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[发明专利]一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置-CN202210244788.5有效
发明人：李佳君;王蓉;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
一种碳化硅晶片腐蚀方法装置

[发明专利]一种快速生长高质量碳化硅的方法-CN202110880193.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速生长高质量碳化硅的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有气相传输法制备碳化硅晶体生长速度下降的问题，本发明提供了一种快速生长高质量碳化硅的方法，首先制备不同孔径和孔隙率的多孔碳化硅原料片，然后在坩埚底部依次铺设常规碳化硅粉料、小孔径多孔碳化硅原料片和大孔径多孔碳化硅原料片，以气相传输法进行碳化硅晶体生长。大孔径多孔碳化硅原料片能够防止在碳化硅气体在原料表面结晶，将碳化硅晶体生长速度提高了20～30％；小孔径的多孔碳化硅原料片能够过滤气体组分中的碳颗粒，减少碳化硅晶体生长过程中产生的包裹物、微管、位错等缺陷，从而获得具有较高质量的碳化硅晶体。
一种速生长高质量碳化硅方法

[实用新型]一种换热管-CN201220477503.4有效
发明人：王家邦;吉国青;郭森;安霓虹 -专利权人：王家邦;吉国青;郭森;安霓虹
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： F28F1/08 文献下载
摘要：本实用新型适用于换热设备技术领域，提供了一种换热管，所述换热管设有包括碳化硅外管和碳化硅内管的双层封闭套管结构，所述碳化硅外管设有出气口，所述碳化硅内管设有进气口，所述碳化硅内管穿过所述碳化硅外管的顶端并设有内管延伸机构，所述进气口设置在所述延伸机构的末端，所述碳化硅外管在所述出气口位置的下端设有隔离机构，所述隔离机构将所述碳化硅外管分为碳化硅外管上段和碳化硅外管下段，所述碳化硅外管下段的下端部和碳化硅内管的下端部形成一热交换空腔本实用新型提供的换热管设有包括碳化硅外管和碳化硅内管的双层封闭套管结构，碳化硅材料提高了换热管的换热效率，并提高换热管的使用寿命。
一种热管

[实用新型]一种碳化钨堆焊层结构-CN201721786210.3有效
发明人：杜鸿;雒玉岐;赵攀 -专利权人：上海亭博分离技术有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： B23K33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化钨堆焊层结构，所述堆焊层结构设置在基体上，包括第一碳化钨层、第二碳化钨层、第三碳化钨层和第四碳化钨层，均为具有弧度的结构；所述基体由本体和凹槽组成；所述凹槽是纵截面为直角梯形的结构；所述凹槽在其内部底部覆盖有第一碳化钨层；在所述第一碳化钨层上覆盖有第二碳化钨层，且第二碳化钨层的顶部略高出凹槽；在所述第二碳化钨层上覆盖有第三碳化钨层，且所述第三碳化钨层的一部分超出凹槽覆盖在凹槽斜边一侧的本体上；所述第四碳化钨层覆盖在第三碳化钨层的一部分和凹槽直边一侧的本体上。本实用新型的碳化钨堆焊层结构耐磨性能好。
碳化钨层碳化钨堆焊层覆盖本实用新型结构设置耐磨性能直角梯形堆焊层纵截面斜边直边

[实用新型]一种超细碳酸钙生产用碳化塔-CN201721574202.2有效
发明人：余晓红;连会;毛建德 -专利权人：婺源县浙联新材料有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超细碳酸钙生产用碳化塔，由三级碳化塔连接组成，第一级碳化塔的储浆罐出浆口与第二级碳化塔碳化罐顶端的进料管连接，第二级碳化塔的储浆罐与第三级碳化塔碳化罐顶端的进料管连接，将精制石灰乳从第一级碳化塔顶部喷雾喷出，二氧化碳从气体分布器散出，二者逆流接触发生碳化反应，反应混合液从塔底流出，进入储浆罐，添加适当的分散剂处理后，喷雾进入第二级碳化罐继续碳化，反应混合液从塔底流出，进入储浆罐B，将混合液以喷雾进入第三级碳化塔碳化，得到的混合液进行过滤、干燥制得最终产品，经本实用新型碳化后得到的成品粒径小、粒径分布窄、均匀性好。
碳化塔储浆罐碳化塔碳化喷雾本实用新型超细碳酸钙反应混合液第三级第一级罐顶端混合液进料管碳化流出气体分布器碳化塔顶部均匀性好粒径分布逆流接触碳化反应出浆口分散剂石灰乳碳化罐二氧化碳粒径喷出精制过滤生产

[实用新型]碳化硅单晶生长装置-CN202022053597.X有效
发明人：裴悠松;徐洙莹;李钟海 -专利权人：山东国晶电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚，所述坩埚外周包裹有隔热层，所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区；在所述的碳化硅原料区，坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道；在所述的碳化硅单晶生长区，坩埚内腔中设置有石墨管，石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接，碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中，石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室；经加热，升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
碳化硅生长装置

