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[发明专利]基板处理系统、离子植入系统及束线离子植入系统-CN201480045728.4有效
发明人：朱利安·布雷克 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：例如是离子植入系统、沉积系统和蚀刻系统的基板处理系统，其具有粗糙化硅衬垫。硅衬垫是用可以产生细部特征的化学加工来粗糙化，像是微角锥，其高度可以小于二十微米。这些微角锥已经比一般在石墨衬垫中常见的粗糙化特征更小，尽管事实如此，粗糙化的硅能够保留沉积的镀膜且避免剥落。
处理系统中的粗糙衬垫

[发明专利]具有自粗化特性的自密实混凝土结构-CN201680042796.4有效
发明人：劳伦斯·卡恩;金伯利·E.·柯蒂斯 -专利权人：乔治亚技术研究公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C04B28/00 文献下载
摘要：将少量轻质骨料加入正常重量的混凝土混合物中以产生干净粗糙的顶表面，从而不需要手工或机械粗糙化该顶表面。轻质粗骨料将浮到该表面，并形成一个粗糙表面，从而使之前填筑的混凝土和新填筑的混凝土之间的界面(冷缝)的粘结和剪切阻力与手动粗糙化的接缝一样强。
具有特性密实混凝土结构

[发明专利]覆铜箔层压板和包括该覆铜箔层压板的印刷电路板-CN201780044232.9在审
发明人：托马斯·德瓦希夫;米歇尔·斯特里尔;扎伊尼亚·凯季 -专利权人：卢森堡电路箔片股份有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种覆铜箔层压板，包括至少一个粗糙化表面的铜层，所述粗糙化表面的铜层是通过粗糙化基底铜层的至少一个表面以便具有低的轮廓而获得的，所述覆铜箔层压板包括厚度为5μm至70μm的铜层和所述铜层上的树脂层，其中，当所述铜层的厚度大于5μm时，所述铜层和所述树脂层之间的剥离强度大于0.6N/mm，其中，所述粗糙化表面的十点平均粗糙度Sz低于所述基底铜层的十点平均粗糙度。在本发明中提供的覆铜箔层压板具有以下有点：通过控制包括在覆铜箔层压板中的铜层的厚度、粗糙度等，增强了与铜层上层压的树脂层的粘附强度，并且插入损耗非常低而提高了电气性能。
铜层覆铜箔层压板粗糙化表面树脂层十点平均粗糙度基底铜层插入损耗电气性能印刷电路粗糙度粗糙化粘附剥离上层

[发明专利]遮罩-CN201310005827.7无效
发明人：李仲仁;赵勤孝;郦唯诚 -专利权人：旭晖应用材料股份有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明是关于一种遮罩，其包含有一具有多个镀膜区位孔的遮罩板体，该遮罩板体于其沉积材迎接侧形成粗糙化沉积材附着表面。由此，应用于蒸镀或溅镀等镀膜沉积制程中，遮罩设置于沉积材料源与基材之间，可使解离的部分沉积材原子或分子通过遮罩的镀膜区位孔而沉积于基材表面形成镀膜，被遮罩阻隔的沉积材原子或分子则能附着于粗糙化沉积材附着表面，并通过粗糙化沉积材附着表面的粗糙化表面提升沉积材料附着的结合力，使附着于粗糙化沉积材附着表面上的沉积材料不易因剥离而污染镀膜，确保基材镀膜沉积制程的良好品质。
遮罩

[发明专利]粗糙化处理铜箔及印刷电路板-CN201680024676.1有效
发明人：柳响介;沟口美智;朝长咲子 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有具备粗糙化颗粒的粗糙化处理面，粗糙化处理面具有0.6～1.7μm的微观不平度十点高度Rzjis，并且粗糙化颗粒的高度的频率分布中的半值宽度为0.9μm以下。
粗糙化处理铜箔粗糙化液晶聚合物薄膜绝缘树脂基材印刷电路板传输损耗高频用途频率分布密合剥离微观

[发明专利]一种分层粗糙表面的数字化重构方法-CN201610304568.1有效
发明人：黄伟峰;胡松涛;刘向锋;刘莹;王玉明 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种分层粗糙表面的数字化重构方法，有效实现了对分层粗糙表面的仿真模拟；通过表面测量系统测量实际粗糙表面，提取2D或3D粗糙表面形貌数据，输入表面分析所需的控制参数，利用粗糙表面形貌数据计算粗糙表面的整体表面参数和表面函数，采用分层思想，将整体粗糙表面分离成若干分量表面，进而得到任一分量表面的表面参数和表面函数，利用已分离的分量表面，基于叠加原理，重构出原始的分层粗糙表面；本发明适合于分层粗糙表面的数字化重构，特别适用于重构多工艺表面
一种分层粗糙表面数字化方法

[发明专利]蚀刻液以及硅基板的表面粗糙化的方法-CN201610022693.3在审
发明人：陈嘉明;陈鹏宇;林文信;刘俊毅;王秋迪 -专利权人：绿能科技股份有限公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液以及硅基板的表面粗糙化的方法，所述硅基板的表面粗糙化的方法包括以下步骤提供硅基板；使用蚀刻液对硅基板进行蚀刻，其中蚀刻液包括硝酸、氢氟酸以及硫酸；以及冲洗硅基板。本发明的蚀刻液有助于使硅基板的表面粗糙化以及移除损伤层。
蚀刻以及硅基板表面粗糙方法

