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[发明专利]一体化等离子体发生装置-CN201310177048.5有效
发明人：王波;辛强;姚英学;金会良;丁飞;李娜;金江;李铎 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：一体化等离子体发生装置，它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决常温大气等离子体加工过程中，匹配器与等离子体炬距离过大，导致其工作不稳定的问题。它的当匹配器与电容耦合等离子体射流炬模块组合连接时，电容耦合等离子体射流炬模块的第一连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接；当匹配器与电感耦合等离子体炬模块组合连接时，第二连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接本发明将匹配器和等离子体炬集成为一体，无需负载线连接，缩短了匹配器和负载之间的距离，可有效降低外界对装置的电磁干扰，同时使阻抗匹配效果更加稳定。
一体化等离子体发生装置

[发明专利]一种双腔激励的增强型微波等离子体炬发生装置-CN201710533952.3在审
发明人：李容毅 -专利权人：李容毅
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：一种双腔激励的增强型微波等离子体炬发生装置，属于微波等离子体技术领域，包括微波磁控管、环行器、定向耦合器、微波等离子体耦合波导、圆柱形波导、点火器和放电管。微波磁控管、环行器、定向耦合器依次串联后，定向耦合器与微波等离子体耦合波导连接。在垂直于压缩矩形波导的放电管轴向上增加了一个圆柱形波导腔室；在微波等离子体耦合波导中的热阻波导有效隔绝了等离子体放电的热释放对整个系统的影响；点火器使得整个系统由单人操作方便的完成点火、激发、维持的一系列过程本发明的效果和益处是能够增加等离子体炬的最大功率获得具有较大体积作用区的等离子体炬余辉，使之可以长时间稳定可靠的运转，在辅助燃烧，纳米材料合成，废气处理和耐高温材料表面改性等方面的应用诸多相关领域得到应用
一种激励增强微波等离子体发生装置

[实用新型]一种双腔激励的增强型微波等离子体炬发生装置-CN201720794251.0有效
发明人：李容毅 -专利权人：李容毅
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：一种双腔激励的增强型微波等离子体炬发生装置，属于微波等离子体技术领域，包括微波磁控管、环行器、定向耦合器、微波等离子体耦合波导、圆柱形波导、点火器和放电管。微波磁控管、环行器、定向耦合器依次串联后，定向耦合器与微波等离子体耦合波导连接。在垂直于压缩矩形波导的放电管轴向上增加了一个圆柱形波导腔室；在微波等离子体耦合波导中的热阻波导有效隔绝了等离子体放电的热释放对整个系统的影响；点火器使得整个系统由单人操作方便的完成点火、激发、维持的一系列过程本实用新型的效果和益处是能够增加等离子体炬的最大功率获得具有较大体积作用区的等离子体炬余辉，使之可以长时间稳定可靠的运转，在辅助燃烧，纳米材料合成，废气处理和耐高温材料表面改性等方面的应用诸多相关领域得到应用
一种激励增强微波等离子体发生装置

[发明专利]原子态等离子体形成装置及其应用-CN201910189788.8在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发
原子态等离子体微波等离子体反应单元分子态气体扰动等离子等离子体形成装置等离子体火球气压控制单元激发激发气体连通调控等离子体激发等离子体起辉微波能量耦合反应腔应用

[发明专利]一种钴锰复合氧化物催化剂及其制备和耦合等离子体净化有机废气的方法-CN201810350053.4在审
发明人：李俊华;宋华;王驰中;彭悦;陈建军 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：一种钴锰复合氧化物催化剂及其制备和耦合等离子体净化有机废气的方法，该催化剂具有一定的电学特性，可以改善等离子体的放电状态，提高催化剂与低温等离子体的耦合效果，从而提高了能量效率和降解效率。该技术的方法是将上述催化剂填充到等离子体反应器的放电区域内，形成一段式等离子体催化耦合反应器，通入含有有机废气的污染空气，调节放电功率，常温常压下对有机污染物进行降解。本发明技术工艺简易，所述的催化剂原料廉价易得，制备简单，适合应用于低温等离子体催化耦合对挥发性有机物污染物的排放治理。
制备复合氧化物催化剂低温等离子体净化有机废气耦合等离子体钴锰催化剂等离子体等离子体反应器等离子体催化挥发性有机物催化剂填充催化剂原料有机污染物耦合反应器常温常压电学特性放电功率放电区域放电状态技术工艺降解效率能量效率污染空气有机废气耦合效果一段式耦合对降解催化污染物简易排放应用治理

