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[发明专利]受光元件以及测距模块-CN201910589997.1在审
发明人：荻田知治 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述受光元件具备片上透镜、布线层以及配置在片上透镜和布线层之间的半导体层，半导体层包括：被施加第一电压的第一电压施加部；被施加与第一电压不同的第二电压的第二电压施加部；配置在第一电压施加部的周围的第一电荷检测部；配置在第二电压施加部的周围的第二电荷检测部；以及贯穿半导体层的贯穿电极。通过贯穿电极对半导体层的片上透镜侧的面上形成的规定的膜施加第三电压。本发明例如可以应用在以ToF方式生成距离信息的受光元件等上。
电压施加部半导体层片上透镜受光元件电荷检测部布线层电极贯穿配置施加测距模块距离信息膜施加应用

[发明专利]静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电子器件的制造方法-CN201910889616.1在审
发明人：柏仓一史;石井博;细谷映之 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电子器件的制造方法，静电吸盘系统的特征在于，包括：静电吸盘，包括电极部；电压施加部，用于对所述静电吸盘的所述电极部施加电压；以及电压控制部，用于控制基于所述电压施加部的电压施加，所述电压控制部控制所述电压施加部，以对吸附有第1被吸附体并隔着所述第1被吸附体吸附有第2被吸附体的所述静电吸盘的电极部，依次施加用于使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的第1电压和用于使所述第1被吸附体从所述电极部分离的第2电压。
静电吸盘系统装置吸附分离方法电子器件制造

[发明专利]静电吸盘系统、成膜装置和方法、吸附方法-CN201910369386.6有效
发明人：柏仓一史;石井博 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供静电吸盘系统、成膜装置和方法、吸附方法及电子器件的制造方法，静电吸盘系统用于吸附第1被吸附体和隔着所述第1被吸附体吸附第2被吸附体，其特征在于，该静电吸盘系统包括：静电吸盘，具有多个吸附部；电压施加部，对所述多个吸附部施加电压；以及电压控制部，用于控制所述电压施加部对电压的施加，所述电压控制部控制所述电压施加部，使得用于吸附所述第2被吸附体的吸附电压从所述静电吸盘的所述多个吸附部中的第1吸附部起在至少一个方向上依次被施加
静电吸盘系统装置方法吸附

[发明专利]电压调节器-CN201210028561.3有效
发明人： H·索奇特 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明通过采取用差分放大电路检测流过感测晶体管的感测电流的结构，在输入输出电压差较小、输出电流较多的状态下，即使输出电压没有下降也能够施加过电流保护。另外，能够获得完美的折形特性。从而提供在输入输出电压差较小时，也能够在输出电流较多的状态下不等输出电压的下降就施加过电流保护的电压调节器。
电压调节器

[发明专利]水检测装置及水检测方法-CN202110286482.1在审
发明人：内海秀俊;福岛岳大;小西俊介;堀裕一;柘植穂高 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01V3/04 文献下载
摘要：水检测装置(10a)的电压施加部(54)对一对电极(52)施加在包含第1电压和第2电压的施加范围内变化的电压，其中，第1电压是比水(W)的电解电压小的电压，第2电压是比水(W)的电解电压大的电压。判定部(58)根据当对一对电极(52)施加在施加范围内变化的电压时由电流测量部(56)测量出的电流的变化来判定有无水(W)。据此，能够提高反应气体流路内的液态的水的检测精度。
检测装置方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜测试装置-CN202011109735.X在审
发明人：朴瑨哲;柳贤雨 -专利权人：亚威科股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物半导体薄膜测试装置，包括：接触部，用于与氧化物半导体薄膜接触；电压施加部，与所述接触部连接，通过所述接触部向所述氧化物半导体薄膜施加测试电压，所述测试电压从预设的初始电压升高至预设的最大电压之后再次降低至所述初始电压；电流测量部，用于测量对所述氧化物半导体薄膜施加所述测试电压时的测试电流；以及计算部，在所述测试电压以从所述初始电压升高至所述最大电压之后再次降低至所述初始电压的方式施加于所述氧化物半导体薄膜的过程中，利用由所述电压施加部施加于所述氧化物半导体薄膜的测试电压和由所述电流测量部按照不同的所述测试电压分别测量的测试电流，计算所述氧化物半导体薄膜的电特性值。
氧化物半导体薄膜测试装置

[发明专利]存储阵列的擦除方法-CN201410425720.2有效
发明人：胡剑;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：所述存储单元包括P型阱区、漏极、源极、第一控制栅极、第二控制栅极以及中间电极，所述存储单元的擦除方法包括施加第一偏置电压至所述P型阱区；施加第二偏置电压至所述漏极；施加第三偏置电压至所述源极；施加‑6V～‑8V电压至所述第一控制栅极；施加‑6V～‑8V电压至所述第二控制栅极；施加8V～9V电压至所述中间电极；所述第一偏置电压的电压值为负，且所述第一偏置电压的电压值、所述第二偏置电压的电压值以及所述第三偏置电压的电压值相等
存储阵列擦除方法

