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[发明专利]用于调制等离子体系统的等离子体传递系统-CN201980085302.4在审
发明人： G·范齐尔 -专利权人：先进工程解决方案全球控股私人有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：公开了等离子体处理系统和方法。等离子体处理系统包括被配置为向等离子体室传递功率的高频发生器和被配置为向等离子体室传递功率的低频发生器。滤波器耦合在等离子体室与高频发生器之间，并且滤波器抑制由高频发生器产生的高频与由低频发生器产生的低频的混合产物。
用于调制等离子体系统传递

[发明专利]等离子体及其使用方法-CN200680006366.3有效
发明人：彼得·J·莫理斯罗 -专利权人：魄金莱默有限公司
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： B23K9/00 文献下载
摘要：这项发明揭示等离子体装置和在分析测试中使用这样的等离子体装置的方法。在特定的例子中，低流量等离子体可以使用小于每分钟大约五公升的总氩气流量操作，而且在一些实施方案中，等离子体氩气流量小于大约每分钟四公升。在其它的例子中，揭示使用电感和电容耦合产生的等离子体。
等离子体及其使用方法

[发明专利]在溅射处理系统中的等离子体转换的控制-CN200480023784.4无效
发明人： J·C·塞勒司 -专利权人： MKS仪器股份有限公司
申请日： 2004-08-18 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：控制用于材料处理的等离子体的方法和装置，其特征是耦合到等离子体容器和电源的谐振电路和开关单元的协作行动。用于获取与等离子体容器中的等离子体的状态相关联的信号的传感器支持开关单元的闭环控制。由该传感器检测到的不期望的等离子体状态能够通过闭合开关单元以分路谐振电路来消除。
溅射处理系统中的等离子体转换控制

[发明专利]等离子体处理设备-CN200510102511.5无效
发明人：李荣钟;崔浚泳;安贤焕;姜赞镐;白晛祐;黄荣周 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在此公开的是一种等离子体处理设备，其在真空室内产生等离子体以使用所述等离子体来处理半导体基板。所述设备包括基板安装台、外提升棒及阻挡。所述外提升棒包括驱动轴及垂直耦合到所述驱动轴上端的基板支撑部件。所述阻挡包括耦合到所述驱动轴上端的阻挡板及耦合到所述阻挡板下表面的屏蔽部分。所述基板支撑部件是可折叠的基板支撑部件。所述阻挡和所述基板支撑部件由所述驱动轴同时上下驱动。结果，保护所述基板支撑部件免受等离子体的影响、并在所述等离子体处理设备的操作期间防止所述阻挡和外提升棒之间的干扰是可能的。
等离子体处理设备

[实用新型]一种低温等离子体耦合吸附法处理VOCs及恶臭气体的装置-CN201720637392.1有效
发明人：郭亚逢;唐晓丽;姚猛;隋立华;赵乾斌;宋项宁;牟桂芹;王世强;王林;厉建祥 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低温等离子体耦合吸附法处理VOCs及恶臭气体的装置，包括依次连接的低温等离子体设备和吸附设备，其中低温等离子体设备包括低温等离子体电源、低温等离子体放电单元和低温等离子体反应器，两个或两个以上的低温等离子体放电单元插入低温等离子体反应器，在介质流动方向上间隔布设，将低温等离子体反应器间隔为放电区域和非放电区域。低温等离子体产生的高能电子、离子和活性自由基可优先破坏直链烃或小分子有机化合物，能够从根本上解决吸附剂对VOCs及恶臭气体吸附选择性差的问题。
一种低温等离子体耦合吸附处理 vocs 恶臭气体装置

[发明专利]等离子体源的设计-CN201080061569.9无效
发明人： D·卢博米尔斯基;J-G·杨;M·L·米勒;J·D·潘松三世;祝基恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的实施例大体上提供等离子体源设备及该等离子体源设备的使用方法，通过使用电磁能量源，该等离子体源能够在等离子体生成区域中生成自由基及/或气体离子，而等离子体生成区域是对称地定位在磁性核心元件周围。大体而言，等离子体生成区域和磁性核心的方位及形状允许有效率地且均匀地将所传递的电磁能量耦合至布置在等离子体生成区域中的气体。大体而言，等离子体生成区域中形成的等离子体的改善的特征能够改善布置在等离子体生成区域下游的基片或处理腔室的一部分上所执行的沉积、蚀刻及/或清洁工艺。
等离子体设计

