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[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备-CN201910238878.1有效
发明人：王桂滨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。工艺腔室包括微波产生结构、微波传输结构、微波耦合件、等离子体产生腔和工艺腔；微波传输结构分别连接等离子体产生腔和微波产生结构；微波耦合件穿设在等离子体产生腔中，其能够将微波产生结构产生的微波耦合至等离子体产生腔内，以在微波耦合件的表面形成表面波，以激发工艺气体形成表面波等离子体；工艺腔经由连接管与等离子体产生腔连通。本发明的工艺腔室，属于远程等离子体源的结构，只有需要的大量的活性自由基能够进入到工艺腔内与硅片表面上的物质进行反应，达到预期的工艺效果。此外，该表面波可以电离工艺气体形成高密度的表面波等离子体，可以提高工艺制程的工艺效率，降低制作成本。
工艺半导体处理设备

[发明专利]一种等离子体处理装置-CN202011334077.4有效
发明人：崔都嵋 -专利权人：乐金显示光电科技（中国）有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：反应腔室，用于进行等离子体反应；上电极和下电极，上电极设置于反应腔室的顶部，下电极设置于反应腔室的底部；第一温度调节部和第二温度调节部，第一温度调节部和第二温度调节部均设置于反应腔室的顶部本发明实施例可以避免整个等离子体处理装置的反应腔室只能在上电极的边缘区域进行加热冷却的情况，防止反应腔室中间区域与边缘区域温差过大，提高反应腔室的温度均匀性，改善等离子体刻蚀和沉积的反应环境，保证等离子体处理的效果
一种等离子体处理装置

[发明专利]等离子辅助制备高导电石墨烯金属复合材料的方法及装置-CN202210095741.7在审
发明人：史浩飞;黄德萍;段银武;李占成;张永娜;李昕;邵丽 -专利权人：重庆墨希科技有限公司;中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B21B1/40 文献下载
摘要：本发明属于石墨烯制备技术领域，具体涉及等离子辅助制备高导电石墨烯金属复合材料的方法及装置。所述方法包括：于等离子体条件下在若干金属基材上分别生长石墨烯，再热压成型，石墨烯生长和热压成型在相连通的腔室内完成。所述装置包括：等离子体辅助分解腔室，连通有进样室和热压腔室，且位于进样室和热压腔室之间；进样室设置有进样机构，离子体辅助分解腔室设置有等离子体发生器和第一加热机构，热压腔室设置有预压辊、热压机构和第二加热机构本发明中，等离子体发生器能够加速碳源裂解，催化碳源裂解，促进石墨烯多层成核及生长，增加石墨烯生长层数。
等离子辅助制备导电石墨金属复合材料方法装置

[发明专利]一种半导体设备的清洗系统及清洗方法-CN201711267826.4有效
发明人：丁安邦;师帅涛;史小平;陈鹏;李春雷;兰云峰;王勇飞;王洪彪 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备的清洗系统及清洗方法，清洗系统包括反应腔室、远程等离子体源、原位等离子体源、第一清洗通道和第二清洗通道，可通过第一清洗通道对反应腔室内的反应区域通入激发态清洗气体进行清洗，以及通过第二清洗通道对反应腔室内的非反应区域通入激发态清洗气体进行清洗本发明通过把远程等离子体清洗方法和原位等离子体清洗方法相结合，采用先用大功率的远程等离子体清洗反应腔室，再用小功率的原位等离子体清洗腔室的方法；或者采用同时使用高气压的远程等离子体和低气压的原位等离子体对腔室进行清洗的方法
一种半导体设备清洗系统方法

[实用新型]一种等离子体刻蚀设备-CN201420734910.8有效
发明人：邹帅;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体刻蚀设备，包括机台支架、设于机台支架上的传动系统，以及抽气系统和等离子体源；机台支架上按传动系统行进方向依次设有装载缓冲腔室、刻蚀去损伤层工艺腔室、制绒工艺腔室和卸载缓冲腔室；各个腔室之间通过阀门连通；刻蚀去损伤层工艺腔室内设有等离子体源；制绒工艺腔室内设有反应性等离子体源。本实用新型设计了2个工艺腔体，利用等离子干法刻蚀实现硅片表面的线切割损伤层去除，该步骤与RIE制绒在同一台等离子体设备上完成，从而减少工艺步骤，同时也减少了化学品的使用量，大大降低了企业的运营成本。
一种等离子体刻蚀设备

