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[实用新型]一种可消除挥发性有机化合物的通风座椅垫结构-CN201320083920.5有效
发明人：陈功;池华;沈广文 -专利权人：广州东风江森座椅有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： B60N2/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可消除挥发性有机化合物的通风座椅垫结构，设置于所述座椅的坐垫与/或靠背上，包括一防水透气层以及一与该防水透气层相连接的导气间隔层，所述导气间隔层与所述座椅的通风换气机构相连通，其中，所述通风座椅垫结构进一步包括一消滤层，所述消滤层设置于所述防水透气层与所述导气间隔层之间。充分利用了座椅通风透气系统的空气流通特性，通过设置特有的挥发性有机化合物VOC消滤层进行对流动空气中相关物质的吸附、消解和过滤作用，以实现车身内气味性改善，提高车内空气质量。
一种消除挥发性有机化合物通风座椅结构

[发明专利]一种白光有机电致发光器件-CN201710021106.3在审
发明人：罗东向;杨炎锋;刘佰全;何俊彬;杨亿斌;牟中飞;李京波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种白光有机电致发光器件，所述白光有机电致发光器件以如下顺序设置阴极；有机功能层；以及阳极；所述有机功能层包括至少三层发光层和至少两层间隔层，所述发光层之间通过所述间隔层相间设置；所述发光层包括至少一层蓝色荧光层和至少两层磷光层；所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层双极性间隔层，或所述间隔层包含至少一层电子型间隔层和至少一层空穴型间隔层，或所述间隔层包含至少一层双极性间隔层和至少一层空穴型间隔层。
一种白光有机电致发光器件

[发明专利]智能变电站程序化控制间隔层跨测控装置操作的方法-CN201110454054.1有效
发明人：陈锐;张高林;陈远生;孙一民 -专利权人：长园深瑞继保自动化有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能变电站程序化控制间隔层跨测控装置操作的方法，要解决的技术问题是实现间隔层跨测控装置操作。本发明采用以下技术方案：间隔层测控装置上的的操作项按智能终端操作一次设备的时间顺序排列；建立间隔层测控装置之间数据通信联接，本间隔层测控装置预演或执行工作票操作队列。本发明与现有技术相比，采用以间隔层测控装置为核心的分布式控制方式，建立间隔层测控装置之间数据通信联接，在间隔层测控装置上实现单间隔跨测控装置操作控制、跨间隔操作控制，使得间隔层的单个测控装置能够快速有效稳定地执行跨间隔操作，能够更好地发挥以间隔层测控装置为核心的分布式方案的优势，提高了现场的操作效率。
智能变电站程序化控制间隔测控装置操作方法

[实用新型]一种新型空调滤芯-CN202123221178.3有效
发明人：邢雅 -专利权人：清河县科纳森汽车配件有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B60H3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型空调滤芯，包括空气滤芯，空气滤芯内侧嵌入安装有过滤棉，且过滤棉内壁两侧均固定连接有多个限位块，过滤棉内侧开设有过滤腔，且过滤棉内侧固定连接有过滤层。通过设置限位块、凸块和隔层的配合使用下，由于多个限位块呈由上至下从大到小间隔设置，当粉尘通过多个限位块时，通过限位块和凸块将粉尘架空，防止粉尘堵塞过滤腔，并由于隔层为乳胶材质，通过乳胶材质具有一定的韧性，当粉尘堵塞过滤腔内时，空调在抽动空气时，对粉尘产生吸力，使粉尘向下移动,当较多的粉尘堆积在隔层左侧后，再通过空调产生的吸力，让粉尘对隔层挤压形变，增加过滤腔的面积，便于将空气吸入车内，同时，防止粉尘堵塞过滤腔
一种新型空调

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202210525962.3在审
发明人：廖军;洪明杰 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成图案化的多晶硅，并在所述多晶硅的侧壁上形成间隔层；在所述半导体衬底的表面覆盖保护层，且所述保护层暴露出所述多晶硅和所述间隔层的顶部并将预定高度的间隔层掩埋在内；刻蚀去除暴露出的所述间隔层，剩余的所述间隔层为所述多晶硅侧壁上所需的间隔层。通过在间隔层正常刻蚀成形后，在半导体衬底上形成一定厚度的保护层，再通过刻蚀降低间隔层的高度，由于间隔层的根部被保护层覆盖保护，在等向性刻蚀进程中，避免了常规的等向性刻蚀带来的间隔层厚度减小的副作用。
一种半导体器件制造方法

