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[实用新型]一种浅碳化室内地板-CN201921080507.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：大连生雨科技开发有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浅碳化室内地板，属于室内装修领域，一种浅碳化室内地板，包括浅碳化地板，浅碳化地板的左右两端对称设置有卡槽，卡槽为圆形槽，浅碳化地板的下端设置有方形槽，方形槽内滑动连接有基板，浅碳化地板与基板之间设置有粘结层，基板的上表面贴合有加强层，加强层为热固性纤维增强层，纤维为连续纤维编织物，它设置有基板，基板设置在浅碳化地板的内部，使得地板整体的上部和四周为浅碳化地板，不仅降低了成产成本，还保持了浅碳化地板的优点，且该浅碳化地板的上端设置有保护层，保护层具有保护浅碳化地板的作用，防止浅碳化地板的表面被刮花，延长浅碳化地板的使用寿命。
一种碳化室内地板

[实用新型]连续式固体废料微波碳化装置-CN201920370456.5有效
发明人：顾卫群;张斌;邹学军;王福贤;黄思源 -专利权人：深圳市中粤华远科技有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C10B1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及连续式固体废料微波碳化装置，包括进料结构、出料结构、微波碳化炉以及控制器，进料结构以及出料结构分别与微波碳化炉连接，进料结构、出料结构以及微波碳化炉分别与控制器连接；控制器控制进料结构运输固体废料进入微波碳化炉，并由控制器根据微波碳化炉内的温度，调整微波碳化炉的转动速度，且根据微波碳化炉输出的物料在出料结构内的堆积量，驱动出料结构工作以运输物料。本实用新型利用温度传感器反馈微波碳化炉内的温度，以调整进料结构和微波碳化炉的搅拌筒转动速度，实现自适应控制固态废料的微波碳化，且碳化炉内微波辐射均匀、可连续工作，提高碳化效率，占地面积小，能耗低，并且能兼容处理各类固体废料
连续固体废料微波碳化装置

[实用新型]电加热污泥碳化装置-CN201920411606.2有效
发明人：张太信;贾盛磊;刘帆;王丹丹 -专利权人：山东美陵中联环境工程有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C10B1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电加热污泥碳化装置，属于处理市政污泥炭化技术领域。包括相互套装在一起的碳化内滚筒和碳化外滚筒；碳化外滚筒第一端通过锥形筒连接出料滚筒，碳化外滚筒第二端连接动力滚筒，动力滚筒外部设有传动齿轮B，传动齿轮B连接驱动装置B；碳化外滚筒外周布置若干电热丝集成单元；碳化内滚筒第一端伸出出料滚筒设置，碳化内滚筒第一端外部设有传动齿轮A，传动齿轮A连接驱动装置A，碳化内滚筒第一端连通螺旋输送机，碳化内滚筒外表面呈螺旋状缠绕电热丝，对应电热丝，碳化内滚筒外部设有碳刷和导电滑环；碳化内滚筒第二端一侧设有出料口。本实用新型节能环保，温度易控制，污泥碳化质量高。
碳化内滚筒传动齿轮第一端外滚筒电热丝连接驱动装置本实用新型出料滚筒动力滚筒污泥碳化外部螺旋输送机螺旋状缠绕导电滑环集成单元节能环保市政污泥炭化技术出料口电加热锥形筒碳刷外周连通伸出

[实用新型]一种碳化设备-CN202121454405.4有效
发明人：卢锦平;邓武楷 -专利权人：广东格兰仕微波炉电器制造有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本申请的一种碳化设备用于碳化阴极组件的灯丝，从而提高灯丝的寿命。所述碳化设备为碳化炉，所述碳化炉包括活动上盖、炉体、第一气体口、第二气体口和电源装置，所述炉体在上部具有开口，内部具有空腔，所述活动上盖和炉体配合使用，将炉体打开或是闭合，便于将阴极组件放入碳化炉内执行碳化操作或者取出采用本申请的碳化设备,在碳化炉内完成灯丝的碳化，由于碳化炉密封性好，能减少其他杂质混入碳化层，且安全性高、形成的碳化层均一，有利于提高灯丝的质量和寿命。
一种碳化设备

[实用新型]一种联产生物炭的一体化污泥碳化炉-CN202221534492.9有效
发明人：刘平;马赫 -专利权人：桂林格瑞环保节能科技有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C10B1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种联产生物炭的一体化污泥碳化炉。包括：碳化炉外壳，生物质多段连续碳化装置，污泥多段连续碳化装置，生物质进料口，污泥进料口，生物质出料口，污泥出料口，炉内碳化气燃烧装置，炉外燃烧机，鼓风机，动力传动装置，碳化炉烟气出口。根据本实用新型的联产生物炭的一体化污泥碳化炉，生物质多段连续碳化装置和污泥多段连续碳化装置在同一碳化炉外壳内各自独立运行，利用生物质碳化产生的热量碳化污泥，同时生产出了高附加值的生物炭，大大降低了污泥碳化的运营成本
一种联产生物一体化污泥碳化