[发明专利]一种低温等离子体耦合生物法处理VOCs及恶臭气体的方法-CN201710408526.7在审
发明人：郭亚逢;牟桂芹;赵乾斌;隋立华;王世强;王林;厉建祥;宋项宁;姚猛 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： B01D53/75 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温等离子体耦合生物法处理VOCs及恶臭气体的方法，包括如下步骤：(1)预处理；(2)低温等离子体降解；(3)臭氧分解；(4)生物处理，其中步骤(2)所述低温等离子体降解使用的是低温等离子体发生器，该设备包括低温等离子体电源、在污染物废气流动方向上间隔布设的低温等离子体放电单元和低温等离子体反应器。本发明通过对VOCs及恶臭气体进行间隔式低温等离子体放电和生物降解，能够显著降低低温等离子体发生器内活性粒子的复合机率，提高活性粒子对废气中污染物的降解效率和生物滴滤塔对难降解有机物的处理效率。
低温等离子体恶臭气体低温等离子体发生器生物法处理活性粒子耦合降解生物处理污染物低温等离子体反应器低温等离子体电源难降解有机物预处理生物滴滤塔臭氧分解处理效率放电单元废气流动复合机率间隔布设降解效率生物降解间隔式放电废气

[发明专利]等离子体生成设备-CN202111092308.X在审
发明人：斯蒂芬·R·伯吉斯;安东尼·P·威尔比;C·L·威迪克斯;I·蒙克里夫;P·登斯利 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：根据本发明提供了一种等离子体生成设备。该等离子体生成设备用于对衬底进行等离子体处理，其包括腔室、等离子体产生装置、衬底支撑件和法拉第屏障，腔室具有内表面，等离子体产生装置用于在腔室内产生感应耦合等离子体，衬底支撑件用于在等离子体处理期间支撑衬底，法拉第屏障布置在所述腔室内以用于对内表面的至少一部分进行屏蔽以免受由等离子体处理从衬底移除的材料的影响，其中，等离子体产生装置包括天线和RF电源，RF电源用于将RF电能供应至具有极性的天线，该极性在小于或等于
等离子体生成设备

[发明专利]基片电极调谐型射频感性耦合等离子体源-CN200610200528.9无效
发明人：丁振峰 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及了一种基片电极调谐型射频感性耦合等离子体源。其特征是具有上、下真空室、基片电极、外部调谐网络，射频天线采用柱面耦合方式，基片电极采用叠片绝缘屏蔽，通过外部可变电容、固定电感组成的调谐网络接地。本发明提出的电极调谐型射频感性耦合等离子体源结构简单、系统成本低，不但具有射频感性耦合等离子体的优点，同时能相对独立地增强和抑制基片离子轰击。
电极调谐射频感性耦合等离子体

[发明专利]用于RF等离子体反应器的等离子体鞘控制-CN201980051988.5在审
发明人：艾丽亚·斯劳伯道夫;迪麦西·津巴;肯尼斯·米勒;詹姆斯·普拉格 -专利权人：鹰港科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H03K3/57 文献下载
摘要：一些实施例包括一种等离子体鞘控制系统，其包括：RF电源，其产生具有大于20kHz的频率和大于1kV的峰值电压的正弦波形；和等离子体腔室，其与所述RF电源电耦合，所述等离子体腔室具有通过大于大约1kV的能量受加速到所部署的表面中的多个离子，并且所述等离子体腔室从所述正弦波形在所述等离子体腔室内产生等离子体鞘。所述等离子体鞘控制系统包括：阻流二极管，其电连接在所述RF电源与所述等离子体腔室之间；和电容放电电路，其与所述RF电源、所述等离子体腔室和所述阻流二极管电耦合；所述电容放电电路通过大于1kV的峰值电压并且通过小于250纳秒的放电时间使所述等离子体腔室内的电容电荷放电。
用于 rf 等离子体反应器控制

