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[发明专利]具有快锁螺纹的等离子体喷枪和保持帽-CN201280048048.9有效
发明人：内森·杰拉尔德·雷特利兹;乔治·亚瑟·克罗 -专利权人：伊利诺斯工具制品有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：提供了一种用于等离子体喷枪的保持帽（56），其包括快锁螺纹（85,87）。保持帽包括耦合至等离子体喷枪的喷枪主体（58）的外螺纹（87）的内螺纹（85）。还提供了等离子体喷枪和等离子体切割系统。
具有螺纹等离子体喷枪保持

[发明专利]用于电感耦合等离子体离子源的紧凑RF天线-CN201180046951.7有效
发明人： S.张 -专利权人： FEI公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于聚焦离子束（FIB）系统的电感耦合等离子体离子源，包括具有原料气输送系统的绝缘等离子体腔，与所述等离子体腔同轴放置并且与所述等离子体腔的外径接近或者与之接触的紧凑射频（RF）天线线圈在一些实施例中，所述等离子体腔被法拉第屏蔽围绕，以防止天线上的RF电压和等离子体腔内的等离子体之间的电容耦合。
用于电感耦合等离子体离子源紧凑 rf 天线

[发明专利]一种可调整局部耦合强度的ICP线圈-CN200510126283.5有效
发明人：申浩南 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及电感耦合等离子体装置线圈。本发明公开的一种可调整局部耦合强度的ICP线圈，包括线圈基体，其中，线圈基体上串连若干个螺旋线圈。本发明能够任意调整线圈与等离子体局部的耦合强度，使晶片加工反应腔室中等离子体均匀分布，从而改变局部的刻蚀速率，改善晶片刻蚀均匀性。
一种可调整局部耦合强度 icp 线圈

[发明专利]晶片蚀刻装置和使用该装置的晶片蚀刻方法-CN201280064810.2无效
发明人：朴生万;吴丞倍 -专利权人：罗泽系统株式会社
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了高速干法蚀刻Si晶片的晶片蚀刻装置以及使用所述晶片蚀刻装置的晶片蚀刻方法，其中同时安装电容耦合等离子体单元或感应耦合等离子体单元和远程等离子体单元，以便高速蚀刻晶片，从而显著降低蚀刻晶片的操作时间此外，卡盘的上表面粗糙，以便具有不平坦的表面，使得在所述上表面和晶片之间形成微小空间，氦气经由该微小空间被供应作为冷却气体来冷却晶片，从而防止由沟槽产生的不需要的微小空间中产生等离子体并且防止不必要的等离子体对晶片造成损坏
晶片蚀刻装置使用方法

[发明专利]感应耦合天线以及使用该天线的等离子体处理装置-CN03132667.6无效
发明人：金泰完;尤利·N·托尔马契夫;马东俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-09-28 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有能提高等离子体均匀性的结构的感应耦合天线以及一种使用该感应耦合天线的等离子体处理装置。感应耦合天线安装在感应耦合等离子体(ICP)处理装置的反应室上，并与射频(RF)电源相连，以便感应产生电场，用于使注入反应室内的气体反应物离子化并产生等离子体。感应耦合天线包括有多圈的线圈，其中，流过最外圈的电流大于流过内圈的电流。最外圈和内圈与RF电源并联连接，内圈彼此串联连接。该感应耦合天线包括：导体金属管，该导体金属管有冷却通道；以及导体金属条带，该导体金属条带与该金属管的底部电连接和热连接。
感应耦合天线以及使用等离子体处理装置

[发明专利]具有分离格栅的等离子体加工设备中的空气泄露检测-CN202080003393.5有效
发明人：孟双;吕新亮;马绍铭;仲華 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了用于检测空气泄露的等离子体加工设备和相关方法。在一个示例性实施方式中，所述等离子体加工设备可包括用于加工工件的加工室，通过分离格栅与所述加工室分开的等离子体室和用于使用工艺气体在所述等离子体室中感应出氧等离子体的感应耦合元件。所述等离子体加工设备可由在氧等离子体下游的工艺空间中的一氧化氮(NO)与氧自由基之间的反应检测余光发射强度，以测量由于存在空气泄露造成的氮浓度。
具有分离格栅等离子体加工设备中的空气泄露检测

