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[发明专利]光掩模的制造方法和使用该光掩模的半导体装置制造方法-CN03105272.X有效
发明人：野嵨茂树;池永修 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-02-26 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明的课题是提供能进行精度更高的是否合格的判断的光掩模的制造方法。本发明的光掩模的制造方法包含下述步骤：在光掩模上作成掩模图案(ST.1)；测定作成的掩模图案的尺寸(ST.2、ST.3)；根据尺寸测定的结果，求出在被曝光体上曝光掩模图案时的曝光余量；判断求出的曝光余量是否满足规定的曝光余量；根据是否满足曝光余量的判断结果，判断光掩模是否合格；该制造方法的特征在于：尺寸测定包含掩模图案中在被曝光体上曝光该掩模图案时曝光余量小的临界图案部的尺寸测定。
光掩模制造方法使用半导体装置

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201811285152.5在审
发明人：高永珉;权赫宇;李凖原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了制造半导体装置的方法，所述方法包括：在目标层上顺序地形成第一硬掩模层、第二硬掩模层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行图案化以形成光致抗蚀剂图案；将光致抗蚀剂图案用作蚀刻掩模顺序地对第二硬掩模层和第一硬掩模层进行图案化以形成第一硬掩模图案和位于第一硬掩模图案上的第二硬掩模图案；将第一硬掩模图案和第二硬掩模图案用作蚀刻掩模来蚀刻目标层，其中，第二硬掩模层包括掺杂杂质的非晶硅。
硬掩模图案硬掩模层光致抗蚀剂图案半导体装置蚀刻掩模图案化光致抗蚀剂层蚀刻目标层掺杂杂质抗蚀剂层非晶硅目标层制造

[发明专利]光掩模坯料及制造方法-CN201810605620.6在审
发明人：高坂卓郎;寺泽恒男;入江重夫;木下隆裕 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料及制造方法。将光掩模坯料加工成透射光掩模，该透射光掩模用于使用曝光光在接受体上形成图案的光刻。该光掩模坯料包括：透明衬底、可通过氯/氧基干蚀刻来蚀刻的材料的第一膜、和含硅材料的第二膜。该第二膜包括相对于检查光的波长(长于曝光光)具有至少1.6的折射率n或至少0.3的消光系数k的层。
光掩模坯料蚀刻曝光光透射光掩模含硅材料消光系数检查光接受体折射率波长衬底光刻制造图案透明加工

[发明专利]光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法-CN200810132384.7无效
发明人：文载寅 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-07-16 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种光掩模及使用该光掩模制造半导体器件的方法，所述光掩模包括形成于线型图案(41)与岛型图案(43)之间的点型图案(45)。使用该光掩模制造半导体器件的方法改进器件的良率及生产率。
光掩模使用制造半导体器件方法

[发明专利]光掩模，制造光掩模的方法以及使用其的光刻方法和系统-CN200610092512.0无效
发明人：许圣民;金熙范;李东根;全爘旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：根据本发明的光掩模根据使用光掩模所形成的图像类型的照射类型提供选择性区域优化。光掩模包括光偏振结构，其偏振入射到偏振结构的光。来自光刻曝光系统中的源的第一照射类型的光入射到光掩模。部分光入射到包括偏振结构的光掩模的区域，并且光的另一部分入射到不包括偏振结构的光掩模的另一区域。将入射到偏振结构的光的照射类型改变为第二照射类型，使得来自具有偏振结构的光掩模区域的入射到例如集成电路晶片衬底的光是第二照射类型。没有入射到偏振结构的部分光的照射类型没有改变，使得来自光掩模的该部分的入射到晶片的另一部分的光是第一类型。通过选择性地区域地控制光刻工序中的照射类型，在晶片的整个区域中优化曝光系统的分辨率。
光掩模制造方法以及使用光刻系统

[发明专利]清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法-CN201410392595.X有效
发明人：潘怡勋;谢昆龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明提供了清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法。在清洁光掩模的方法中，从擦拭带供带盘开始引导擦拭带、经过清洁头、然后到达擦拭带收带盘上。经过清洁头的一段擦拭带接触光掩模的表面上的粘合剂残留物。在光掩模和该段擦拭带之间进行相对运动以从光掩模的表面去除粘合剂残留物。
清洁模块装置以及光掩模方法

[发明专利]光刻设备的洁净度的检测方法以及反射式光掩模-CN201810915785.3有效
发明人：李宗彦;傅中其;陈立锐;郑博中;郭爵旗;郑介任 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。
光刻设备洁净检测方法以及反射式光掩模

[发明专利]光掩模坯的保持装置-CN99806027.5无效
发明人： G·戈德尔;A·厄尔曼;G·翁格尔;W·贝森贝克;A·雷特尔 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 1999-03-11 - 公布日： 2001-06-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于光掩模坯的保持装置,包括设有用于光掩模坯(4)的支承面(3)的保持体(1)及与光掩模坯(4)的一个导电层(6)可形成电接触的接地单元(10)。接地单元包括一个接触顶尖(15),它可被这样地操作,即它可在实质上对放置在该保持装置中的光掩模坯(4)无侧向相对移动的情况下向下移动到光掩模坯上。
光掩模坯保持装置