[发明专利]产生具有纳米粗糙化互连的集成电路封装的方法、系统、设备和制品-CN202211012309.3在审
发明人： S·娜德;段刚;J·埃克顿;B·马林;R·马哈詹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明的主题是“产生具有纳米粗糙化互连的集成电路封装的方法、系统、设备和制品”。公开了用来产生纳米粗糙化的集成电路封装的方法、系统、设备和制品。示例集成电路（IC）封装包括衬底、半导体管芯和用来将半导体管芯电耦合到衬底的金属互连，金属互连包括纳米粗糙化的表面。
产生具有纳米粗糙互连集成电路封装方法系统设备制品

[发明专利]一种基于结构化网格的目标粗糙表面生成方法-CN202111074081.6在审
发明人：高伟;林嘉轩;廖意;朱丽丽;霍熠炜 -专利权人：上海无线电设备研究所
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G06T17/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于结构化网格的目标粗糙表面生成方法，包括：步骤S1、建立确定起伏高度、确定相关长度的功率谱密度函数的粗糙面模型；步骤S2、对目标的模型开展结构化网格剖分，计算每个点处的法向矢量；步骤S3、根据结构化网格的特点，获取点坐标之间的关联关系，形成点坐标关联关系矩阵；步骤S4、选取结构化网格的参考点，计算所有点坐标在其相应表面上与参考点之间的沿两个网格节点编号方向上的相对距离；步骤S5、以粗糙面模型为基础数据，采用拉格朗日插值方法计算曲面上每个点的起伏，沿法向矢量方向与目标的结构化网格矢量叠加形成目标粗糙表面。本发明生成的目标粗糙表面包含完整的粗糙面信息，保证了生成方法的精确性和有效性。
一种基于结构网格目标粗糙表面生成方法

[实用新型]一种防眩玻璃-CN201520811457.0有效
发明人：高为彪 -专利权人：上海光和光学制造股份有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防眩玻璃，包括玻璃基体，玻璃基体的上下两面分别为光滑面和粗糙面，粗糙面上设置有第一钢化层，第一钢化层上设置有抗反射膜层，抗反射层上设置有防污层；光滑面上设置有第二钢化层，第二钢化层上设置有丝网印刷层；粗糙面包括若干个随机排列的凸起颗粒，凸起颗粒的凸起高度为6-8μm，粗糙面的粗糙度大于0.8μm。
一种玻璃

[发明专利]使用光学漫反射结构的液晶显示设备及其制造方法-CN03803810.2无效
发明人： T·宇卡瓦 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-01-27 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：提供了液晶显示设备，该设备使用了漫反射结构，该结构中具有粗糙化表面的反射膜能够通过简单工艺形成，并且提供了其制造方法。该漫反射结构包括：形成在基层(1，20)上的基本图形层(7)，其具有粗糙化表面；和形成在该基本图形层(7)上的光学反射层(8)，其沿所述基本图形层的粗糙化表面呈现粗糙化表面。由辐射敏感或热敏感的树脂材料形成了基本图形层(7)，通过减压干燥处理使得其表面具有粗糙度。
使用光学漫反射结构液晶显示设备及其制造方法

[发明专利]一种用于半导体器件的薄膜及其制造方法、半导体器件-CN202110100458.4在审
发明人：金廷修;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;崔恒玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种用于半导体器件的薄膜及其制造方法、半导体器件，涉及半导体制作技术领域，利用具有第一粗糙度的第一减反膜优化图案化光刻胶的同时，利用具有第二粗糙度的第二减反膜优化图案化结构，即利用双层的减反射层提高图案化结构的图形质量包括提供一衬底；在衬底上形成第一减反射膜，第一减反射膜具有第一粗糙度；在第一减反射膜上形成第二减反射膜，第二减反射膜具有第二粗糙度；第二粗糙度小于第一粗糙度；在第二减反射膜上形成图案化光刻胶；以图案化光刻胶为掩膜，对衬底、第一减反射膜以及第二减反射膜进行图形化处理，得到图案化结构。
一种用于半导体器件薄膜及其制造方法

[发明专利]表面结构改良方法-CN200980153783.4无效
发明人：劳伦斯·詹姆斯·沃尔什;罗伊·乔治 -专利权人：澳洲昆士兰大学
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： B44C1/02 文献下载
摘要：此方法包含：粗糙化光纤尾端的至少一部份，以及蚀刻粗糙化的尾端以形成光纤尖端。
表面结构改良方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201710631901.4有效
发明人：王筱姗;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。
半导体装置制作方法

[发明专利]用于燃料电池的分隔器和用于制造分隔器的方法-CN202111186315.6在审
发明人：佐藤研二;金井伸夫;栗原卓也;三谷直弘 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01M8/0286 文献下载
摘要：用于制造用于燃料电池的分隔器的方法包括：在分隔器本体的表面中形成粗糙化区域的粗糙化步骤；和在分隔器本体的表面上模制垫圈的模制步骤。在模制步骤中，在包括粗糙化区域的至少一部分的区域中模制垫圈。
用于燃料电池分隔制造方法