“纳米硅管”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3871209个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种多孔硅-碳纳米管复合材料及其制备方法和应用-CN201910817457.4有效
发明人：黄少真;羊启发;任望保;余永龙;朱成奔;陈彩凤;陈君 -专利权人：深圳市德方纳米科技股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔硅‑碳纳米管复合材料的制备方法，包括：向金属盐溶液中加入硅粉，在搅拌状态下，添加碱液，得到混合液，pH为12.0‑14.0；将所述混合液转移至水热反应釜中，于120‑200℃下，恒温反应4‑30小时，反应结束后，反应液经过滤、洗涤和真空干燥后，收集得到前驱体；将所述前驱体置于管式炉中，于惰性环境下，通入碳源，高温煅烧后，得到多孔硅‑碳纳米管复合材料粗品；然后进行酸处理，然后水洗至中性，经真空干燥后，收集得到多孔硅－碳纳米管复合材料。该制备方法工艺简单，制得的多孔硅‑碳纳米管复合材料导电性良好，体积效应低，循环稳定性能突出。本发明还提供了多孔硅‑碳纳米管复合材料及其应用。
碳纳米管复合材料多孔硅混合液前驱体循环稳定性能制备方法工艺导电性金属盐溶液水热反应釜惰性环境高温煅烧恒温反应体积效应管式炉酸处理粗品硅粉碱液洗涤制备应用

[发明专利]管壁呈放射孔排列的右手螺旋硅纳米管材料及制备方法-CN201910472309.3在审
发明人：陈媛丽;王栋;查新林;王跃丹 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种管壁呈放射孔排列的右手螺旋硅纳米管材料及制备方法，属于纳米材料技术领域。该硅纳米管材料由一根以上的长度为100nm～20μm、直径为3nm～100nm之间的硅纳米管在空间中排列组成，每根硅纳米管为一端开口、另一端封闭设置的中空腔体，在中空腔体的侧壁上分布有一个以上的孔道，每个孔道均为从中心向边缘辐射的放射状孔道该手性硅纳米管的比表面积达到600～1400m²/g，其可作为药物、蛋白和基因的纳米载体用于体内治疗，同时，具备该结构的手性纳米管还可进一步组装亦可用于手性催化和拆分等领域。
硅纳米管孔道右手螺旋中空腔体管材放射孔硅纳米手性制备纳米材料技术边缘辐射纳米载体平均孔径手性催化一端封闭一端开口放射状纳米管侧壁管壁种管蛋白组装体内基因治疗

[发明专利]碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法-CN201210471784.7无效
发明人：崔立峰;李奇峰;王辉;杨克涛 -专利权人：江苏科捷锂电池有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管-硅复合负极材料的制备方法。该方法包括以下步骤：步骤一，将碳纳米管分散形成碳纳米管悬浮液，将500目铜网浸入碳纳米管悬浮液中再取出，干燥后制得由铜网支撑的碳纳米管薄膜，使其与铜网分离，制得所需的碳纳米管薄膜；步骤二，将碳纳米管薄膜置于管式炉中，充入氩气，在600℃下处理50min，通入硅烷和氩气的混合气体，通过测微天平精确测量碳纳米管薄膜沉积前后的质量，通过控制化学气相沉积的时间、硅烷的分压和流速来控制Si的沉积量。本发明的方法制备碳纳米管-硅复合负极材料，其工艺方法简单、制造成本低，适应于大规模的生产；制备的碳纳米管-硅复合负极材料容量高、安全性好。
纳米复合负极材料制备方法

[发明专利]一种硅基底的清洗方法-CN201910699009.9有效
发明人：辛培培 -专利权人：烯湾科城（广州）新材料有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基底清洗方法，包括如下步骤：获取残留有碳纳米管和其他杂质的硅基底，对所述硅基底进行高温灼烧处理；对经所述高温灼烧处理后的硅基底进行物理清洗；对经物理清洗处理后的硅基底进行吹干，随后得到可重复使用的硅基底清洗后硅片表面颜色均匀一致，无斑点、灰印问题；二次碳纳米管生长试验表明碳纳米管产量达到新硅片的91％‑94％，基本达到目标要求。
一种基底清洗方法

[发明专利]一种硅基底的清洗方法-CN201910699156.6有效
发明人：辛培培 -专利权人：烯湾科城（广州）新材料有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基底清洗方法，包括如下步骤：获取残留有碳纳米管和其他杂质的硅基底，对所述硅基底进行高温灼烧；对经高温灼烧的硅基底用酸溶液进行化学清洗处理；对经化学清洗处理后的硅基底进行物理清洗处理；对经物理清洗处理后的硅基底进行吹干，随后得到可重复使用的硅基底。清洗后硅片表面颜色均匀一致，无斑点、灰印问题；二次碳纳米管生长试验表明碳纳米管产量达到新硅片的90％‑97.8％，基本达到目标要求。
一种基底清洗方法

