专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像形成装置-CN201510783367.X有效
  • 东一哲也 - 京瓷办公信息系统株式会社
  • 2015-11-16 - 2018-08-21 - G03G15/16
  • 图像形成装置具备:具有显影辊的显影部、感光鼓、中间转印带和电压施加部。电压施加部具备第一电压施加部和第二电压施加部。当所述显影部强制排出调色剂时,第一电压施加部将反极性的电压施加到配置在上游侧的3个一次转印辊与各自相对的感光鼓之间。此外,第二电压施加部将正极性的电压施加到配置在最下游侧的一次转印辊与感光鼓之间。
  • 图像形成装置
  • [发明专利]存储单元的编程方法-CN200810091745.8有效
  • 吴昭谊 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2008-04-14 - 2009-10-21 - G11C16/10
  • 一种存储单元的编程方法,此编程方法为,进行一第一编程,对栅极施加第一栅极电压,漏极施加第一漏极电压,源极施加第一源极电压,以及对衬底施加第一衬底电压,以使电子进入靠近漏极侧的氮化物层中。然后,进行一第二编程,对栅极施加第二栅极电压,对漏极施加第二漏极电压,对源极施加第二源极电压以及对衬底施加第二衬底电压,以使电子进入靠近源极侧的氮化物层中。其中,第二栅极电压小于第一栅极电压
  • 存储单元编程方法
  • [发明专利]P型沟道SONOS闪存单元的操作方法-CN201711330907.4有效
  • 徐涛 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2017-12-13 - 2021-04-16 - H01L27/115
  • 本发明涉及一种P型沟道SONOS闪存单元的操作方法,包括:对第一存储位编程时,在第一控制栅上施加第一电压,在第二控制栅上施加第二电压,在第一位线上施加第三电压,在第二位线上施加电压,在字线栅上施加第四电压,在N阱上施加电压;对第二存储位编程时,在第一控制栅上施加第二电压,在第二控制栅上施加第一电压,在第一位线上施加电压,在第二位线上施加第三电压,在字线栅上施加第四电压,在N阱上施加电压
  • 沟道sonos闪存单元操作方法
  • [发明专利]电介质阻挡层放电灯光源装置-CN99800030.2有效
  • 冈本昌士;广濑贤一 - 优志旺电机株式会社
  • 1999-01-11 - 2004-09-08 - H05B41/24
  • 供电装置(7),通过升压变压器(8)对电介质阻挡层放电灯(1)施加大致周期性波形的高电压。利用与施加电压波形的点火点对应的点(K),满足Vy/Vx=1.0,其中,Vx是Vk-Vf的绝对值,Vy是Vh-Vb的绝对值,Vk是与上述灯施加电压波形的放电开始时对应的点(K)上的电压,Vf是与所述灯施加电压波形的放电开始时对应的点(K)所属放电的前一次放电的放电结束时对灯施加电压,Vh是在从通过与上述灯施加电压波形的放电开始时对应的点(k)的时刻,到灯施加电压的极性变化为止的期内,表示灯施加电压的绝对值极大的点(U5)的灯施加电压,而Vb是在从与上述灯施加电压波形的放电开始时对应的点(k)到表示上述灯施加电压的绝对值极大的点(U5)的闭区间中绝对值为最小的灯施加电压波形上的点(U4)的灯施加电压
  • 电介质阻挡电灯光源装置
  • [发明专利]n沟道SONOS器件及其编译方法-CN201410428695.3有效
  • 顾经纶 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-08-27 - 2020-05-15 - H01L29/792
  • 本发明公开了一种n沟道SONOS器件,包括:p型半导体衬底,其包括n型掺杂的源区和漏区,以及位于源漏区之间的p型掺杂的晕圈注入区;以及位于p型半导体衬底上n型掺杂的源漏区之间的栅极结构,该栅极结构依次包括遂穿氧化层当n沟道SONOS器件编译时,通过在多晶硅栅极上施加正的栅极电压、在源区施加0V的源极电压、在漏区施加大于源极电压的漏极电压以及在衬底上施加正的衬底电压,在栅极电压和源极电压电压差作用下使得晕圈注入区靠近源区和遂穿氧化层的区域中产生带带遂穿电子,该带带遂穿电子在衬底电压和源极电压电压差作用下加速并在栅极电压作用下进入遂穿氧化层。
  • 沟道sonos器件及其编译方法
  • [发明专利]非易失性存储器的操作方法-CN200610094108.7无效
  • 黄丘宗;陈育志 - 力晶半导体股份有限公司
  • 2006-06-22 - 2007-12-26 - H01L27/115
  • 本发明公开了一种非易失性存储器的操作方法,适用于操作一存储单元,此存储单元包括设置于基底中的源极与漏极;设置于源极与漏极之间的基底上的堆叠栅极结构,堆叠栅极结构由下而上包括浮置栅极与控制栅极;以及设置于堆叠栅极结构侧壁的选择栅极,此选择栅极位于堆叠栅极结构与漏极之间的基底上。这个操作方法例如是在进行编程操作时,于控制栅极施加第一正电压,于漏极施加第二正电压,于选择栅极施加第一负电压,于基底施加第二负电压,并且使源极浮置,以利用沟道启始二次电子注入效应,将电子注入浮置栅极中。
  • 非易失性存储器操作方法
  • [发明专利]图象显示设备及其控制方法-CN00131377.0无效
  • 大塚浩 - 三菱电机株式会社
  • 2000-08-17 - 2001-04-11 - G06F3/153
  • 在图象显示设备中,根据省电模式下先前被测功耗、施加电压及其施加时间之间的关系以及解除省电模式后屏幕的上述时间计算加热器施加电压和该加热器施加电压施加时间,以便实现每种模式所需的功耗及上述时间。在计算结果的基础上,控制被切换电压的占空比或加热器施加电压施加时间。与此同时,一旦解除了省电模式,就只在所计算的时间间隔内施加比正常显示模式下的加热器施加电压高的电压
  • 图象显示设备及其控制方法

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