[实用新型]具有反光识别区的光掩模夹具-CN202020592068.4有效
发明人：王国荃 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有反光识别区的光掩模夹具，用于光掩模工作台，所述光掩模工作台上方具有反光识别探测器，所述光掩模夹具包括：夹具框体；光掩模窗口，位于所述夹具框体中；以及反光识别区，位于所述夹具框体上，本实用新型在夹具框体上设置具有高反光率的反光识别区，使得不再需要整个光掩模夹具的材质都具有高反射率，可以使用价格较低的金属替代原来昂贵的高反射金属材质，仅需在反光识别区设置高反射材料即可，从而大大降低了光掩模夹具的材料成本及制造成本
具有反光识别光掩模夹具

[发明专利]微晶图制作过程-CN03122478.4有效
发明人：陈孟伟;杨大弘;张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-04-28 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种微晶图制作过程，其首先在一基底的上方形成一光阻层。之后，在光阻层的上方设置第一光掩模，该第一光掩模上具有一高密度图案。之后，进行第一曝光步骤，以将该第一光掩模上的高密度图案转移至光阻层，其中第一曝光步骤的曝光能量为E1。之后，再于光阻层的上方设置第二光掩模，该第二光掩模上具有一低密度图案。随后，进行第二曝光步骤，以将该第二光掩模上的低密度图案转移至光阻层，其中第二曝光步骤的曝光能量为E2，且E2大于E1。最后，进行显影步骤，以图案化光阻层。
微晶图制作过程

[发明专利]检测及清理光掩模的玻璃面及膜面上的微尘的装置及方法-CN202010763336.9在审
发明人：金成昱;金帅炯;梁贤石;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本申请涉及一种检测及清理光掩模的玻璃面及膜面上的微尘的装置及方法。所述装置包括：装载单元，装载单元包括用于保持光掩模的保持部；检测单元，检测单元用于检测光掩模上的微尘；清理单元，清理单元用于对检测到的微尘进行清理。在应用微尘清理装置时，可以将待测的光掩模装载于装载单元，装载后的光掩模保持在保持部上，之后可以启动检测单元对光掩模上的微尘进行检测，待完成检测后，可以通过清理单元对微尘进行清理，从而去除光掩模上的微尘。利用本申请的微尘清理装置能够以连续的方式顺次对光掩模实施微尘检测和微尘清除的工作，使得微尘检测和微尘清除两项工作无缝衔接，由此，可以提高光掩模的微尘检测及清理过程的整体效率。
检测理光玻璃面上微尘装置方法

[发明专利]光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法-CN202011359397.5在审
发明人：崔栽荣;丁明正;贺晓彬;刘强;王桂磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法，光掩模版缺陷处理设备包括装载装置、检测装置、清除装置和控制装置，装载装置设置成装载光掩模版，检测装置设置成对光掩模版进行检测，清除装置设置成对光掩模版上的缺陷进行清除，装载装置、检测装置和清除装置分别与控制装置电连接。根据发明实施例的光掩模版缺陷处理设备，在曝光机具有曝光的功能上增加缺陷处理的功能，缺陷处理过程在曝光机的内部进行，无需将光掩模版取出，避免频繁的取放造成的损坏和二次污染。在曝光前通过检测装置对光掩模版进行检测，检测完成后通过清除装置对缺陷进行处理，降低因缺陷超过允许范围导致的生产损失。
模版缺陷处理设备曝光以及方法

[发明专利]光掩模检查装置-CN202310205204.8在审
发明人：岸本良 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以更高的检测精度对光掩模进行检测的可靠性高的光掩模检查装置。光掩模检查装置包括：保持部、第一光源、第二光源、混合部、照明光学系统、成像光学系统、图像传感器、以及运算处理部。保持部保持光掩模。第一光源包括射出第一光的单一的第一半导体发光元件。第二光源包括射出第二光的单一的第二半导体发光元件。混合部将第一光及第二光混合。照明光学系统将光引导到光掩模。图像传感器接收通过成像光学系统而入射的光，并生成拍摄图像。运算处理部基于拍摄图像来进行光掩模的检查。
光掩模检查装置

[发明专利]去除光掩模中雾的装置及除去光掩模中雾的方法-CN200710140084.9无效
发明人：金文植 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种去除光掩模中雾(haze)的装置，其包括：具有烘烤模块的密封的腔体，该烘烤模块安置在其中以支撑光掩模；反应气体供应管道，以供应反应气体到腔体中；和排放器件，以排放腔体中的杂质到外部。本发明还涉及一种去除光掩模中雾的方法，包括：加载光掩模到腔体中；提升加载的光掩模的温度高于预定温度；供应反应气体到腔体中，由此反应气体和出现在升温的光掩模上的杂质发应以形成反应产物；和排出反应气体和杂质的反应产物到腔体外部
去除光掩模中雾装置除去方法

[发明专利]一种实现精准套刻的工艺方法-CN202010102702.6有效
发明人：朱继光 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现精准套刻的工艺方法，该工艺方法包括：将需要精确套刻的至少两层光掩模进行逻辑运算，生成包含第一层和第二层所需图形的合集光掩模、第一层扩展光掩模和第二层扩展光掩模；提供目标介质层及覆盖其上的硬掩模层，利用半导体光刻工艺先将合集光掩模的图形传导到所述硬掩模层上，形成硬掩模图形，再依次将第一层扩展光掩模和第二层扩展光掩模的图形传导到所述目标介质层上，形成第一层图形和与之零套刻精度的第二层图形。
一种实现精准工艺方法

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