[发明专利]利用偏置电流测量等离子体空间电位的探针及测量方法-CN201611176951.X在审
发明人：马勉军;李诚;李世勋;刘泽;雷军刚 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明公开了利用偏置电流测量等离子体空间电位的探针及测量方法，采用球形探针与其周围等离子体耦合获得相对耦合电势；“悬浮式”恒流源电路向探针施加偏置电流；高阻抗耦合电势检测电路和偏置电流电路均内置于球形探针内部；信号处理单元采集处理探针耦合电势信号并提供偏置电流控制电压信号。探针采用了施加偏置电流的等效方式，改变并使探针浮点电位向其周围等离子体空间电位逼近；依据Langmuir探针诊断等离子体参数，计算得到所施加偏置电流初始值，实现偏置电流值的快速收敛；通过连续增加偏置电流的方法，最终测量获得等离子体空间电位。本发明既可避免发射探针热电子发射及其空间电荷效应，又可提高探针对等离子体空间电位测量精度。
利用偏置电流测量等离子体空间电位探针测量方法

[发明专利]用于等离子体处理装置的侧RF线圈和侧加热器-CN200610007344.0无效
发明人：龙茂林;孙培力 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电感耦合的等离子体处理室的RF等离子体产生和温度控制系统。等离子体产生系统包括加热器，所述加热器包括基本平行于细长下加热元件的细长上加热元件，其中上加热元件和下加热元件通过基本垂直于上加热元件和下加热元件的一个或多个柱连接。而且，还公开了一种用于电感耦合的等离子体处理室的RF等离子体产生系统，其中该等离子体产生系统包括热耦合到室的加热器，和耦合到室的一个或多个RF线圈，其中RF线圈包括具有至少一个平坦侧的中空管。
用于等离子体处理装置 rf 线圈加热器

[发明专利]一种基于波导耦合表面等离子体共振传感芯片-CN201910093815.1在审
发明人：马佑桥 -专利权人：马佑桥
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01N21/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于波导耦合表面等离子体共振的崭新传感芯片，涉及光学传感领域，尤其涉及表面等离子体传感领域。传感芯片包括基底，黏附薄膜层，两层金属薄膜层和位于两层金属薄膜层之间的介质波导层。相比传统表面等离子体芯片设计，所述传感芯片能够激发欧姆损耗相对较低的波导耦合表面等离子体模式，增加了表面等离子体共振峰的品质因子值，大大提高了检测分析的灵敏度，同时，通过控制介质波导层的厚度和折射率，可以调控波导耦合表面等离子体模式衰逝场的深度
波导耦合表面等离子体传感芯片介质波导层金属薄膜层共振两层表面等离子体共振等离子体表面等离子体传感领域传统表面光学传感检测分析欧姆损耗品质因子生物分子芯片设计薄膜层灵敏度折射率基底黏附芯片调控激发检测拓展应用

[发明专利]高效利用活性物质的等离子体耦合超重力装置及其应用-CN201911292591.3有效
发明人：初广文;梁闯;陈建峰;蔡勇;罗勇;孙宝昌 -专利权人：北京化工大学;北京中超海奇科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效利用活性物质的等离子体耦合超重力装置及其应用，所述装置包括壳体、电机、转子、气体进料通道、液体进料通道、气体出口、液体出口和等离子体发生装置；所述转子包括旋转转盘和填料；所述电机的旋转轴穿过壳体的底部延伸到壳体内部与旋转转盘固定连接；所述旋转转盘上固定环形填料；所述等离子体发生装置包括等离子体电源和等离子体放电单元；等离子体放电单元包括高压电极和接地电极，所述高压电极和接地电极之间形成放电区域；本发明等离子体耦合超重力装置可以规避等离子体放电单元的放电短路现象
高效利用活性物质等离子体耦合重力装置及其应用

