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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种实现半导体器件隔离的方法-CN201510578208.6有效
  • 黎明;陈珙;杨远程;樊捷闻;张昊;黄如 - 北京大学
  • 2015-09-11 - 2019-04-02 - H01L21/762
  • 本发明公开了一种实现集成电路中半导体器件隔离的方法，该方法结合热氧化与淀积技术，先形成半导体器件的有源区；然后填充高深宽比间隙形成窄STI隔离；最后再填充低深宽比间隙形成宽STI隔离。本发明的优点如下：无论对于微米尺度的间隙还是技术节点为亚45nm的高深宽比间隙，都具有优异的间隙填充能力，填充质量好，不会产生空洞和裂缝；填充速率快，且稳定可控；不存在HDP‑CVD对衬底的刻蚀损伤；对间隙的截面形貌没有依赖性；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。
  • 一种实现半导体器件隔离方法
  • [发明专利]一种基于磁阻效应的电子器件开关-CN201610751139.9有效
  • 黎明;陈珙;樊捷闻;黄如 - 北京大学
  • 2016-08-29 - 2018-10-19 - H01L43/08
  • 本发明提供一种基于磁阻效应的电子器件开关，该开关包括有源层、隔离层和控制线；其中，有源层包括源电极、漏电极以及连接二者的导电沟道；隔离层覆盖有源层；在隔离层上形成与导电沟道方向一致的控制线。当控制线中无电流流过时，不激发磁场，有源层中的电流从源电极流经导电沟道，从漏电极流出，导电沟道中的电子不受洛伦兹力影响，无磁阻现象，开关处于开态；当控制线中有电流流过时，激发出环形磁场，此时导电沟道中的电子受到洛伦兹力的影响，发生偏转而与沟道表面间的散射加剧，致使载流子沿沟道方向的速度损失，出现磁阻现象，有源层中的电流被关断，开关处于关态。与现有技术相比，本发明具有良好的抗辐射性、开关效率高。
  • 一种基于磁阻效应电子器件开关
  • [发明专利]一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法-CN201410502998.5有效
  • 黎明;樊捷闻;杨远程;宣浩然;黄如 - 北京大学
  • 2014-09-26 - 2017-06-06 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种制备纳米尺度场效应晶体管的方法，属于大规模集成电路制造技术领域。该方法的核心是在SOI衬底上外延生长制备纳米尺度场效应晶体管，本发明利用外延工艺可以精确控制纳米尺度器件沟道的材料、形貌，进一步优化器件性能；其次，通过实现不同的沟道掺杂类型和掺杂浓度，可以灵活的调整阈值电压以适应不同IC设计的需要；且可以获得高度方向上宽度一致的栅结构，减小器件的寄生和涨落，同时又能够很好的与CMOS后栅工艺兼容，流程简单，成本较低，可应用于未来大规模半导体器件集成中。
  • 一种制备纳米尺度场效应晶体管方法
  • [发明专利]一种超薄硅化物的制备方法-CN201510702268.4在审
  • 黎明;陈珙;杨远程;张昊;樊捷闻;黄如 - 北京大学
  • 2015-10-26 - 2017-05-03 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种超薄硅化物的制备方法。本方法为1)在硅衬底上制备插入阻挡层；2)在制备的阻挡层上制备一金属层；3)对步骤2)得到的结构进行退火，使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物；4)去除多余的金属以及该插入阻挡层，得到超薄硅化物。本发明可实现小于2nm的超薄硅化物的制备，且通过改变插入阻挡层的厚度来控制驱入的金属量，以此可以得到同一金属但不同物相和不同厚度的硅化物，工艺可控性高；形成的超薄硅化物具有低电阻率、低肖特基势垒、均匀性好和平整度好的特点；对常规超薄硅化物制备方法中金属的淀积工艺窗口大大放宽；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。
  • 一种超薄硅化物制备方法
  • [发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201410275700.1有效
  • 黎明;杨远程;樊捷闻;宣浩然;张昊;黄如 - 北京大学
  • 2014-06-19 - 2017-01-25 - H01L23/528
  • 一种半导体结构，包括一半导体衬底，多层超细硅线条，所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制。形成方法包括通过刻蚀工艺形成鱼鳍状硅岛Fin及其两端的源漏区；制备硅的腐蚀掩蔽层；形成多层超细硅线条。本发明的优点最终形成的多层超细硅线条的位置与截面形状均匀、可控；对硅的各向异性腐蚀是自停止的，工艺窗口大，可在同一硅片上实现不同直径的硅线条；ICPECVD具有较强的窄槽填充能力，淀积牺牲层和腐蚀掩蔽层材料时无空洞；结合氧化技术可以制备尺寸小于10nm的线条，满足小尺寸器件关键工艺的要求；采用自上而下的加工方法，完全和体硅平面晶体管工艺兼容，工艺成本代价小。
  • 一种半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]一种制备多层超细硅线条的方法-CN201410098730.X有效
  • 黎明;杨远程;樊捷闻;宣浩然;张昊;黄如 - 北京大学
  • 2014-03-17 - 2014-05-28 - H01L21/02
