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[发明专利]基材保护膜成形装置-CN202211735683.6在审
发明人：徐飞;恽旻杨 -专利权人：常州瑞择微电子科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基材保护膜成形装置，包括工艺腔室、抽真空装置和等离子发射器，所述工艺腔室用于容置基材，所述工艺腔室内安装有热板；所述抽真空装置连通所述工艺腔室，用于对所述工艺腔室进行抽真空操作；所述等离子发射器位于所述工艺腔室外，用于将通入其内的工艺气体电解分离为等离子体，其等离子体发射口连通所述工艺腔室；其中，所述等离子体进入所述工艺腔室内并冲击所述基材，以在所述基材表面生成保护层。本发明采用远程等离子体的气氛与基材产生反应，进而避免基材被电磁和磁场损坏。
基材保护膜成形装置

[发明专利]一种炭黑表面大气等离子体处理装置-CN201310605458.5无效
发明人：沈文凯;王红卫 -专利权人：苏州市奥普斯等离子体科技有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种炭黑表面大气等离子体处理装置，用于炭黑表面的改性，包括用于产生等离子体的第一腔室、第二腔室和回收腔，所述第一腔室套接第二腔室，所述第一腔室内设置等离子体，在所述第二腔室开设有炭黑引进区。本装置能以空气为气氛对纳米级炭黑进行等离子体处理，炭黑经空气等离子体处理表面改性后，在水中的分散性大大提高。有效地将炭黑进行了表面处理改性。
一种炭黑表面大气等离子体处理装置

[实用新型]一种炭黑表面大气等离子体处理装置-CN201320753466.X有效
发明人：沈文凯;王红卫 -专利权人：苏州市奥普斯等离子体科技有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种炭黑表面大气等离子体处理装置，用于炭黑表面的改性，包括用于产生等离子体的第一腔室、第二腔室和回收腔，所述第一腔室套接第二腔室，所述第一腔室内设置等离子体，在所述第二腔室开设有炭黑引进区本装置能以空气为气氛对纳米级炭黑进行等离子体处理，炭黑经空气等离子体处理表面改性后，在水中的分散性大大提高。有效地将炭黑进行了表面处理改性。
一种炭黑表面大气等离子体处理装置

[实用新型]一种耐热冲击等离子喷枪-CN201921067409.X有效
发明人：赵梓羽 -专利权人：北京航百川科技开发中心
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种耐热冲击等离子喷枪，包括等离子喷枪体，等离子喷枪体内部设置有冷却腔，等离子喷枪体的外部设置有冷却水进管和冷却水出管，所述冷却腔的内部设置有铝箔复合玻璃纤维布隔层，所述冷却腔的内部被铝箔复合玻璃纤维布隔层分隔成冷却副腔室和缓冲室，所述缓冲室的内部填充有导热粉，所述冷却水进管与冷却副腔室连通，所述冷却水出管与冷却副腔室连通。所述耐热冲击等离子喷枪的耐热冲击性好，有助于延长等离子喷枪体的使用寿命。
一种耐热冲击等离子喷枪

[发明专利]用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置-CN201010219788.7有效
发明人：刘杰;汪明刚;夏洋;李晓波;罗威;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔通过抽动隔板装置可改变重合圆孔的大小，从而控制等离子体从掺杂源腔室向离子注入腔室的扩散速度，圆孔的分布又能控制等离子体在离子注入腔室中的分布，通过调节隔板装置可使等离子体均匀地扩散到离子注入腔室，从而最终实现大面积基片的均匀离子注入
用于双腔室结构等离子体浸没离子注入隔板装置

[实用新型]用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置-CN201020250591.5有效
发明人：刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔通过抽动隔板装置可改变重合圆孔的大小，从而控制等离子体从掺杂源腔室向离子注入腔室的扩散速度，圆孔的分布又能控制等离子体在离子注入腔室中的分布，通过调节隔板装置可使等离子体均匀地扩散到离子注入腔室，从而最终实现大面积基片的均匀离子注入
用于双腔室结构等离子体浸没离子注入隔板装置

[发明专利]一种多腔室等离子处理装置及其压力测试方法-CN201310143617.4有效
发明人：陈妙娟;左涛涛;高颖;徐朝阳;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种多腔室等离子处理装置，其中，所述等离子处理装置包括至少两个子腔室，在两个子腔室之间的隔离壁上具有开口，在每个子腔室内部的基台上都放置有基片进行制程，其中，所述等离子处理腔室上设置有一压力测试装置，其分别连接于所述每个子腔室，在所述压力测试装置和每个子腔室之间还分别串联有一个阀门。本发明还提供了用于上述多腔室等离子处理装置的压力测试方法。本发明的测试机制能够单独对多腔室等离子处理装置的每个子腔室进行单独测试，准确度得到了提高，并且能够延长压力测试装置的使用寿命。 1
等离子处理装置多腔室压力测试装置子腔室压力测试腔室等离子处理腔室测试机制使用寿命准确度隔离壁室内部阀门制程子腔串联开口测试