[发明专利]用于先进等离子体离子能量处理系统的晶圆吸附系统-CN201280047162.X有效
发明人： V·布劳克;D·J·霍夫曼 -专利权人：先进能源工业公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：公开了用于调节等离子腔室中的离子能量并将基板吸附到基板的支座的系统、方法和装置。示例性方法包括，将基板设置在等离子腔室中，在等离子腔室中形成等离子体，向基板可控地通断功率以将周期电压函数施加到基板，以及响应于在基板表面的期望的离子能量分布而在周期电压函数的多个周期上调节周期电压函数，从而在时间平均的基础上实现期望的离子能量分布。
用于先进等离子体能量处理系统离子控制系统

[发明专利]等离子弧炬的水注入和排气-CN201580067639.4有效
发明人： M.米特拉;S.米特拉;S.利波德 -专利权人：海别得公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：提供了一种包括等离子弧炬的等离子弧炬系统。所述炬包括电极、喷嘴、排气通路和防护罩。所述喷嘴与所述电极间隔开以在其间限定等离子腔室。所述等离子腔室被配置成接收等离子气体。设置在所述喷嘴主体中的所述排气通路被配置成转移从喷嘴出口孔口离开所述等离子腔室的所述等离子气体的一部分。所述防护罩与所述喷嘴间隔开以在其间限定流动区域。所述流动区域被配置成：（i）接收液体；以及（ii）经由防护罩出口孔口将所述液体连同大体上被所述液体包围的等离子弧一起射出。
等离子水注排气

[实用新型]微波等离子体辅助原子层沉积设备-CN202221851674.9有效
发明人：王东君;陈宇林;郭敏 -专利权人：英作纳米科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体辅助原子层沉积设备，包括：微波等离子体发生器、等离子体扩散腔、真空反应室和反应源接口。微波等离子体发生器含有等离子体快速发生装置。微波等离子体发生器通过等离子体扩散腔与真空反应室相连通。等离子体扩散腔与真空反应室通过开合装置连接，通过该开合装置，可以方便样品取放样。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备，能够提供微波辐照，提高等离子体的能量和密度，为原子层沉积的提供合适的能量，降低反应温度。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备含有等离子体快速发生装置以及等离子体反应气体特殊脉冲进入模式，可以实现毫秒级的等离子体脉冲，大大缩短反应时间。
微波等离子体辅助原子沉积设备

[发明专利]一种制备陶瓷粉末的装置-CN202111459643.9在审
发明人：韩刚;郭若冰;戚延龄;程兴德;韩启航 -专利权人：江苏集萃先进金属材料研究所有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：一种制备陶瓷粉末的装置，包括：反应腔；位于反应腔顶部的等离子体发生腔，所述等离子体发生腔与反应腔相连通；位于反应腔内底部的坩埚，所述坩埚用于承载反应物料；高频电源，所述高频电源与等离子体发生腔电连接，所述高频电源用于在等离子体发生腔内生成等离子体；与反应腔相连通的沉降室；位于沉降室底部的收集罐，所述收集罐与沉降室相连通；与沉降室相连通的真空泵，所述真空泵用于使反应腔保持真空状态。
一种制备陶瓷粉末装置

[发明专利]等离子体处理装置的清洁方法-CN201310294705.4有效
发明人：王兆祥;苏兴才 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置的清洁方法，其中，所述等离子体处理装置包括一腔室，基片放置于腔室之中进行制程，其中，所述清洁方法包括如下步骤：a.在基片制程之后，在腔室表面沉积不含氟的聚合物层；b.往腔室中通入清洁气体，并连接射频能量产生等离子体，以对腔室内部进行清洁。本发明提供了一种安全可靠有效的等离子体腔室清洁方法，并且能够提高静电夹盘寿命，节省成本。
等离子体处理装置清洁方法

