不同行的非选中存储单元的第一存储管的字线施加补偿正电压而第二存储管的字线施加关断负电压;在第二数据读取周期,选中存储单元的第二存储管的字线施加零伏电压而第一存储管的字线施加开启电压,非选中存储单元的第二存储管的字线施加补偿正电压而第一存储管的字线施加关断负电压。通过两个数据读取周期的配合,关断负电压产生的软擦除作用可以通过补偿正电压产生的软编程作用来补偿,从而在不增加额外电路和读周期时间的情况下,降低读取干扰发生的概率。
  • 结构非易失性存储阵列数据读取方法
  • [发明专利]具有记忆性能的图像显示装置-CN201210027917.1有效
  • 坂本道昭;重村幸治;金子节夫;佐藤哲史;高取宪一 - NLT科技股份有限公司
  • 2012-02-08 - 2012-08-15 - G02F1/167
  • 提供了一种图像显示装置,该图像显示装置可以容易地实现包括中间色的多种颜色的表达,并且构成该图像显示装置的电泳微粒包括n种(n>2)充电微粒,每种充电微粒具有彼此不同的颜色和阈值电压,其中,其间施加电压的指定时间段包括用于施加复位电压的复位时间段、第n电压施加时间段,并且,要施加电压包括:复位电压;0V;要在第一电压施加时间段施加的第一电压(绝对值);0V;要在第k电压施加时间段施加的第k电压(绝对值);以及,0V;要在第n电压施加时间段施加的第n电压(绝对值),并且,满足|第一施加电压|>|第k施加电压|>|第n施加电压|的关系式和|第一施加电压|<|第k电压|<|第n电压|的关系式。
  • 具有记忆性能图像显示装置
  • [发明专利]非易失性半导体存储装置-CN202010013640.1在审
  • 渡邉稔史;安彦尚文 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-01-07 - 2021-03-05 - G11C16/08
  • 实施方式的半导体存储装置具备:存储单元;字线,连接于存储单元;源极线,连接于存储单元;位线,连接于存储单元;感测放大器,连接于存储单元;以及控制电路;在存储单元的读出动作中,控制电路构成为,对字线施加第1电压,在施加了第1电压之后,施加大于第1电压的第2电压,在施加了第2电压之后,施加大于第1电压且小于第2电压的第3电压,相应于对字线施加第2电压的时序而对源极线施加第4电压,在施加了第4电压之后,施加小于第4电压的第5电压,在施加了第5电压之后,施加大于第5电压的第6电压,相应于对源极线施加第4电压的时序而对感测放大器施加第7电压
  • 非易失性半导体存储装置
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法、数据存储装置及数据读写装置-CN202210013059.9在审
  • 刘翔 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-06 - 2023-07-18 - H10B12/00
  • 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、数据存储装置及数据读写装置,该半导体结构包括:衬底,衬底内形成有若干个分立的有源区;沟槽,位于有源区内;第一栅极结构,位于沟槽内,具有第一施加电压;第二栅极结构,位于沟槽内,且位于第一栅极结构上方,具有第二施加电压,第二施加电压大于第一施加电压;绝缘隔离层,位于沟槽内,且位于第一栅极结构与第二栅极结构之间。该半导体结构能够减少GIDL漏电,使得字线与源/漏极重叠区域的电子堆积增加,减少字线电阻,提升驱动电流;并且,由于GIDL漏电的减少,使得在该半导体结构的字线沟槽中形成的双栅极结构的高度可以适当增加,进一步提升驱动电流
  • 半导体结构及其制备方法数据存储装置读写
  • [发明专利]静电雾化装置-CN200780045945.3有效
  • 须田洋;中田隆行;町昌治;山口友宏;和田澄夫 - 松下电工株式会社
  • 2007-12-12 - 2009-10-14 - B05B5/057
  • 本发明公开了一种静电雾化装置,其包括用于在雾化电极(2)和反向电极(3)之间施加电压以静电雾化提供到雾化电极(3)上的水的高电压施加部(9),其中,高电压施加部(9)将施加到所述雾化电极上的电压的绝对值设置为小于施加到反向电极(3)上的电压的绝对值。这使例如收容在喷雾接收空间中的物体或限定喷雾接收空间的结构构件的内壁等对象物不易带静电,并且能够避免引起使用者接触对象物时由于静电荷的放电导致不适的问题。
  • 静电雾化装置

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