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[发明专利]一种用于电催化氧还原合成双氧水的碳基镓单原子材料及其制备方法和应用-CN202310350946.X在审
发明人：杨昆尚;陈亮;杨其浩;陆之毅;林贻超 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电催化氧还原合成双氧水的碳基镓单原子材料，所述碳基镓单原子材料由碳原子、氧原子和镓原子组成，不含有镓的氧化物形态，具有Ga‑O‑C结构，且三种原子均匀分布；镓原子与氧原子以共价键的形式成键，氧原子再与碳原子成键结合；镓原子以单原子形式均匀分散于碳基的基底材料上。采用本发明的技术方案提供的碳基镓单原子材料用于电催化氧还原合成双氧水，制备得到的碳基镓单原子材料中仅具有C、O和Ga三种元素，且呈单原子均匀分布且无团聚、无结晶，兼具碳材料的高导电性，克服了均相催化剂不稳定
一种用于电催化还原合成双氧水碳基镓单原子材料及其制备方法应用

[发明专利]含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法-CN200710107760.2有效
发明人：熊传兵;江风益;王立;汤英文;郑畅达;刘军林;刘卫华;王古平 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式提供一种铟镓铝氮基半导体发光器件，其包括铟镓铝氮基半导体多层结构和支持铟镓铝氮基半导体多层结构的碳基衬底，其中该碳基衬底包括至少一个碳基层。该碳基衬底具有高热传导率和低电阻率。
含有衬底铟镓铝氮发光器件及其制造方法

[发明专利]一种镓基液态金属固碳设备及其使用方法-CN202210351146.5在审
发明人：谈逊;刘才;谈谦;吴曦;曾龙辉;李欣;王占玲;刘宁波 -专利权人：华厦半导体（深圳）有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本发明涉及固碳设备技术领域，且公开了一种镓基液态金属固碳设备，包括罐体，所述罐体向上形成开口，所述罐体的开口处放置有密封盖；所述密封盖通过抬升机构与罐体连接；所述密封盖的底部设有过滤支撑机构；所述罐体的内部镶嵌有环管，所述环管的内周开设有若干个通孔；所述罐体的底部镶嵌有加热片；所述罐体的外周设有碳盛放导流机构。本发明提出一种镓基液态金属固碳设备及其使用方法，本发明通过注入有镓基液态金属，利于通入的二氧化碳与加热后的镓基液态金属进行反应，以生成碳，同时在过滤网的作用下，利于将碳过滤出，增加固碳的便捷性。
一种液态金属设备及其使用方法

[发明专利]一种砷化镓基多结同位素微电池-CN201010534724.6无效
发明人：姜澜;陈海洋;李大让;尹建华;蔡胜国 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓基多结同位素微电池，属于微机电系统中能源领域。本发明包括两个或两个以上的单结砷化镓基同位素微电池，每两个单结砷化镓基同位素微电池之间通过隧道结相连，多结同位素微电池的表面采用SiO2钝化；其结构表达式为：单结砷化镓基同位素微电池/隧道结/单结砷化镓基同位素微电池/隧道结/…/单结砷化镓基同位素微电池/衬底。
一种砷化镓基多同位素电池

[发明专利]氘气制备方法及以其作为氘源参与的氘代反应-CN202110113461.X有效
发明人：郎建平;顾宏伟;朱峰源 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C01B4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氘气制备方法及以其作为氘源参与的氘代反应，氘气制备方法包括以下步骤：将铝溶解于液态金属镓中，得到铝‑镓合金，然后将氘代水与铝‑镓合金反应，反应过程中产出氘气。本发明利用铝与金属镓作用，形成具有活性很高的单原子铝，能够与氘代水持续反应而不会被氧化铝层包裹使反应终止，所产生的氘气可直接作为氘源，与含不饱和碳键的化合物、含硝基的化合物、含氰基的化合物或含卤素的化合物发生氘代反应
制备方法以其作为参与反应

[发明专利]具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件及其制造方法-CN200910186563.3无效
发明人：熊传兵 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件及其制造方法。该氮化镓基半导体的支撑衬底在膨胀系数、形变方面可以很好的与氮化镓基半导体外延层结合，支撑衬底与氮化镓基半导体外延层有较好的膨胀系数匹配，同时不易碎裂和形变，且具有良好的导体属性。具体方案为：该氮化镓基半导体器件包括用于支撑氮化镓基半导体外延层的支撑衬底，所述支撑衬底为其内渗透有质量百分比为10％～30％的铜的石墨衬底。本发明主要用于氮化镓基外延层的LED半导体器件。
具有复合衬底氮化半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化镓基外延结构、半导体器件及其形成方法-CN201611092657.0有效
发明人：陈龙;李成;袁理 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓基外延结构、半导体器件及其形成方法，该氮化镓(GaN)基外延结构包括：第一氮化镓层，其掺杂有第一浓度的碳(C)原子；第二氮化镓层，其掺杂有第二浓度的碳(C)原子，所述第二浓度小于所述第一浓度；以及，碳原子掺杂阻挡层，其位于所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层之间，用于阻挡碳原子在所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层之间扩散。
氮化外延结构半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种键合连接的硅基与砷化镓基的太阳电池-CN201510619638.8有效
发明人：程学瑞;张焕君;冯世全;康利平;李俊玉 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种键合连接的硅基与砷化镓（GaAs）基的太阳电池。该太阳电池包括上层砷化镓基电池和下层硅基电池，上、下层电池间硅与砷化镓通过键合连接的方法形成隧穿结互联起来，形成叠层太阳电池；所述上层砷化镓基电池为AlGaAs（铝镓砷）单结电池或GaInP/AlGaAs双结电池；所述下层硅基太阳电池为Si单结电池。本发明通过采用直接键合技术，较好解决了硅基太阳电池与砷化镓基太阳电池之间晶格匹配问题，解决了不同晶格常数材料直接生长的难题，使砷化镓太阳电池外延层可以有效转移到硅太阳电池上。
一种连接砷化镓基太阳电池