[发明专利]半导体制造设备及其运行方法-CN202280019309.8在审
发明人：裵辰镐;李宗泽;金旻材 -专利权人： LOT CES有限公司;LOT真空股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：根据本发明提供一种半导体制造设备及其运行方法，所述半导体制造设备包括：执行非晶碳(Amorphous Carbon)沉积形成非晶碳膜(ACL)的ACL工序的工程腔室；从所述工程腔室排出在执行所述ACL工序的过程中在所述工程腔室产生的残留气体的真空泵；连通所述工程腔室和所述真空泵的腔室排气管；利用等离子体形成等离子体反应区域的等离子体反应器；及向所述等离子体反应器供应处理气体的气体供应器，所述残留气体从所述工程腔室排出并沿着所述腔室排气管流动形成废气，所述处理气体在所述等离子体反应区域被等离子体分解形成反应活性种，所述反应活性种在所述腔室排气管内与所述废气一起发生反应，所述处理气体为氧气(O2)或三氟化氮(
半导体制造设备及其运行方法

[实用新型]一种裂解炭黑负载催化剂的制备装置-CN202020741473.8有效
发明人：高玉斌;王智俊 -专利权人：安徽省克林泰迩再生资源科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C09C1/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种裂解炭黑负载催化剂的制备装置，该装置包括等离子体发生腔室、等离子体改性腔室与反应釜，所述等离子体发生腔室的输出端与所述等离子体改性腔室的输入端相连接，所述等离子体发生腔室用于产生等离子体，所述等离子体改性腔室顶部设置有炭黑物料加料装置，所述反应釜的顶部设置有与催化剂罐相连接的加料口，所述反应釜的顶部设置有与加压气泵一侧端口相连通的开口，所述加压气泵与二氧化碳发生装置相连通。炭黑经等离子体处理后，激活其表面活性，同时提高裂解炭黑的比表面积，提高裂解炭黑与催化剂之间的反应活性，之后在二氧化碳气体作用下，使催化剂均匀负载到炭黑表面的活性位点上，实现了对炭黑的表面处理改性。
一种裂解炭黑负载催化剂制备装置

[发明专利]电感耦合等离子体镀膜装置-CN202110139689.6在审
发明人：宗坚;李福星 -专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C23C16/507 文献下载
摘要：本发明主要提供一种电感耦合等离子体镀膜装置，用于为至少一待镀膜基材镀膜，所述电感耦合等离子体镀膜装置包括至少一装置主体、一基于电感耦合的等离子体发生单元、一介质板以及一支架，其中所述装置主体具有一反应腔室，所述待镀膜基材能够被设置于所述支架，所述支架被设置于所述反应腔室，所述等离子体发生单元被设置于所述装置主体的外侧壁以在所述反应腔室内产生一等离子体区，所述介质板被固定设置于所述等离子体发生单元与所述反应腔室之间以区隔所述等离子体发生单元和所述等离子体区
电感耦合等离子体镀膜装置

[发明专利]用于制造半导体的设备-CN200810171941.6有效
发明人：杨彻勋;崔圭镇;全容汉;李义揆;李太浣 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置制造设备，其包含：腔室，其包含反应空间；衬底安置单元，其经配置以在所述腔室内安置衬底；第一加热单元，其经配置以用光学方式加热所述反应空间且安置在所述腔室下方；第二加热单元，其经配置以通过电阻性加热来加热所述反应空间且安置在所述腔室上方；以及等离子体产生单元，其经配置以在所述反应空间中产生等离子体。由于所述设备使用安置在所述腔室上方的所述等离子体产生单元产生所述等离子体，所以可在一单个腔室中同时执行基于加热的沉积工艺和基于等离子体的蚀刻工艺。
用于制造半导体设备

[发明专利]用于等离子体过滤的系统和方法-CN201811245601.3在审
发明人： S·朴;T·Q·特兰;N·卡尔宁;D·卢博米尔斯基;A·德瓦拉孔达 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。
基板支撑件等离子体屏蔽件处理腔室等离子体耦合喷淋头过滤电源等离子体泄漏偏压等离子体处理区域处理系统电气接地电气耦合可用穿过制定