[发明专利]一种碳化硅纳米材料及其制备方法-CN201910218578.7有效
发明人：曹宏;袁密;安子博;郑雨佳;李梓烨;薛俊 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C01B32/97 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅纳米材料及其制备方法，碳化硅纳米材料为纳米带状结构。碳化硅纳米材料的制备方法包括如下步骤：以一氧化硅为硅源，以碳纳米管为碳源制备得到一氧化硅和碳纳米管的混合分散液，硅源和碳源按照硅元素与碳元素的摩尔比(0.5‑3)：1投料混合；对分散液进行干燥，得到前驱体；将前驱体在真空度为0.03‑0.1MPa，温度为1000‑1400℃的条件下煅烧，得到粗产物；对粗产物进行除硅处理得到碳化硅/碳纳米管复合物，将碳化硅/碳纳米管复合物在空气或氧气气氛下焙烧，得到碳化硅纳米带，根据本发明的方法以碳纳米管为碳源制备的碳化硅材料为碳化硅纳米带，且原料易得，工艺简单，设备要求低，成本低，有利于实现碳化硅纳米带的规模化生产。
一种碳化硅纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种改性氧化亚硅/碳纳米管复合负极材料及其制备方法-CN202011586742.9有效
发明人：王有治;张君玉;黄强;罗才坤;贺金味 -专利权人：成都硅宝科技股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性氧化亚硅/碳纳米管复合负极材料及其制备方法,将硅烷偶联剂预水解,预水解后的硅烷偶联剂、氧化亚硅和表面活性剂在溶剂中超声分散得到分散液,分散液于反应釜中惰性气氛下加热搅拌，得到改性氧化亚硅溶液，所述的改性氧化亚硅溶液与碳纳米管混合后超声分散，抽滤、洗涤、烘干，加入碳源中进行混料包覆，烧结后粉碎得到改性氧化亚硅/碳纳米管复合负极材料。本发明将氧化亚硅颗粒进行表面改性，在氧化亚硅负极材料中添加适量的碳纳米管，在改性氧化亚硅表面包覆一层碳源，有效提高了负极材料的循环性能。
一种改性氧化纳米复合负极材料及其制备方法

[发明专利]一种以多孔硅为基底制备硅纳米管的方法-CN201210515865.2无效
发明人：刘祥;程鹤鸣;崔平 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种以多孔硅为基底制备硅纳米管的方法，属于新材料制备技术领域。该制备方法首先将清洗后的平面硅片浸入氢氟酸和硝酸银混合水溶液中发生化学反应使之转化为多孔硅片；再将其浸入含氟化合物和金属离子的混合水溶液中，发生化学反应，反应一定时间后取出，用盐酸浸泡处理，然后用大量去离子水冲洗，并用氮气吹干，最终获得具有现实意义上的硅纳米管与现有制备硅纳米管的技术相比，本发明是以多孔硅作硅源，充分利用了硅元素本身所具有的化学性质，能在较低温度和常压下制备硅纳米管，而不需要高温、高压、高真空等苛刻条件，且制备过程简单。
一种多孔基底制备纳米方法

[发明专利]一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置-CN201510293011.8有效
发明人：陆文强;何培培;石彪;冯双龙;李昕;王亮;宋金会 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，所述反应装置包括一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底、供盛放化学反应物原料的舟以及供输入反应气体的管式真空炉，所述硅衬底和舟放置于所述管式真空炉内，所述硅衬底水平放置于所述舟的上方，且所述硅衬底上制备有周期性纳米硅柱的一面朝向所述舟上的化学反应物原料。本发明通过将表面制备有周期纳米硅柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上，以控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路，而不需要镀金膜作为催化剂，从而节省了工序和降低了成本。
一种用于电极制备横向纳米反应装置

[实用新型]一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置-CN201520369889.0有效
发明人：陆文强;何培培;石彪;冯双龙;李昕;王亮;宋金会 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，所述反应装置包括一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底、供盛放化学反应物原料的舟以及供输入反应气体的管式真空炉，所述硅衬底和舟放置于所述管式真空炉内，所述硅衬底水平放置于所述舟的上方，且所述硅衬底上制备有周期性纳米硅柱的一面朝向所述舟上的化学反应物原料。本实用新型通过将表面制备有周期纳米硅柱的硅电极衬底生长面向下放置在盛有化学反应物的舟上，以控制横向生长纳米线网形成纳米网桥接电路，而不需要镀金膜作为催化剂，从而节省了工序和降低了成本。
一种用于电极制备横向纳米反应装置