[发明专利]一种铜基复合催化剂，其制备方法及应用-CN202111198866.4在审
发明人：徐骏;刘经伟;卞伯同;李泽壮;赵娟 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石化扬子石油化工有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B01J23/825 文献下载
摘要：本发明提供一种铜基复合催化剂，其包含碳基载体，和负载于该碳基载体上的氧化态的铜和氧化态的镓，其中铜元素与镓元素的摩尔比M为M1，优选2，还优选3；以及M30，优选20，还优选15，且该催化剂通过在负载所有催化剂组分后
一种复合催化剂制备方法应用

[发明专利]基于超高真空表面活化的氧化镓与金刚石键合方法及晶片-CN202211600168.7在审
发明人：王康;李焕;齐彩霞;许丹;魏迎 -专利权人：咸阳职业技术学院
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备工艺领域，具体涉及一种基于超高真空表面活化的氧化镓与金刚石键合方法及晶片，该方法制备的金刚石基氧化镓晶片具有氧化镓层/非晶氧化镓层/纳米粘接层/非晶碳层/金刚石衬底和氧化镓层/非晶氧化镓层/非晶碳层/金刚石衬底两种结构，主要制备步骤为：对氧化镓和金刚石表面进行精细抛光；利用快速氩原子束对抛光后的氧化镓和金刚石表面进行活化处理；在经表面活化处理后的氧化镓和金刚石表面分别沉积纳米粘接层，将沉积了纳米粘接层的氧化镓和金刚石互相接触进行间接键合，或不需要沉积纳米粘接层，将经过表面活化处理的氧化镓和金刚石进行直接键合。本发明制备的金刚石基氧化镓晶片，可提高氧化镓器件的散热性能。
基于超高真空表面活化氧化金刚石方法晶片

[发明专利]一种含镓的稀土－铁基永磁碳化物及其制备方法-CN93105618.7无效
发明人：沈保根;孔麟书;詹文山;郭慧群;王芳卫;宁太山;赵见高;曹蕾;胡明 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1993-05-07 - 公布日： 1998-04-08 - 主分类号： H01F1/058 文献下载
摘要：本发明涉及一种含镓的稀土－铁基永磁碳化物及其制备方法。其特征在于在钐铁基材料中附加适量的镓，熔炼成钐铁镓碳基２∶１７型结构的材料，制备方法采用粉末烧结和快淬工艺，制备出高磁能积的各向异性或高矫顽力的各向同性的永磁材料。
一种稀土永磁碳化物及其制备方法

[发明专利]一种外延结构的制备方法、外延结构、器件及设备-CN202111489896.0在审
发明人：吕越;陈爱华 -专利权人：中晟光电设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：该制备方法包括：获取支撑衬底；在所述支撑衬底上制备基础层；在所述基础层上制备碳掺杂的氮化镓缓冲层；其中，在制备所述氮化镓缓冲层时引入碳源对所述氮化镓缓冲层进行碳掺杂；所述碳源包括第一碳源，所述第一碳源为三甲基铝该制备方法提供了一种工艺掺杂方案，能够进一步提高氮化镓缓冲层的电阻率。在氮化镓缓冲层生长过程中通入三甲基铝作为碳源，能够显著提高氮化镓缓冲层的碳掺杂能力，进而显著提高氮化镓缓冲层的电阻率，从而显著提高硅基氮化镓缓冲层的击穿电压。
一种外延结构制备方法器件设备

[发明专利]等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法-CN201910508459.5有效
发明人：张鹏;许聪基;赖铭智 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。针对GaAs基体表面钝化层中氧化铝膜的刻蚀难题，本发明人通过大量研究实验发现以碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对砷化镓基体造成损伤本发明创新性地提出用碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对GaAs基体造成损伤，保证了半导体制造工艺的可靠性和稳定性。
等离子体刻蚀方法垂直发射激光器制备

[发明专利]一种氮化镓基场效应晶体管及其制备方法-CN201510057890.4有效
发明人：叶念慈;徐宸科;林科闯 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基场效应晶体管，包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、氮化镓(GaN)层、氮化铝镓(AlGaN)层，及设置于氮化铝镓层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，所述栅极是由导电类钻碳(Diamond‑like本发明用类钻碳作为栅极材料降低了栅极区域的自发性热效应，提高稳定性，同时利用掺杂类钻碳的方式调整栅极阻值与极性，实现增强型工作的目的。本发明还公开了上述晶体管的制备方法。
一种氮化场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811014548.6在审
发明人：郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，所述电子提供层、所述有源层和所述空穴提供层依次层叠在所述衬底上，所述电子提供层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层的材料采用掺杂硅的氮化镓，所述第二子层的材料采用掺杂碳的氮化镓，所述第一子层的厚度大于所述电子提供层的厚度的1/2。本发明通过在掺杂硅的氮化镓层中插入至少一个掺杂碳的氮化镓层，实现电子的平面铺展，降低电子提供层的串联电阻，增强底层的抗静电能力。
子层电子提供层氮化镓基发光二极管外延片空穴氮化镓层掺杂硅氮化镓衬底源层制备掺杂半导体技术领域抗静电能力串联电阻依次层叠铺展

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