  • 一种制备多层超细硅线条的方法，包括：制备硅的腐蚀掩蔽层；外延形成Fin及其两端的源漏区；形成多层超细硅线条。本发明的优点如下：原子层淀积可准确定义超细线条的位置，可控性好；对硅的各向异性腐蚀是自停止的，工艺窗口大，腐蚀所得的纳米线截面形貌均匀、平整；采用先制备掩膜，后外延沟道的方法，形成多层侧壁腐蚀掩膜的工艺简单，不论掩蔽层层数多少，仅需一次外延窗口的刻蚀即可得到多层侧壁掩膜；结合氧化技术可以制备尺寸小于10nm的线条，满足小尺寸器件关键工艺的要求；采用TMAH溶液湿法腐蚀多晶硅，操作简便，安全；不会引入金属离子，适用于集成电路制造工艺中；完全和体硅平面晶体管工艺兼容，工艺成本代价小。
  • 一种制备多层超细硅线条方法
  • [发明专利]制备准SOI源漏多栅器件的方法-CN201310696063.0有效
  • 黄如;樊捷闻;黎明;杨远程;宣浩然 - 北京大学
  • 2013-12-18 - 2014-04-02 - H01L21/336
  • 本发明公开一种制备准SOI源漏多栅器件的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域，所述方法依次包括如下步骤：在第一半导体衬底上形成Fin条形状的有源区；形成STI隔离层；淀积栅介质层和栅材料层，形成栅叠层结构；形成源漏延伸区的掺杂结构；形成凹陷源漏结构；形成准SOI源漏隔离层；原位掺杂外延第二半导体材料源漏，并进行退火激活；将假栅去掉，重新进行高k金属栅的淀积；形成接触和金属互联。该方法可有效降低泄漏电流，减小器件的功耗，具有较小的热预算，且工艺简单，能与传统CMOS工艺兼容，还能应用到除硅以外的半导体材料，有利于应有到大规模集成电路制造中。
  • 制备soi源漏多栅器件方法
  • [发明专利]制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法-CN201310697719.0有效
  • 黄如;樊捷闻;黎明;杨远程;宣浩然 - 北京大学
  • 2013-12-18 - 2014-03-26 - H01L21/336
  • 本发明公开一种制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法，包括如下步骤：形成器件的有源区；形成器件的栅叠层结构；形成源漏延伸区的掺杂，并在栅叠层两侧形成第一层侧墙；形成凹陷的源漏结构；形成准SOI源漏隔离层；原位掺杂外延第二半导体材料源漏，并进行退火激活；若采用后栅工艺则去掉之前的假栅，重新进行高k金属栅的淀积；形成接触和金属互联。本发明所述方法能很好地与现有CMOS工艺兼容，具有工艺简单、热预算较小的特点，相比传统的场效应晶体管，依据本发明所述方法制备的准SOI源漏场效应晶体管器件能有效降低泄漏电流，减小器件的功耗。
  • 制备soi场效应晶体管器件方法
  • [发明专利]一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置-CN201310187691.6有效
  • 黄如;李佳;黎明;樊捷闻;杨远程;宣浩然 - 北京大学
  • 2013-05-20 - 2013-09-11 - G01B11/30
  • 本发明涉及一种测量FinFET器件侧墙表面粗糙度的方法及装置，装置包括：显微镜、多个光纤传感器以及后端处理设备，将光纤传感器的光纤探头置于Fin线条侧墙同一侧，光纤探头和Fin表面距离在准直光纤临界距离内发射入射光；收集经过散射的光束，将光束转化为电信号输出；根据该电信号计算得到表面粗糙度。本发明的方法解决了其他测量仪器无法测量垂直侧墙粗糙度这一问题，有利于半导体制备工艺中纳米线条制备的表征，对集成电路制备工艺研究有重要意义。本发明的装置结构简单，成本低。测量系统组成仪器简单易购买，光学系统测量，无需使用探针，没有消耗配件，成本相对较低。
  • 一种测量finfet器件表面粗糙方法装置
  • [发明专利]调节多栅结构器件阈值电压的方法-CN201310103272.X有效
  • 黎明;樊捷闻;李佳;许晓燕;黄如 - 北京大学
  • 2013-03-28 - 2013-07-24 - H01L21/336
  • 本发明公布了一种调节多栅结构器件阈值电压的方法，其特征是，制备多栅结构器件，使之形成表面高掺杂内部低掺杂的沟道杂质分布，利用杂质掺杂在调节阈值电压的同时，尽量减小库伦杂质散射对于载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平。首先，该方案能够使得多栅器件获得较大范围的多阈值电压，方便IC设计人员在电路设计过程中对于器件的不同需求。其次，在引入杂质掺杂以调整阈值电压过程中，尽量减小了库伦杂质散射对于沟道载流子的影响，使得载流子的迁移率维持在较高水平，保证器件拥有较高的驱动电流。最后，该方案可以通过与传统CMOS兼容的工艺方法实现，具备大规模生产的潜力。
  • 调节结构器件阈值电压方法
  • [发明专利]在体硅上制备独立双栅FinFET的方法-CN201210313475.7有效
  • 黄如;樊捷闻;许晓燕;李佳;王润声 - 北京大学
  • 2012-08-29 - 2012-12-19 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种在体硅上制备独立双栅FinFET的方法，主要的工艺流程包括：形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；形成氧化隔离层；形成栅结构和源漏结构；形成金属接触和金属互联。通过采用此方法可以在体硅片上很容易的形成独立双栅FinFET，而且整个工艺流程完全与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单、方便、周期短的特点，大大节省了硅片的成本。且采用本发明制备形成的独立双栅FinFET场效应晶体管，能够很好的抑制短沟道效应，并通过独立双栅器件特有的多阈值特点进一步降低器件的功耗。
  • 体硅上制备独立finfet方法
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