[发明专利]一种等离子体天线仿真方法及系统-CN201710432111.3在审
发明人：魏相飞;马云;郝洪荣;刘丹丹;范传宇 -专利权人：皖西学院
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体天线仿真方法及系统，该方法首先获取等离子天线工作时涉及的物理场信息，并根据所涉及到物理场信息，确定多物理场的耦合方程；然后根据耦合方程，确定等离子天线的性能参数；最后建立等离子天线实体仿真模型，并根据性能参数和物理场信息，运行等离子天线实体仿真模型，得到仿真结果。因此，本发明在运行等离子天线实体仿真模型时考虑了等离子天线工作时涉及多个物理场的耦合作用，避免了只对等离子体天线材料进行单一的参数设置，提高了等离子体天线仿真结果的准确性，降低了仿真误差。
一种等离子体天线仿真方法系统

[发明专利]高性能感应等离子体焰炬-CN201280015875.8有效
发明人： M.I.鲍洛斯;N.迪格纳德;A.奥格;J.朱雷维茨;S.特兰德 -专利权人：泰克纳等离子系统公司
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：一种感应等离子体焰炬，包括管状焰炬体；等离子体限制管，布置在管状焰炬体中，与管状焰炬体同轴；气体分配器头，布置在等离子体限制管的一端，并构造成将至少一种气体物质供应进等离子体限制管中；感应耦合构件，用于对气体物质施加能量，以在等离子体限制管中产生并维持等离子体；电容屏蔽层，包括被施加到等离子体限制管的外表面上或管状焰炬体的内表面上的传导材料薄膜。传导材料薄膜的厚度小于根据供应给感应耦合构件的电流的频率和薄膜传导材料的电导率计算出的趋肤深度。可在等离子体的外表面或管状焰炬体的内表面中机加工轴向沟槽，轴向沟槽插入轴向条之间。
性能感应等离子体

[发明专利]一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置-CN201910625548.8有效
发明人：张仲麟;孙宇飞 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置，属于低温等离子体的应用技术领域，本发明为解决射频感应耦合等离子体源在模式转换时存在不稳定放电阶段，导致等离子密度、电子能量分布、气体宏观温度以及均匀性很难同时满足要求的问题本发明包括圆台型的石英腔体；石英腔体沿轴向分成两部分，靠近小端口的首端区域为等离子体产生区，靠近大端口的尾端区域为等离子体加速区；工作气体在等离子体产生区被击穿生成种子电子，所述种子电子在旋转磁场作用下生成高密度等离子体；所述等离子被拉伸至等离子体加速区进行加速形成等离子体射流，并向真空腔气室喷射。
一种基于电流驱动技术反场位形结构高密度等离子体射流发生装置

[发明专利]等离子体显示装置和载带封装及其制造方法-CN200410047193.2无效
发明人：金基正;金银坤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： G09F9/313 文献下载
摘要：一种等离子体显示装置，包括一等离子体显示屏、一耦合到等离子体显示屏的底板(chassis base)、一耦合到底板的驱动电路，一软性印制电路将驱动电路耦合到等离子体显示屏的电极的软性印制电路(FPC)。将集成电路(IC)装配在载带封装具有载带封装(TCP)结构的薄膜上，并耦合到FPC。在驱动IC与FPC线路相连的连接区域淀积一层环氧树脂，形成一不平坦区域，其上包含有基本均匀形成的凹陷和凸起。
等离子体显示装置封装及其制造方法

[发明专利]用于表面处理加工的脉冲电感耦合等离子体的方法和设备-CN202180012278.9在审
发明人：谢挺;李昊辰;孟双;张其群;D·科尔;马绍铭;杨海春;仲華;R·帕库勒斯柯;杨晓晅 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了使用等离子体处理工件的设备和方法。在一种示例性实施方式中，设备可以包括处理腔室。该设备可以包括限定侧壁的介电管的等离子体腔室。该设备可以包括电感耦合等离子体源。该电感耦合等离子体源包含被配置为激励设置在介电管周围的感应线圈的RF发生器。该设备可以包括将处理腔室与等离子体腔室分开的分离格栅。该设备可以包括被配置为在脉冲模式下操作电感耦合等离子体源的控制器。
用于表面处理加工脉冲电感耦合等离子体方法设备