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[发明专利]离子束辅助沉积在抑制金属涂层元素界面互扩散中的应用-CN202110633029.3在审
发明人：吴护林;解志文;向林;高旭;公平;宁海青;陈永君;郭锋;苏艳;高诗情;邢志辉;刘鹏 -专利权人：中国兵器工业第五九研究所;辽宁科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供了离子束辅助沉积在抑制金属涂层元素界面互扩散中的应用，所述金属涂层为沉积在金属基体上的单一涂层或复合涂层，所述离子束辅助沉积是在涂层沉积过程中进行离子束轰击。本发明方案属于离子束辅助沉积新应用的基础研究，能够使得金属基体与涂层、涂层与涂层之间的元素界面扩散在一定程度上被较好地抑制，为离子束辅助沉积在抑制金属涂层元素界面互扩散中的应用提供了更多地可能。
离子束辅助沉积抑制金属涂层元素界面扩散中的应用

[发明专利]掺杂类金刚石涂层的多离子束溅射沉积技术-CN201010132905.6无效
发明人：付志强;王成彪;岳文;彭志坚;于翔 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种制备掺杂类金刚石(DLC)涂层的多离子束溅射沉积方法，特征是首先利用超声波清洗去除工件表面污染层，利用离子源产生的氩离子束对工件表面进行离子束轰击清洗，获得原子级的清洁表面；然后利用离子束辅助溅射沉积方法制备梯度过渡层；最后在梯度过渡层上利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层。利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层的过程中，在溅射离子源轰击石墨靶和金属靶产生的碳粒子和金属粒子沉积到工件表面的同时，辅助沉积离子源产生的气体离子持续轰击生长的膜层表面，调控膜层微观结构和实现多元素掺杂
掺杂金刚石涂层离子束溅射沉积技术

[发明专利]清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体-CN201811107929.9有效
发明人：赖诚忠;陈舜钦;陈世芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文公开一种干式清洁沉积反应腔室的方法、干式清洁系统以及非暂态电脑可读取媒体。在一些实施例中，清洁沉积反应腔室的方法包括：进行等离子体辅助清洁工艺，以清洁在沉积反应腔室的内表面所形成的管道沉积物，其中等离子体辅助清洁工艺包括：将第一反应气体提供到远端等离子体源以产生等离子体，其中等离子体包括含氟自由基；将等离子体从远端等离子体源提供到沉积反应腔室，以清洁管道沉积物；以及在进行等离子体辅助清洁工艺后，通过将第二反应气体提供到沉积反应腔室，以进行化学清洁工艺。
清洁方法系统非暂态电脑读取媒体

[发明专利]微晶硅薄膜的沉积方法及等离子体辅助沉积的监控装置-CN200910261946.2有效
发明人：杜陈忠;李升亮;梁沐旺;黄振荣;张家豪 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：一种微晶硅薄膜的沉积方法，包括：以开回路方式进行等离子体辅助沉积；在该开回路未调变制作工艺参数的沉积制作工艺使薄膜结晶率达到稳定后，接续以闭回路调变制作工艺参数的方式进行等离子体辅助沉积，其中该闭回路方式为监控该等离子体中的SiH*和Hα活性物种，并调整该等离子体辅助沉积中的制作工艺参数，使该等离子体中的SiH*和Hα活性物种的成分浓度维持在稳定范围内，提高镀膜沉积速率。
微晶硅薄膜沉积方法等离子体辅助监控装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910696415.X在审
发明人：刘中伟;柯宇伦;邱意为 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：此处所述的沉积技术包括等离子体辅助化学气相沉积、等离子体辅助原子层沉积、与原子层沉积工艺，其前驱物如四乙氧基硅烷及二乙氧基甲基硅烷可提供必要的氧原子，而可不采用氧气作为反应物之一。所述的沉积技术可还包含采用氧气的等离子体辅助化学气相沉积、等离子体辅助原子层沉积、与原子层沉积，其采用的前驱物可含有埋置的硅‑氧‑硅键如(CH
原子层沉积等离子体辅助化学气相沉积等离子体辅助前驱物沉积氧气二乙氧基甲基硅烷原子层沉积工艺金属间介电层四乙氧基硅烷半导体结构低介电常数介电材料物理特性反应物内连线氧原子多层硅键埋置