[发明专利]一种等离子体装置-CN201710325963.2有效
发明人：韦刚;苏恒毅;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及等离子体装置。该装置包括反应腔室和设置于其中的承载装置，还包括栅网和与栅网电连接的栅网电源，栅网设置于承载装置的上方且与反应腔室的腔室壁绝缘，用于将反应腔室隔离为等离子体产生区和等离子体工艺区；且栅网的电位小于等离子体工艺区的电位、等离子体工艺区的电位小于等离子体产生区的电位。该装置可对等离子体产生区中的电子产生减速场，有效降低到达等离子体工艺区的电子的能量，从而有效降低等离子体工艺区等离子体中的电子温度，保证稳定的等离子体源和较高的等离子体密度；该等离子体装置采用连续波产生的等离子体，能降低等离子体产生和射频源匹配控制的难度，保证较大的工艺窗口。
一种等离子体装置

[发明专利]提取和加速离子的空心阴极离子源及方法-CN201680081988.6有效
发明人： J·钱伯斯;P·马诗威茨 -专利权人：北美AGC平板玻璃公司;旭硝子株式会社;AGC玻璃欧洲公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：提供一种提取和加速离子的离子源和方法。离子源包括腔室。离子源进一步包括第一空心阴极，其具有第一空心阴极腔和第一等离子体出口孔；以及第二空心阴极，其具有第二空心阴极腔和第二等离子体出口孔。第一空心阴极和第二空心阴极邻近地设置在腔室中。离子源进一步包括第一离子加速器，其在第一等离子体出口孔与腔室之间并与第一等离子体出口孔和腔室连通。第一离子加速器形成第一离子加速腔。离子源进一步包括第二离子加速器，其在第二等离子体出口孔与腔室之间并与第二等离子体出口孔和腔室连通。第二离子加速器形成第二离子加速腔。第一空心阴极和第二空心阴极被配置为交替地充当电极和反电极以生成等离子体。
提取加速离子空心阴极离子源方法

[发明专利]用于电子制造系统的腔室的远程等离子体清洁-CN202180024130.7在审
发明人：郭渊泓;郭晟;马雷克·拉德科;史蒂芬·桑索尼;袁小雄;潘思瑛;村山祐二;勾平平;徐松文 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种清洁用于电子制造系统的腔室的方法包括使包含氧气和载气的气体混合物流入远程等离子体产生器中。方法进一步包括通过远程等离子体产生器由气体混合物产生等离子体并且通过使等离子体流入腔室的内部体积中来执行腔室的远程等离子体清洁，其中等离子体从腔室移除复数种有机污染物。
用于电子制造系统远程等离子体清洁

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201580048051.4有效
发明人：平山祐介;宫川正章 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：相对于等离子体保护腔室的内部的构件，防止变质和消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体，在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜。在等离子体处理工序中，在含硅膜形成于构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从构件的表面去除含硅膜。
等离子体处理方法装置

[发明专利]一种半导体设备-CN201711266540.4有效
发明人：丁安邦;师帅涛;陈鹏;史小平;傅新宇;李春雷;荣延栋;何中凯 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。
一种半导体设备

[发明专利]多腔室等离子发生器阳极-CN201210002496.7有效
发明人：于宝成;张志宏;王华彬 -专利权人：武汉天和技术股份有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种多腔室等离子发生器阳极，其包括依次连接的压缩腔、稳燃腔、导流腔和加速腔，压缩腔将阴极产生的等离子进行压缩，稳燃腔可满足所述等离子扩张，导流腔为传导电子和构成良好的导电通路，加速腔为上开口抛物线和下开口抛物线构成的双抛物线结构，其压缩段压缩等离子，提高等离子体密度，其加速段降低等离子从阳极前端喷口喷出的阻力，提高等离子喷射速度。本发明中的多腔室等离子器发生器阳极不同于传统等离子体发生器的阳极所采用的先压缩然后扩散型喷嘴，根据等离子体的扩展特性设计了独特的多腔室阳极结构，改变了传统阳极导电区域和电弧燃烧区域重合导致烧蚀速率过快引起阳极寿命较短的缺点
多腔室等离子发生器阳极

[发明专利]用等离子体加工系统进行加工的方法及等离子体加工系统-CN201911109807.8有效
发明人：王建龙 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种应用等离子体加工系统进行加工的方法，所述等离子体加工系统包括第一腔室和第二腔室，所述第一腔室具有第一下电极，所述第二腔室具有第二下电极，射频源通过匹配电路和功率分配器分别在所述第一下电极和所述第二下电极产生第一偏置电压及第二偏置电压，包括:在所述第一腔室和所述第二腔室分别对第一工作件和第二工作件同时进行加工时，通过第一检测装置检测所述第一腔室内的等离子体的第一等离子体特征及第二检测装置检测所述第二腔室内的等离子体的第二等离子体特征；根据所述第一等离子体特征和所述第二等离子体特征调节所述第一偏置电压和/或所述第二偏置电压，使所述第一等离子体特征与所述第二等离子体特征的相对偏差值小于预设值。
等离子体加工系统进行方法

[实用新型]等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环-CN201721058542.X有效
发明人：艾伦·L·丹布拉;舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种等离子体处理腔室，以及一种用于等离子体处理腔室的环。本实用新型一般地阐述对用于蚀刻或其他等离子体处理腔室中的环组件的侵蚀进行检测的方法和设备。在一个实施方式中，一种方法通过以下步骤开始：在等离子体处理腔室中利用等离子体进行处理之前获得指示设置在等离子体处理腔室中的基板支撑件上的环组件的磨损的度量。利用传感器监测环组件的度量。
等离子体处理腔室度量环组件等离子体蚀刻本实用新型传感器监测方法和设备基板支撑件生成信号指示设置磨损侵蚀响应检测