[发明专利]一种ω-3鱼油软胶囊加工用颗粒包装机蜗杆-CN201610043237.7在审
发明人：刘巴宁 -专利权人：中山百鸥医药科技有限公司
申请日： 2016-01-23 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C22C29/00 文献下载
摘要：本发明公开一种ω-3鱼油软胶囊加工用颗粒包装机蜗杆，由以下原料组成：铝、铜、镁、锰、钨、碳化钽、碳化钒、碳化锆、碳化钨、碳化硼、碳化硅、氮化铝和氮化钛，按质量份数配比由以下原料组成：铝18-20份、铜24-30份、镁30-35份、锰4-10份、钨4-10份、碳化钽3-8份、碳化钒4-10份、碳化锆12-16份、碳化钨18-20份、碳化硼22-24份、碳化硅30-35份、氮化铝40-46份和氮化钛5-7份
一种鱼油软胶囊工用颗粒装机蜗杆

[发明专利]一种用于测定再生混凝土碳化区微结构的切片取样方法-CN201810287659.8在审
发明人：潘钢华;匡桐;糜人杰 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G01N1/06 文献下载
摘要：本发明所述的一种用于测定再生混凝土碳化区微结构的切片取样方法，其步骤包括：(1)成型再生混凝土试件，拆模养护后进行一维碳化；(2)切片：沿试件的一维碳化方向，从前碳化面和上非碳化面的交线点处至试件中心处等间隔垂直切片，得到不同碳化深度处的试件切片；(3)取样：敲出各试件切片中的新老砂浆颗粒，进一步破碎、真空干燥后进行碳化区微观测试。本发明的取样方法可以根据实际碳化深度，控制切片间隔，取得再生混凝土在不同碳化深度区间新、老硬化水泥浆试样，可分别对再生混凝土中的新老砂浆的碳化深度、碳化区的划分和微结构进行分析，为准确进行再生混凝土的碳化寿命预测及其他耐久性研究取样方法提供参考
碳化再生混凝土切片取样试件碳化区微结构砂浆硬化水泥浆拆模养护深度区间寿命预测微观测试等间隔非碳化中心处交线成型破碎垂直参考分析研究

[发明专利]以碳化稻壳为原料原位制备碳化硼-碳化硅复合陶瓷的方法-CN201910256037.3在审
发明人：邢鹏飞;刘坤;高帅波;都兴红;闫姝;冯忠宝;庄艳歆;郭静霓 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C04B35/563 文献下载
摘要：一种以碳化稻壳为原料原位制备碳化硼‑碳化硅复合陶瓷的方法，按以下步骤进行：(1)将碳化稻壳浸入盐酸除去杂质，获得除杂碳化稻壳；(2)将碳质还原剂和除杂碳化稻壳分别磨细制成碳质还原剂粉料和稻壳粉料；(3)将碳化硼粉、碳质还原剂粉料和稻壳粉料混合均匀，加入水和粘结剂，用压球机上压制成方形团块；(4)在温度50～120℃条件下烘干制成生坯；(5)用真空热压烧结炉进行烧结。在本发明的方法可以显著提高碳化硅的均匀性，改善材料中碳化硼与碳化硅界面的结合状况，使烧结制备的碳化硼‑碳化硅复合陶瓷具有更加优良的性能。
碳化稻壳碳化硼碳化硅复合碳质还原剂粉陶瓷原位制备烧结稻壳粉碳化硅除杂真空热压烧结炉碳质还原剂浸入改善材料碳化硼粉均匀性粘结剂烘干磨细生坯团块压球盐酸制备压制

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201980017792.4在审
发明人：池田均;松本雄一;高桥亨 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为使固体碳化硅原料于生长容器内升华并使碳化硅单晶在晶种基板上生长的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，将钽(Ta)的粉末与碳的粉末一同混合，并使其附着于所述生长容器内的所述固体碳化硅原料，进行热处理并烧结，在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜后使碳化硅单晶生长、或一边在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜一边使碳化硅单晶生长。由此提供一种减少了碳内含物的碳化硅单晶的制造方法。
碳化硅制造方法

[发明专利]一种碳化硅表面处理方法-CN201910425889.0在审
发明人：刘骏;刘振华;张海 -专利权人：湖南太子新材料科技有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅表面处理方法，包括：步骤一、对碳化硅颗粒进行粉碎并筛选出粒径为5～10μm的碳化硅粉末；步骤二、将所述碳化硅粉末置于温度为700～800℃的马弗炉中进行煅烧，以除去所述碳化硅粉末表面的游离碳；步骤三、对除碳后的碳化硅粉末进行酸洗和碱洗，以对除碳后的碳化硅粉末进行提纯；步骤四、将提纯后的碳化硅粉末分别进行分散浆化、物理分散、沉淀分离、烘干，即得表面处理后的碳化硅微粉。本发明公开的碳化硅表面处理方法能够针对性的除去碳化硅表面的杂质，提高碳化硅微粉的分散性，且成本低，能耗低。
碳化硅粉末碳化硅表面碳化硅微粉提纯碳化硅颗粒沉淀分离物理分散分散浆分散性马弗炉游离碳烘干碱洗粒径酸洗煅烧能耗筛选