[发明专利]降低立方氮化硼薄膜应力的方法-CN200810119797.1无效
发明人：范亚明;张兴旺;谭海仁;陈诺夫 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源；步骤3：将衬底加热；步骤4：离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar⁺离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar⁺及N₂⁺的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜；步骤5：在离子束辅助沉积系统中将衬底降温；步骤6：取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。
降低立方氮化薄膜应力方法

[发明专利]综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法-CN201810140027.9有效
发明人：朱美萍;曾婷婷;邵建达;易葵;孙建;李静平;王建国;张伟丽 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：一种电子束蒸发、离子束辅助与离子束溅射综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法，设备包括由左电子枪坩埚、右电子枪坩埚、离子源辅源、离子源主源、溅射靶材和夹具盘组成的综合沉积系统。本发明结合了电子束蒸发沉积技术、离子束辅助沉积技术及离子束溅射沉积技术的优点，不但能够提高膜层质量，而且能够提高镀膜效率、降低镀膜成本。
综合沉积镀膜设备方法

[发明专利]离子束辅助沉积铂－碳混合膜的工艺方法-CN200710046884.4无效
发明人：江炳尧;冯涛;王曦;柳襄怀 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂－碳混合膜，即在溅射沉积铂－碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂－碳混合膜的铂/碳成份比本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现，工艺简单、成本低，特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。
离子束辅助沉积混合工艺方法

[发明专利]利用等离子体辅助原子层沉积技术制造的半导体装置及其方法-CN202111258113.8在审
发明人：颜聪富;张光瑞;蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣 -专利权人：台湾奈米碳素股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及利用等离子体辅助原子层沉积技术制造的半导体装置及其方法。一种利用等离子体辅助原子层沉积技术制造半导体装置的方法，包括：提供基板，基板包括硅基板及第一氧化层。沉积多个堆叠层于基板之上，堆叠层包括介电层及导体层。蚀刻堆叠层以形成至少一个沟槽。使用等离子体辅助原子层沉积装置沉积第二氧化层于堆叠层及沟槽上。等离子体辅助原子层沉积装置包括腔室、上电极及下电极，上电极位于腔室的上方并包括多个喷头。第一射频功率装置让上电极的该多个喷头产生等离子体，第二射频功率装置清洁该多个喷头，下电极设置于腔室的下方并连接一第三射频功率装置。沉积高电阻层于第二氧化层上，沉积低电阻层于高电阻层上。
利用等离子体辅助原子沉积技术制造半导体装置及其方法

[发明专利]微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置-CN200910046033.9有效
发明人：张磊;施立群 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：具体涉及一种微波ECR等离子体辅助磁控溅射沉积装置，包括磁控溅射区和ECR等离子体轰击区以及基板，ECR等离子体放电室，柱状室和环状圆盘，所述的溅射区和等离子体轰击区位于真空室夹角的两端，环状圆盘焊接在柱状室上本发明将高活性的微波等离子体与磁控溅射技术结合起来，能克服双离子束溅射辅助沉积时溅射沉积速率低、辅助轰击效果也相对较低的缺点，可对沉积和等离子体辐照分别控制，制备高质量的薄膜。与传统方法比较本发明ECR辅助下制备的钛膜表面平整，致密，光洁。同时也能降低装置成本。
微波 ecr 等离子体辅助磁控溅射沉积装置

[发明专利]双极脉冲磁控溅射系统及提高沉积离子流量和能量方法-CN202111271649.3在审
发明人：李刘合;韩明月;罗阳;李多铎;朱祥瑞;徐晔;罗斯达;彭徽 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种双极脉冲磁控溅射系统及提高沉积离子流量和能量方法。该磁控溅射系统包含真空室和电源设备，所述真空室包括溅射靶、辅助阳极，所述电源包含双极性脉冲磁控溅射电源、电流单向导通部件以及辅助阳极供电电源，其中溅射靶与双极性脉冲磁控溅射电源的脉冲输出端连接，(i)通过在辅助阳极与双极脉冲磁控溅射电源的脉冲输出端之间串联一个电流单向导通部件，利用单向导电特性实现在辅助阳极上施加正脉冲电压，或者(ii)将辅助阳极与其他辅助阳极供电电源的电压输出端子连接，从而利用辅助阳极优化离子的扩散以及增强离子的能量，提高沉积离子能量。本发明能够有效地优化离子扩散，提高沉积离子的能量及流量。
脉冲磁控溅射系统提高沉积离子流量能量方法