[发明专利]多孔硅基多壁碳纳米管复合材料气敏传感器及其制备方法和应用-CN201910077066.3在审
发明人：严达利;李申予;夏曙光;曹猛 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2019-01-27 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔硅基多壁碳纳米管复合材料气敏传感器及其制备方法和应用，传感器包括大孔径的多孔硅基底、一层设置在所述多孔硅基底顶面边界处的Pt膜电极、与所述Pt膜电极连接以确保Pt膜电极与多孔硅基底之间实现欧姆接触的铜丝、电泳法沉积在所述多孔硅基底上的多壁碳纳米管薄膜以及对称设置在所述多孔硅基底上表面的两块方形的Pt电极；利用双槽电化学腐蚀法制备大孔径的多孔硅基底，采用电泳法在其表面可控沉积多壁碳纳米管，构建新型的多壁碳纳米管/多孔硅纳米复合材料气敏传感器，能够在室温下对二氧化氮和氨气气体具有高灵敏度、快速的响应/恢复特性、良好稳定性以及与硅基集成电路系统的良好兼容性。
多孔基多纳米复合材料传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种碳包覆改性硅复合物的锂离子电池负极材料及其制法-CN202010418552.X在审
发明人：王正辉 -专利权人：新昌县旭辉新材料科技有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池负极材料技术领域，且公开了一种碳包覆改性硅复合物的锂离子电池负极材料，包括以下配方原料：碳纳米管负载纳米硅材料、Li2CO硅复合物的锂离子电池负极材料，碳纳米管负载纳米硅材料增强了负极材料的导电性，促进了电荷和锂离子的扩散和转移，纳米硅表面的预锂化形成Li2SiO3层，为锂离子的迁移提供了传输通道，同时减轻了纳米硅在脱嵌锂时产生的体积膨胀效应，磷酸酯酰胺类聚合物的三维支化网络结构形成大量的孔道，使碳纳米管负载纳米硅材料均匀地分散在支化孔道中，煅烧形成富氮富磷的多孔碳包覆改性硅复合物的负极材料。
一种碳包覆改性复合物锂离子电池负极材料及其制法

[发明专利]一种无集流体硅基负极的制备方法及纤维锂离子电池-CN202111284288.6有效
发明人：帅波;徐雄文;王志斌 -专利权人：湖南立方新能源科技有限责任公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明提供一种无集流体硅基负极的制备方法及纤维锂离子电池，方法包括以下步骤：将阵列排布的可纺碳纳米管采用阵列拉膜的同时依次浸入酸溶液和硅基纳米材料分散液中，再喷洒聚合物分散液，加捻，收集，得到无集流体硅基负极本发明以阵列碳纳米管膜为基底，通过界面自组装方法将活性硅基纳米材料均匀地负载在碳纳米管搭接形成的孔隙间，有利于提高负极的克容量。加捻后的碳纳米管三维网状结构可以有效缓解硅的膨胀，而且避免了集流体的使用，从而显著提高了锂离子电池的能量密度和循环性能，无集流体硅基负极的克容量为987～2753mAh/g；电池的能量密度为380～420Wh
一种流体负极制备方法纤维锂离子电池

[发明专利]一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法-CN201110138735.7有效
发明人：黄如;樊捷闻;艾玉杰;孙帅;王润声;邹积彬;黄欣 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法腐蚀硅材料，悬空连接源漏的硅细线条；将硅细线条缩小到纳米尺寸形成硅纳米线；淀积多晶硅薄膜；通过电子束光刻形成多晶硅栅线条，跨过硅纳米线，并形成全包围纳米线的结构；通过在衬底上淀积氧化硅薄膜和接下来的刻蚀氧化硅工艺，在多晶硅栅线条两侧形成氧化硅侧墙；通过离子注入和高温退火，形成源漏结构，最终制备出纳米线场效应晶体管，该方法与常规集成电路制造技术兼容，制备工艺简单、方便、周期短。
一种基于湿法腐蚀制备纳米场效应晶体管方法

[发明专利]一种碳纳米管-硅碳复合负极材料的制备方法-CN202010970013.7有效
发明人：李昂 -专利权人：珠海中科兆盈丰新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管/硅碳复合负极材料的制备方法，其制备过程为：配置氨基化硅烷的缓冲溶液，之后添加过量的酰氯化碳纳米管，并在催化剂的条件下进行酰胺化反应，得到酰胺化碳纳米管/硅烷溶液，之后聚合、高温氢气还原得到化学键连接的碳纳米管/硅氧化合物。其制备出的复合材料由于碳纳米管通过化学键将碳纳米管与硅化合物连接起来形成网络结构，利用其碳纳米管高的导电性及其力学强度降低其硅氧化合物的膨胀，同时经过高温烧结形成的多孔结构缓冲其材料的膨胀，其制备出的材料应用于锂离子电池具有循环性能好
一种纳米复合负极材料制备方法