[实用新型]一种抽样用的移动办公车-CN201920481390.7有效
发明人：万力;林建宇;梁伟健;温林浩;余构彬;高裕锋;王桂华 -专利权人：广东省生物工程研究所(广州甘蔗糖业研究所)
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： A47B81/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及抽样设备技术领域，具体涉及一种抽样用的移动办公车，其结构包括包括箱体，箱体的底部设有车轮，车轮设有固定车轮的锁定结构，箱体分设为若干个间隔层，若干个间隔层至少包括有移动电源存放间隔层、单据存放间隔层、样品存放间隔层、打印机存放间隔层和样品袋存放间隔层，若干个间隔层由上往下依次排列，每个间隔层的底面均开设有供电源线穿过的电源线孔，每个间隔层中的电源线孔相互贯通，箱体的上底面安装有扩展板，箱体的上底面与扩展板构成用于放置电脑以及样品的办公桌面
间隔层抽样移动办公车电源线孔扩展板上底面车轮本实用新型办公设备办公桌面便于携带抽样设备供电源线固定车轮样品存放依次排列移动电源样品袋打印机底面单据分设穿过贯通锁定办公电脑

[发明专利]用于磁阻存储器的间隔层-CN201610951918.3有效
发明人： T·塔玛塞比;V·B·耐克;K·李;C·S·西特;K·亚马内 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明揭示用于磁阻存储器的间隔层，其具有高TMR的底部钉扎垂直磁隧道结(pMTJ)，可耐受高温后端工艺制程。该pMTJ包含在该pMTJ的固定磁层的SAF层和参考层之间的复合间隔层。该复合间隔层包含第一非磁(NM)间隔层，设于该第一NM间隔层上方的磁(M)间隔层，及设于该M层上方的第二NM间隔层。该M层为磁连续非晶层，其提供对于参考层的良好模板。
间隔层磁阻存储器复合间隔参考层垂直磁隧道固定磁层非晶层钉扎非磁耐受制程

[发明专利]氮化硼与硼-氮化物衍生材料的沉积方法-CN200980114768.9无效
发明人：米哈拉·鲍尔西努;克里斯多佛·丹尼斯·本彻;咏梅·陈;伊萨贝丽塔·罗夫洛克斯;夏立群;德里克·R·维迪;立岩·苗;维克多·恩古源 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种方法和设备来形成邻接基板结构的间隔物材料。在一实施方式中，提供一种处理基板的方法，包括将一具有邻接基板表面的基板结构的基板放到沉积腔室内、沉积间隔层至基板结构和基板表面、以及蚀刻间隔层而露出基板结构和部分基板表面，其中间隔层被设置邻接基板结构。间隔层可包含氮化硼材料。间隔层可包含基底间隔层和衬底层，间隔层可以二步骤的蚀刻工艺蚀刻。
氮化氮化物衍生材料沉积方法

[发明专利]通过等离子体氧化处理的轮廓和CD均匀性控制-CN200980153702.0无效
发明人：庆华·钟;宋·曹;高里·卡马尔斯;琳达·布拉力 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了一种在衬底上方从具有水平表面和侧壁表面的非氧化硅的含硅的间隔层形成间隔的方法。提供了等离子体氧化处理以在所述间隔层上形成氧化硅涂层，其中所述氧化硅涂层提供所述间隔层的所述水平表面上的水平涂层和所述间隔层的所述侧壁表面上的侧壁涂层。提供了各向异性主刻蚀，其相对于所述间隔层的侧壁表面和所述氧化硅涂层的所述侧壁涂层有选择地刻蚀所述间隔层和氧化硅涂层的水平表面。刻蚀所述间隔层，其中所述氧化硅涂层的所述侧壁涂层保护所述间隔层的侧壁表面。
通过等离子体氧化处理轮廓 cd 均匀控制

[发明专利]一种发电厂电气设备统一系统-CN202011644135.3在审
发明人：赵逸众;徐丰;李算;李建军;李勇;王秋洋 -专利权人：广州发展能源站管理有限公司;广州发展太平能源站有限公司;广州发展鳌头能源站有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种发电厂电气设备统一系统，包括站控层、间隔层以及过程层，站控层连接间隔层，间隔层连接过程层，站控层、间隔层以及过程层之间通过预先设定的通信协议进行通信，站控层包括多台核心交换机，多台核心交换机向上连接站控层设备，多台核心交换机向下连接间隔层网络交换机，间隔层包括网络交换机，网络交换机向上连接多台核心交换机，向下连接间隔层内部的保护、测控和其他智能电子设备，用于间隔层内部信息交换，过程层包括过程层内部装置，过程层内部装置连接间隔层内部的保护装置
一种发电厂电气设备统一系统