[发明专利]光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法-CN200410067901.9无效
发明人：张大伟;邵建达;范正修;王英剑;黄建兵;张东平;尚淑珍 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： G02B1/12 文献下载
摘要：一种光学均匀的氧化锆薄膜的制备方法的关键是：采用物理真空电子枪蒸发沉积方式；选取低能量、高束流的霍尔型辅助离子源；基底不施加烘烤；沉积时，所述霍尔型辅助离子源的离子的具体参数根据薄膜所需的折射率和薄膜不结晶而确定本发明所制备的氧化锆薄膜具备常温沉积的非晶优点和离子辅助技术的高射率、高附着力的优点，薄膜光学均匀。
光学均匀氧化锆薄膜制备方法

[发明专利]具有梯度结构的固体自润滑膜及其制备方法-CN201911265781.6有效
发明人：金杰;陈丹丹;刘元富;李荣华 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：开启磁控溅射镀膜和离子束辅助源，对金属基板表面进行磁控溅射辅助沉积，关闭磁控溅射，开启离子束轰击源，对靶材进行离子束轰击，形成一层功能层；经多次辅助沉积和离子轰击交替后，以磁控辅助沉积结束，形成固体自润滑膜；在交替过程中，离子束辅助源的能量均相同，离子束轰击源的离子束能量均不相同。本发明通过调整负压、溅射电压、溅射电流、离子束源能量等参数控制膜生长，优化薄膜结构，沉积速率高，制备时间短，表面不存在大颗粒，膜层致密，耐磨，摩擦系数低，耐腐蚀、抗潮解。
具有梯度结构固体润滑及其制备方法

[发明专利]一种离子源辅助沉积系统、沉积方法及真空镀膜设备-CN202211032636.5有效
发明人：田修波;柏贺达 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种离子源辅助沉积系统、沉积方法及真空镀膜设备，涉及真空镀膜技术领域。离子源辅助沉积系统包括阴极、阳极、进气管和绝缘外壳；阴极具有靶面，阴极接有阴极电源；阳极环绕靶面设置，阳极突出于靶面，阳极接有阳极电源；进气管的出口位于阴极与阳极之间；绝缘外壳环绕靶面设置，以形成电离室上述离子源辅助沉积系统能够增加工作气体的离化率，在小气流量的情况下保持放电稳定性，能够降低等离子体在向外喷射过程中与工作气体原子碰撞的频率，从而降低等离子体的能量损失，且等离子体的运动方向不易改变，最终保证有足够多的等离子体到达基片，增强沉积效果，提高膜层质量。
一种离子源辅助沉积系统方法真空镀膜设备

[发明专利]表面带有Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金及其制备方法-CN201110090572.X有效
发明人：金国;崔秀芳;李莉;郝金龙;王忠禹 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：(1)对镁合金基材进行前处理；(2)在前处理后的镁合金基材表面利用离子束辅助气相沉积制备一层致密Mg薄膜；(3)在制备好的Mg薄膜表面利用离子束辅助气相沉积制备Mg-Hf梯度涂层；(4)在制备好的Mg-Hf梯度涂层表面利用离子束辅助气相沉积制备Hf-N梯度涂层；(5)在制备好的Hf-N梯度涂层表面利用离子束辅助气相沉积制备Hf-Si-N梯度涂层。本发明选用的镁合金是目前正在广泛研究的潜在的生物医用材料，通过离子束辅助气相沉积(IBAD)方法在医用镁合金表面制备Hf-Si-N薄膜，以提高其耐腐蚀、耐磨损性能，并进一步提高其生物相容性。
表面带有 hf si 梯度涂层医用镁合金及其制备方法

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