[发明专利]利用现场等离子体激励对室进行清洗的方法和设备-CN200810190981.5无效
发明人： J·黄;M·S·巴恩斯;T·布卢克 -专利权人：因特瓦克公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于对诸如半导体晶片、平板衬底、太阳能电池板等衬底进行处理，的衬底处理室，包括用于现场等离子体清洗的机构。室体具有至少一个设置在其侧壁上的等离子体源开口。可移动的衬底支架位于室体内，所述衬底支架处于其中衬底设置在等离子体源开口之下以对室进行现场等离子体清洗的第一位置、以及其中衬底设置在等离子体源开口之上以进行衬底处理的第二位置。等离子体能量源耦合到等离子体源开口。
利用现场等离子体激励进行清洗方法设备

[发明专利]离子源结构装置-CN202310570106.4在审
发明人：马宏图;韩华;汪明刚;李琳琳 -专利权人：中国科学院自动化研究所
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及脑科学设备技术领域，尤其涉及一种离子源结构装置，旨在解决离子源结构维护周期短，影响机台工艺效率的问题。本发明提供的离子源结构装置包括介质耦合窗、等离子体限制桶、内衬和多孔栅板；介质耦合窗与等离子体限制桶的上端连接，多孔栅板与等离子体限制桶的下端连接；内衬设置于等离子体限制桶内并与多孔栅板连接以形成容纳空间本发明通过在等离子体限制桶内设置内衬，内衬上开孔，多孔栅板和基片上的材料溅射出来生长到介质耦合窗和内衬的内表面，由于内衬的阻挡和分割，在内衬和介质耦合窗上形成不连续的金属薄膜，避免形成法拉第屏蔽，保证了离子源的稳定性
离子源结构装置

[实用新型]离子源结构装置-CN202321223270.X有效
发明人：马宏图;韩华;汪明刚;李琳琳 -专利权人：中国科学院自动化研究所
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及脑科学设备技术领域，尤其涉及一种离子源结构装置，旨在解决离子源结构维护周期短，影响机台工艺效率的问题。本实用新型提供的离子源结构装置包括介质耦合窗、等离子体限制桶、内衬和多孔栅板；介质耦合窗与等离子体限制桶的上端连接，多孔栅板与等离子体限制桶的下端连接；内衬设置于等离子体限制桶内并与多孔栅板连接以形成容纳空间本实用新型通过在等离子体限制桶内设置内衬，内衬上开孔，多孔栅板和基片上的材料溅射出来生长到介质耦合窗和内衬的内表面，由于内衬的阻挡和分割，在内衬和介质耦合窗上形成不连续的金属薄膜，避免形成法拉第屏蔽，保证了离子源的稳定性
离子源结构装置

[发明专利]控制在连续波和脉冲等离子体之间转换的方法和装置-CN201710333403.1有效
发明人：赖灿锋;孟亮 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及控制在连续波和脉冲等离子体之间转换的方法和装置。提供了用于在等离子体处理室中从第一等离子体条件平缓转换到第二等离子体条件的方法和装置。用于等离子体处理的装置可以配备有耦合到阻抗匹配网络的RF电源，以平缓地从连续波(CW)等离子体切换到脉冲等离子体(反向地或交替地)而不使等离子体猝灭。或者，等离子体处理室可以被配备在第一占空比的脉冲等离子体平缓地切换到第二占空比的脉冲模式而不使等离子体猝灭。这种转换可以通过使输送到等离子体处理室的RF电源的RF功率斜坡式变化、使占空比斜坡式变化和/或使脉冲频率斜坡式变化，使得阻抗可以在转换期间通过阻抗匹配网络平缓改变和匹配。
控制连续脉冲等离子体之间转换方法装置

