“罗小晨”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]进料组件和烹饪器具-CN202222427522.2有效
发明人：秦伟伟;周毅;周忠宝;潘典国;李家孔;江小勇;何国达;罗小晨;吴育权;赵策 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： A47J36/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种进料组件和烹饪器具，进料组件，包括箱体、叶轮和支撑部件；箱体具有储料腔和进料通道，进料通道与储料腔连通；叶轮设置于进料通道内，能够驱动储料腔内储存的物料通过进料通道进料；支撑部件设置于叶轮靠近储料腔的一侧。本实用新型所提供的进料组件，在叶轮靠近储料腔的一侧设置有支撑部件，支撑部件能够承受储料腔内物料的重量，进而通过支撑部件分担叶轮所受到的来自储料腔内物料的重力，使得储料腔内的物料的重力不会集中于叶轮上，减小叶轮在启动时所受到的阻力，使得叶轮在进料开始时所需要的启动转矩较小，叶轮启动更顺利。
进料组件烹饪器具

[发明专利]一种Y₂O₃耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法-CN201110328539.6在审
发明人：王文东;罗小晨;刘邦武;夏洋;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明涉及大气等离子喷涂技术领域，具体涉及一种Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤（2），对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤（3），选择Ar和He气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层。使用本发明制备的Y2O3涂层为纯正白色，色泽均匀，不再出现杂色斑点，并且具有优异的耐刻蚀性能。
一种 sub 侵蚀陶瓷涂层制备方法

[发明专利]一种测量涂层耐腐蚀性能的方法-CN201110087749.0无效
发明人：王文东;刘邦武;夏洋;李超波;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量涂层耐腐蚀性能的方法，该方法是利用测量涂层电容的方法来表征涂层耐腐蚀性能的，具体包括：先将一部分涂层的表面浸于腐蚀性溶液的底部，使涂层下的导电基体与腐蚀性溶液构成一个平板电容器，该平板电容器的电容值与涂层的厚度相关，通过测量该平板电容器电容值的变化来确定涂层厚度的变化，从而根据涂层厚度随时间的变化定量地反映出涂层的耐腐蚀性能。与现有的测量技术相比，本发明的特点是测量涂层的范围增大，特别适合测量高电阻的涂层材料，并对涂层材料的污染不敏感。另外本测量方法的反应速度灵敏，可迅速反映出材料涂层的腐蚀状态。
一种测量涂层腐蚀性能方法

[发明专利]用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置-CN201010219788.7有效
发明人：刘杰;汪明刚;夏洋;李晓波;罗威;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。通过抽动隔板装置可改变重合圆孔的大小，从而控制等离子体从掺杂源腔室向离子注入腔室的扩散速度，圆孔的分布又能控制等离子体在离子注入腔室中的分布，通过调节隔板装置可使等离子体均匀地扩散到离子注入腔室，从而最终实现大面积基片的均匀离子注入。
用于双腔室结构等离子体浸没离子注入隔板装置

[发明专利]一种等离子体浸没离子注入系统-CN201010217319.1无效
发明人：李超波;刘杰;汪明刚;夏洋;罗威;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体处理技术和设备领域，具体其涉及一种等离子体浸没离子注入系统，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，还包括掺杂源腔室和隔板；所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。本发明提既提高了掺杂注入的均匀性，又消除了中、高能浸没离子注入由于鞘层过宽而引起的等离子体熄灭，还能实现低气压下的中、高能浸没离子掺杂注入。
一种等离子体浸没离子注入系统

[发明专利]基片离子均匀注入的方法-CN201010209816.7有效
发明人：刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基片离子均匀注入的方法，包括通过电感耦合的放电方式使掺杂源腔室在高气压下放电产生高密度等离子体；等离子体通过隔板均匀扩散到离子注入腔室；及在注入电极脉冲偏压作用下，离子注入腔室的等离子体中的离子加速注入到基片中。通过本发明提供的方法能在大面积基片上实现离子均匀注入。
离子均匀注入方法

[发明专利]等离子体刻蚀工艺腔室内表面的改性处理方法-CN201010209823.7有效
发明人：刘邦武;王文东;夏洋;李超波;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C4/10 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体刻蚀工艺腔室内表面的改性处理方法包括对基材进行喷砂处理；及对喷砂处理后基材进行喷涂Y2O3处理。本发明采用Y2O3粉末作为喷涂材料改性处理腔室内表面，Y2O3涂层具有更加稳定的耐等离子蚀刻性能，可以延长零部件的寿命，并且在刻蚀工艺过程中减少颗粒。本发明改性处理过程中采用空气喷吹方法或者循环冷却水方法来冷却基材，提高了基材的冷却速度，防止刻蚀工艺腔在等离子喷涂过程中发生变形、融化，提高了刻蚀工艺腔的成品率。
等离子体刻蚀工艺室内表面改性处理方法

[发明专利]等离子体浸没离子注入设备-CN201010209824.1无效
发明人：刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体浸没离子注入设备，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，所述离子注入腔室内四壁设有内衬，所述内衬由包含硅成分的整块材料制成。通过本发明提出的设备可减小等离子体浸没离子注入时腔室内壁的污染；而且还使进入到反应腔室内的气体分布比较均匀，减小注入基片台的边缘效应，从而提高等离子体浸没离子注入的均匀性。
等离子体浸没离子注入设备

[实用新型]用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置-CN201020250591.5有效
发明人：刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于双腔室结构等离子体浸没离子注入的隔板装置包括隔板A和隔板B，所述隔板A和隔板B设置在离子注入腔室与掺杂源腔室之间，所述隔板A和隔板B相同，并可平行抽动；所述隔板A和隔板B分布着若干个圆孔。通过抽动隔板装置可改变重合圆孔的大小，从而控制等离子体从掺杂源腔室向离子注入腔室的扩散速度，圆孔的分布又能控制等离子体在离子注入腔室中的分布，通过调节隔板装置可使等离子体均匀地扩散到离子注入腔室，从而最终实现大面积基片的均匀离子注入。
用于双腔室结构等离子体浸没离子注入隔板装置

[实用新型]一种等离子体浸没离子注入系统-CN201020247215.0有效
发明人：李超波;刘杰;汪明刚;夏洋;罗威;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-05 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体处理技术和设备领域，具体其涉及一种等离子体浸没离子注入系统，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，还包括掺杂源腔室和隔板；所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。本实用新型提既提高了掺杂注入的均匀性，又消除了中、高能浸没离子注入由于鞘层过宽而引起的等离子体熄灭，还能实现低气压下的中、高能浸没离子掺杂注入。
一种等离子体浸没离子注入系统

[实用新型]等离子体浸没离子注入设备-CN201020238000.2有效
发明人：刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;罗威;罗小晨;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型公开一种等离子体浸没离子注入设备，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，所述离子注入腔室内四壁设有可拆卸内衬；所述内衬包括顶部内衬、两侧壁内衬和底部内衬，所述底部内衬设置在所述离子注入腔室底部，所述侧壁内衬设置在所述底部内衬之上，所述顶部内衬可设置在所述侧壁内衬之上。通过本实用新型既实现了等离子体浸没离子注入腔室内衬的轻松拆卸，方便一段时间的注入后腔室内衬的清洗；又实现了腔室内壁与浸没离子注入时等离子体的隔离，从而减小等离子体浸没离子注入时腔室内壁的污染；同时还使进入到反应腔室内的气体分布比较均匀，减小注入基片台的边缘效应，从而提高等离子体浸没离子注入的均匀性。
等离子体浸没离子注入设备

1
共 11 条