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110545051.2在审
发明人：谢明哲;黄侦晃;徐绍华;张正忠;李思屏;魏安祺;王祥保;陈嘉仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，该方法包括：于基板上方形成虚设栅极堆叠；于虚设栅极堆叠上方形成第一间隔层；氧化第一间隔层的表面以形成牺牲衬层；于牺牲衬层上方形成一或多个第二间隔层；于一或多个第二间隔层上方形成第三间隔层；于第三间隔层上方形成层间介电(inter‑layer dielectric,ILD)层；蚀刻一或多个第二间隔层的至少一部分以形成气隙，气隙插在第三间隔层及第一间隔层之间；形成再填充层以填充气隙的上部。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]垂直MOSFET器件及其制备方法-CN202111514468.9在审
发明人：朱慧珑;肖忠睿 -专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：该垂直MOSFET器件包括：衬底；有源区，包括依次竖直叠置于衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，沟道层的外周相对于第一源/漏层和第二源/漏层的外周凹入；间隔层，包括上间隔层和下间隔层，其中，上间隔层形成于因沟道层凹入而露出的第二源/漏层的下表面，下间隔层形成于因沟道层凹入而露出的第一源/漏层的上表面，上间隔层和下间隔层均与沟道层的侧面接触且不连通；栅堆叠，至少形成于沟道层的横向外周且嵌于上间隔层和下间隔层之间的凹槽空间。
垂直 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]具有软磁性和稳定高磁矩的主磁极的垂直写入器-CN03138618.0无效
发明人： A·M·苏霍;V·A·瓦斯科;D·麦卡恩 -专利权人：西加特技术有限责任公司
申请日： 2003-05-28 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明是一垂直写入器，该垂直写入器具有一空气支承表面、一具有延伸部的主磁极、返回磁极和一位于主磁极延伸部和返回磁极之间的背面间隔件。主磁极包括一顶部磁性层和一软磁底层，它们被一无磁性间隔层隔开。主磁极延伸部直接接触主磁极，并且从空气支承表面下陷。顶部磁性层在ABS处形成主磁极的后缘，并且具有大于软磁底层的磁矩的磁矩。此外，顶部磁性层和软磁底层通过无磁性的间隔薄层相互反铁磁性联接。无磁性间隔层主要具有111结晶构造，并且促进矫顽磁性和晶粒度的降低以及顶部磁性层材料的各向异性的增加。
具有磁性稳定高磁矩磁极垂直写入

[发明专利]改进放热多分子合成反应器，特别是合成氨反应器效率的方法-CN88101750.7无效
发明人：阿姆布托·乍迪;吉欧吉阿·帕格尼 -专利权人：阿莫尼·卡萨尔公司;阿姆布托·乍迪
申请日： 1988-03-30 - 公布日： 1994-06-01 - 主分类号： C01C1/04 文献下载
摘要：使氨、甲醇等放热多分子合成的反应器现代化的系统，包括耐压壳体，形成空隙的间隔层，限定催化填充物的间隔层或滤筒，以及容纳催化剂的篮。其中a)基本上在整个反应器的轴向长度上与壳体形成空隙的单层间隔层；b)形成填充物层的间隔层与空隙形成间隔层性质完全不同，它完全不与形成空隙的间隔层相连，而是含有一些独立的组件；催化剂部分与空隙形成间隔层的截面的接触
改进放热分子合成反应器特别是合成氨效率方法

[发明专利]改进放热多分子合成反应器特别是合成氨反应器效率的方法-CN93119562.4无效
发明人：阿姆布托·乍迪;吉欧吉阿·帕格尼 -专利权人：阿莫尼·卡萨尔公司;阿姆布托·乍迪
申请日： 1988-03-30 - 公布日： 1996-05-15 - 主分类号： B01J8/04 文献下载
摘要：使氨、甲醇等放热多分子合成的反应器现代化的系统，包括耐压壳体，形成空隙的间隔层，限定催化填充物的间隔层或滤筒，以及容纳催化剂的篮。其中，a)基本上在整个反应器的轴向长度上与壳体形成空隙的单层间隔层；b)形成填充物层的间隔层与空隙形成间隔层性质完全不同，它完全不与形成空隙的间隔层相连，而是含有一些独立的组件；催化剂部分与空隙形成间隔层的截面的接触
改进放热分子合成反应器特别是合成氨效率方法