[发明专利]用于处理衬底的等离子体处理系统-CN200580032890.3有效
发明人：陈立;神原弘光;田才忠;西塚哲也;野泽俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分，并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底，等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。
用于处理衬底等离子体系统

[发明专利]电感耦合型等离子体发生源电极及基板处理装置-CN201080006296.8无效
发明人：李庆镐 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本发明公开了电感耦合型等离子体发生源电极及具备该电感耦合型等离子体发生源电极的基板处理装置。本发明的等离子体发生源电极(360)，产生基板处理用的电感耦合型等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)，具备：弯折部(362)，具有1个以上的弯折点；第一电极部(361根据本发明，能够在待处理基板的全区域得到均匀的等离子体密度，还能够防止信号衰。
电感耦合等离子体生源电极处理装置

[发明专利]一种自动点火的微波等离子体炬装置-CN201710083592.1在审
发明人：金伟;朱旦;金钦汉 -专利权人：浙江全世科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种自动点火的微波等离子体炬装置，由外管、中管、内管、隔圈、微波耦合接口、外管微波开口、耦合杆、耦合环、反射端面、调节活塞组成，该微波等离子体炬由三管同轴的一段开放的金属同轴谐振腔组成，利用微波能在开口端形成等离子体焰炬本发明改变了微波等离子体炬的点火方式，通过调整炬管的内管相对位置，使得炬管可以不需要借助额外的装置实现自动点火，从而使得微波等离子体炬装置易用性大大增强，既摆脱了高压点火针对微波屏蔽结构设计的影响，又简化了装置结构本发明所述的微波等离子体炬用于原子发射光谱分析用的等离子体源，也可用于化学和测量技术领域的等离子体源。
一种自动点火微波等离子体装置

[实用新型]一种自动点火的微波等离子体炬装置-CN201720141318.0有效
发明人：金伟;朱旦;金钦汉 -专利权人：浙江全世科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种自动点火的微波等离子体炬装置，由外管、中管、内管、隔圈、微波耦合接口、外管微波开口、耦合杆、耦合环、反射端面、调节活塞组成，该微波等离子体炬由三管同轴的一段开放的金属同轴谐振腔组成，利用微波能在开口端形成等离子体焰炬本实用新型改变了微波等离子体炬的点火方式，通过调整炬管的内管相对位置，使得炬管可以不需要借助额外的装置实现自动点火，从而使得微波等离子体炬装置易用性大大增强，既摆脱了高压点火针对微波屏蔽结构设计的影响，本实用新型所述的微波等离子体炬用于原子发射光谱分析用的等离子体源，也可用于化学和测量技术领域的等离子体源。
一种自动点火微波等离子体装置

[发明专利]用于为等离子体处理产生并维持等离子体的装置-CN201380040017.3有效
发明人： P·奥济梅克;A·克利梅扎克;M·泽莱科斯基;M·戈兰 -专利权人：通快许廷格有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种装置，用于使用感应耦合RF功率来为等离子体处理产生并维持等离子体。所述装置包括谐振电路，所述谐振电路具有谐振电容和谐振电感；激励电路，所述激励电路用于激励所述谐振电路；耦合元件，所述耦合元件用于将来自电感的RF功率耦合到等离子体腔室中。
用于等离子体处理产生维持装置

[发明专利]用于处理工件的等离子体反应装置-CN201710407698.2在审
发明人：李兴存 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于处理工件的等离子体反应装置，其包括电子束产生腔、过滤装置和工艺腔，其中，电子束产生腔位于工艺腔的外部，且通过过滤装置与工艺腔相连通，并且电子束产生腔包括电感耦合等离子体源，该电感耦合等离子体源用于产生第一等离子体；过滤装置用于使第一等离子体在经过过滤装置进入工艺腔时，形成电子束，该电子束用于激励工艺腔内的工艺气体产生第二等离子体，该第二等离子体用于处理工件。本发明提供的用于处理工件的等离子体反应装置，其可以降低电子温度，从而可以解决因电子温度过高引起的晶片表面损伤的问题。
工艺腔等离子体处理工件过滤装置等离子体反应装置电子束产生电子束电感耦合等离子体源工艺气体晶片表面温度过高损伤外部

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