[发明专利]ICP离子源中不同处理气体之间快速切换的方法和结构-CN201210240654.2有效
发明人： A.格劳佩拉;S.克罗格;M.W.乌特劳特;N.W.帕克 -专利权人： FEI公司
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及电感耦合等离子体（ICP）离子源中不同处理气体之间快速切换的方法和结构。可打开的气体通道实现在带电粒子束系统中的电感耦合等离子体源中的处理气体或热烘气体的快速泵出。阀，通常定位在源电极中或形成为气体入口的一部分，在打开以泵空等离子体腔时增加气体流导并且在操作等离子体源期间关闭。
icp 离子源不同处理气体之间快速切换方法结构

[发明专利]用于处理半导体层的方法、用于处理硅衬底的方法和用于处理硅层的方法-CN201610327451.5有效
发明人： G·施密特;M·卡恩;P·S·科施;C·迈尔;J·斯泰恩布伦纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：根据各种实施例，一种用于处理半导体层的方法可以包括：在远程等离子体源的等离子体室中生成蚀刻等离子体，其中，远程等离子体源的等离子体室耦合到处理室以用于处理半导体层；将蚀刻等离子体引入处理室以移除来自半导体层的表面的自然氧化层和至多是可忽略的数量的半导体层的半导体材料
用于处理半导体方法衬底

[实用新型]屏蔽结构和包括其的电感耦合等离子体装置-CN202222229506.2有效
发明人：余先炜;田才忠;王美玲;林保璋 -专利权人：盛吉盛半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种屏蔽结构和包括其的电感耦合等离子体装置，该屏蔽结构，用于电感耦合等离子体装置，屏蔽结构包括直条状结构的第一构件和多个第二构件；其中，多个第二构件沿第一构件的长度方向间隔设置，且垂直相交于第一构件本实用新型的屏蔽结构解决了电感耦合等离子体装置的腔室内等离子体均匀性差的问题。
屏蔽结构包括电感耦合等离子体装置

[发明专利]低温等离子体耦合吸附处理挥发性有机物的方法及设备-CN201610242417.8在审
发明人：牟桂芹;郭亚逢;张炜;赵乾斌;隋立华;张宏哲 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： B01D53/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温等离子体耦合吸附处理挥发性有机废气及恶臭气体的设备及方法，通过采用低温等离子体工艺和吸附工艺，挥发性有机废气及恶臭气体先经过低温等离子体装置处理后再进入吸附装置处理。应用低温等离子体耦合吸附方法处理非甲烷总烃低于6000ppm且硫化氢低于100ppm的有机废气和恶臭气体废气时，与单纯使用吸附法和单纯使用低温等离子体相比，能够实现排放废气中的苯低于4mg/m³且各种恶臭物质完全达标；比单独使用低温等离子体能减少臭氧分解剂的填装量50％以上、再生周期延长一倍以上。
低温等离子体耦合吸附处理挥发性有机物方法设备

[发明专利]磁控等离子体动态分布研究方法-CN201910559091.5在审
发明人：毛保全;白向华;李程;钟孟春;张天意;赵其进;宋鹏;兰图 -专利权人：中国人民解放军陆军装甲兵学院
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本发明公开了磁控等离子体动态分布研究方法，属于磁约束等离子体领域，包括以下步骤：S1：建立磁约束等离子体射流热耦合模型，在非导电流体力学的基础上，将一般流体所受的力与洛仑兹力相结合，S2：控制磁约束等离子体流动，S3：等离子体射流模拟，将洛伦兹力和焦耳热以源项的形式分别添加进动量方程和能量方程，开展了等离子体射流在圆筒结构中的流动传热特性三维数值模拟。本发明的研究方法更加的科学合理，基于磁流体动力学法构建磁约束等离子体射流热磁耦合模型，研究了同轴磁场和圆筒壁面条件对等离子体流动及传热特性的影响，并采用红外热成像技术试验测试了施加同轴磁场后的圆筒外壁面温度
等离子体射流磁约束磁控等离子体等离子体流动动态分布同轴磁场等离子体流体力学红外热成像技术研究三维数值模拟传热特性动力学法动量方程流动传热洛伦兹力洛仑兹力能量方程试验测试圆筒壁面圆筒结构圆筒外壁耦合模型磁流体非导电焦耳热热耦合构建流体热磁源项验证施加