[发明专利]快速处理大面积严重碳化混凝土面的方法-CN201911252823.2在审
发明人：董文杰;李海东;王广;王皓琴;李圣东 -专利权人：湖北江能水利水电建设有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： E04G23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速处理大面积严重碳化混凝土面的方法，包括：基面处理：人工除掉混凝土碳化基层表面的挂块、浮尘、浮浆、油污，并凿除疏松、空鼓部位，用角磨机将混凝土碳化基层表面的凹凸不平处打磨平整；毛糙处理：在混凝土碳化基层表面形成毛糙面；找平层施工：拌制聚合物水泥基砂浆，涂刷聚合物水泥基砂浆形成找平层；防碳化涂料层施工：拌制防碳化涂料，涂刷防碳化涂料形成防碳化涂料层；养护处理：防碳化涂料层成型后铺设防水帆布进行遮挡，如果需要接触流水则防碳化涂料层需自然干燥养护7天以上，在施工现场安装通风设备。本发明具有防碳化涂料层不易脱落、防碳化效果好、施工快速、节约工期的效果。
快速处理大面积严重碳化混凝土方法

[发明专利]一种碳化硅外延结构的制备方法及半导体设备-CN202110042524.7在审
发明人：周长健;潘尧波;唐军 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅外延结构的制备方法，对反应腔室进行净化处理；在净化处理之后的所述反应腔室内壁生长碳化硅保护层；将碳化硅衬底放入所述反应腔室内，并对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀；在刻蚀后的所述碳化硅衬底上生长碳化硅缓冲层；在所述碳化硅缓冲层上生长N型碳化硅外延层；在所述N型碳化硅外延层上生长P型碳化硅外延层。本发明的制备方法简单，可在同一腔室内完成不同掺杂类型外延层的生长，实现不同掺杂外延层的连续生长，降低碳化硅外延结构的表面缺陷，提高碳化硅器件的良率。
一种碳化硅外延结构制备方法半导体设备

[发明专利]一种碳化硅单晶生长装置及其生长方法-CN202011633769.9在审
发明人：张洁;廖弘基;陈华荣;陈泽斌;杨树;洪棋典 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置及其生长方法，涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括坩埚、顶盖、碳化硅多晶过渡层和碳化硅耔晶。顶盖盖设于坩埚上，且与坩埚共同围成生长空腔，碳化硅多晶过渡层设置于顶盖靠近生长空腔的一侧，碳化硅耔晶粘接于碳化硅多晶过渡层远离顶盖的一侧。与现有技术相比，本发明提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了设置于顶盖上的碳化硅多晶过渡层，所以能够防止顶盖与碳化硅耔晶直接接触，降低由于热膨胀而引起的热应力，避免碳化硅单晶产生位错缺陷和裂纹。
一种碳化硅生长装置及其方法

[发明专利]一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件-CN202110683397.9在审
发明人：林大野;王治中;蔡钦铭 -专利权人：广州爱思威科技股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅晶体的制备方法、碳化硅晶片、碳化硅衬底及半导体器件，所述碳化硅晶体的制备方法包括以下步骤：将甲基三氯硅烷和氢气在第一反应腔内进行还原分解反应，生成四氢化硅和乙烷；将所述四氢化硅和乙烷在第二反应腔内进行反应，生成碳化硅单晶；使所述碳化硅单晶在籽晶处形核、长大，结晶形成碳化硅单晶并生长成为碳化硅晶体。本发明以甲基三氯硅烷为原料，采用HTCVD方法生长制备碳化硅，显著降低了碳化硅制备过程中的反应温度，避免了碳源挥发造成碳化硅质量下降的问题，提高了制备所得的碳化硅晶体的质量。
一种碳化硅晶体制备方法晶片衬底半导体器件

[发明专利]一种碳化硅外延结构及其制备方法-CN202210719055.2在审
发明人：周长健;沈淳;张优优;赵哲;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅外延结构及其制备方法，具体涉及碳化硅外延生长技术领域。本发明制备方法，包括以下步骤：选取碳化硅衬底，并对其进行湿法清洗；将湿法清洗后的碳化硅衬底置于反应室内，并将所述反应室抽至真空；向所述反应室内通入氢气和氯化氢对所述碳化硅衬底进行原位刻蚀；向所述反应室内通入生长源及掺杂源生长碳化硅缓冲层，其中所述碳化硅缓冲层的掺杂浓度在所述碳化硅衬底的掺杂浓度与碳化硅外延层的掺杂浓度之间变化；在所述碳化硅缓冲层上生长所述碳化硅外延层。采用本发明的制备方法可改善碳化硅外延层的质量。
一种碳化硅外延结构及其制备方法