[发明专利]等离子体显示面板的驱动方法及等离子体显示装置-CN200880010555.7无效
发明人：小川兼司;赤松庆治;新井康弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G09G3/28 文献下载
摘要：将等离子体显示面板的扫描电极分割为2个扫描电极组，使子场的写入期间分割为对应于2个扫描电极组的2个写入期间，至少在一个期间的写入期间，向属于施加扫描脉冲的扫描电极组的扫描电极依次施加扫描脉冲，该扫描脉冲从比扫描脉冲电压高的第2电压过渡到扫描脉冲电压并再次过渡到第2电压，向属于未施加扫描脉冲的扫描电极组的扫描电极施加电压，该电压是比扫描脉冲电压高的第3电压与比第2电压及第3电压高的第4电压中的任一电压，至少在向相邻的扫描电极施加扫描脉冲电压期间，施加第3电压。
等离子体显示面板驱动方法显示装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201710701389.6有效
发明人：中川知己;细野浩司 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备控制电路，所述控制电路是在对存储单元写入数据的情况下，进行对字线施加第1电压的第1编程，进行对字线施加比第1电压低的第2电压的第1编程验证，进行对字线施加比第1电压低且比第2电压高的第3电压的第2验证，在进行第1及第2验证之后，调整对位线施加的电压，进行第1编程、第1及第2验证，当完成第2验证时，进行对字线施加比第1电压高的第4电压的第2编程，当完成第2编程时，进行对字线施加比第4电压高的第5电压的第3编程。
半导体存储装置

[发明专利]影像处理电路、影像处理方法、液晶显示器及电子设备-CN201310036365.5有效
发明人：北川拓;保坂宏行 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：抑制在各帧中由修正电压的施加引起的液晶元件的透射率变化，减小反向倾斜域。其特征在于，影像处理电路（30）包括边界检测部，在正常黑模式下，检测影像信号（Vid‑in）指定的施加电压低于第1电压的第1像素和上述施加电压超过比上述第1电压大的第2电压的第2像素的边界；修正部，将与上述边界检测部检测的边界相接的上述第1像素所对应的指定液晶元件的施加电压的影像信号修正为在1帧期间的一部分的期间指定比该施加电压高的修正电压，在该1帧期间的其他的期间指定比该施加电压低的修正电压的影像信号。
影像处理电路方法液晶显示器电子设备

[发明专利]受光元件和测距模块-CN201910584603.3在审
发明人：井本努;矶谷优治;丸山卓哉;村瀬拓郎;渡辺竜太;山崎武 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：半导体层包括被施加第一电压的第一电压施加单元、被施加不同于第一电压的第二电压的第二电压施加单元、布置在第一电压施加单元的周边处的第一电荷检测、布置在第二电压施加单元的周边处的第二电荷检测单元以及设置在有效像素区域外侧的电荷排出区域
电压施加单元半导体层片上透镜受光元件配线层周边处施加电荷检测单元有效像素区域电荷检测距离信息排出区域电荷应用

[发明专利]供电控制装置、检查方法和计算机程序-CN202180023691.5在审
发明人：泽野峻一 -专利权人：株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H02J1/00 文献下载
摘要：驱动电路(23)在电阻电路(25)的两端之间的电压为基准电压以上的电压的情况下进行告知。微型机(27)指示施加电路(26)向电阻电路(25)施加电压。由此，施加电路(26)将基准电压以上的电压施加于电阻电路(25)。微型机(27)在指示施加电路(26)向电阻电路(25)施加电压之后，判定驱动电路(23)是否进行告知。
供电控制装置检查方法计算机程序

[实用新型]受光元件以及测距模块-CN201921012940.7有效
发明人：闺宏司;丸山卓哉 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：受光元件具备受光区域以及分离部，该受光区域具有：第一电压施加部，被施加第一电压；第一电荷检测部，设置于所述第一电压施加部的周围；第二电压施加部，被施加与所述第一电压不同的第二电压；以及第二电荷检测部，设置于所述第二电压施加部的周围
元件以及测距模块

[实用新型]受光元件和测距模块-CN201921012547.8有效
发明人：井本努;矶谷优治;丸山卓哉;村瀬拓郎;渡辺竜太;山崎武 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：半导体层包括被施加第一电压的第一电压施加单元、被施加不同于第一电压的第二电压的第二电压施加单元、布置在第一电压施加单元的周边处的第一电荷检测、布置在第二电压施加单元的周边处的第二电荷检测单元以及设置在有效像素区域外侧的电荷排出区域
元件测距模块

[发明专利]一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法-CN202211439572.0在审
发明人：夏晓川;王鸿运;张贺秋;柳阳;张赫之;张克雄;马浩然;张振中;梁红伟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法，包括碳化硅材料、第一直流偏置电压施加层和第二直流偏置电压施加层。碳化硅材料为待表征主体，其表面形状为矩形或正方形；第一直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的一侧边沿处，二者的三条边对齐；第二直流偏置电压施加层在待测碳化硅材料上表面的另一侧边沿处，二者的三条边对齐，且此边沿与第一直流偏置电压施加层所在边沿相对。本发明设计了一种用于表征处于电荷输运基态下碳化硅材料少子寿命的结构，并提出了一种有效而简便的测试方法，解决了获取工作状态下碳化硅材料少子寿命关键参数的难题，能够填补碳化硅关键电学性能参数空白。
一种表征直流偏置状态碳化硅少子寿命结构方法