[实用新型]一种导热性能好的碳化硅板-CN202222270536.8有效
发明人：许彬粱 -专利权人：杭州兆昱科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： F27D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导热性能好的碳化硅板,包括碳化硅板组件和碳化硅板框体一，碳化硅板组件包括碳化硅板框体二，碳化硅板框体一的一端面固定设置有水箱，碳化硅板框体二固定在碳化硅板框体一远离水箱的一端面，碳化硅板框体二的侧面对称开设有若干个凹槽一，凹槽一底面固定设置有弹簧一，弹簧一的上端面固定设置有碳化硅板二，碳化硅板框体二的表面固定设置有弧形碳化硅板一，弧形碳化硅板一的表面环形阵列开设有通孔一，碳化硅板框体二的内表面对称固定设置有若干个弹簧二本实用新型能够加大碳化硅版底部的热量传递效率，可以使得上方得陶瓷件烧制得更加美观。
一种导热性能碳化硅

[发明专利]一种预碳化法提高小苏打粒度的装置及生产方法-CN201811069898.2在审
发明人：庞栓林;梅述钘;谢智勇;李满枝;李治水;聂增来;马良;丁健 -专利权人：天津渤化永利化工股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C01D7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种预碳化法提高小苏打粒度的装置及生产方法，包括碳化塔，为清洗塔和制碱塔，碳化塔顶部均设置尾气排放口，顶部侧面均设置进料口，底部侧面均设置混合进气口和液体出液口；碳化塔混合进气口均连接混合气进气管路，混合气进气管路由低浓度二氧化碳管路和高浓度二氧化碳管路汇合；碳化塔液体出液口均连接碳化液体出液管路，碳化液体出液管路分支为碳化晶浆管路和预碳化晶浆液管路，碳化晶浆管路经晶浆泵连接至稠厚器，预碳化晶浆液管路经碱液泵连接至碳化塔进料口；碳化塔进料口均连接化碱液管路，尾气排放口连接尾气放空管路和碳化尾气循环利用管路。
碳化塔预碳化进料口晶浆进气口混合气进气管路尾气排放口出液管路浆液管路碳化液体出液口碳化低浓度二氧化碳高浓度二氧化碳碳化塔顶部底部侧面顶部侧面放空管路工艺操作碱液管路碳化尾气循环利用泵连接稠厚器碱液泵清洗塔制碱塔汇合尾气生产

[发明专利]快速碳化炉-CN201711400924.0在审
发明人：黄晓晴 -专利权人：江苏民和机械制造有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： B27M1/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速碳化炉，有效的解决了传统的碳化炉加热不均匀、加湿不均匀、取放不方便等问题；其解决的技术方案是包括封闭式的碳化炉，碳化炉的端头设有可打开的前盖，碳化炉内的侧壁上设有可滑动的石墨板，石墨板远离碳化炉内壁的一面上设有多个凹槽，凹槽内固定有导热管，伸入碳化炉底部的导热管穿过碳化炉并连接有导热油泵和导热油加热器，置于碳化炉外侧的导热电阻丝上套有弹簧，弹簧表面设有绝缘材料，碳化炉的上壁上设有多个喷雾头，喷雾头连接有置于碳化炉外侧的加热器，石墨板内设有多个朝向碳化炉内的圆孔，圆孔内安装有风扇，碳化炉连接有连通外界的抽真空机；本发明大大提高了生产效率，同时提升了产品碳化的质量。
快速碳化

[发明专利]一种碳化钨粉的制备方法-CN201911100783.X在审
发明人：佘信高;德志强;刘虎;段辉 -专利权人：株洲硬质合金集团有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C01B32/949 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化钨粉的制备方法，包括以下步骤：(1)将钨粉和炭黑进行混合后，然后通过压机压制成压坯；(2)将步骤1)中的压坯进行碳化，碳化完毕后，球磨和过筛即得碳化钨粉。本发明的方法通过压机将钨粉和炭黑混合物压制成压坯，缩短了碳化过程中碳的扩散行程，提高了碳化速率；碳化速率的提高可以提高碳化钨晶粒度、化合碳及结晶完整性。本发明压机将钨粉和炭黑混合物压制成压坯，充分利用碳化反应放热，降低了碳化温度需求，对碳化设备温度要求降低，有利于碳化成本的降低。本发明压机将钨粉和炭黑混合物压制成压坯，有效隔离了钨粉炭黑混合物和装料容器，消除了传统碳化方式中的表面脏化现象，提升了碳化钨品质。
碳化钨粉压坯炭黑混合物压机压制碳化钨粉结晶完整性碳化钨晶粒碳化反应碳化过程碳化设备温度需求温度要求有效隔离装料容器化合碳碳化钨放热过筛球磨炭黑制备扩散

[发明专利]一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法-CN201911311171.5在审
发明人：侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;陈俊红;李斌 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C25D11/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，其步骤包括：将碳化硅单晶片切割成碳化硅片，然后将碳化硅片超声清洗和化学腐蚀，除去碳化硅片表面的氧化物；以碳化硅片作阳极、石墨片作阴极，保持碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置不变，在蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑30min，在碳化硅片表面形成碳化硅纳米结构薄膜层；调整碳化硅片、石墨片和电极夹的铂片的相对位置，在所述蚀刻溶液中通电进行阳极氧化10‑60s，使碳化硅片表面的碳化硅纳米结构薄膜剥离至碳化硅纳米结构薄膜脱落本发明提供的一种碳化硅纳米结构薄膜的制备和剥离方法，制备过程容易、剥离程序简单、实验重复性好。
一种碳化硅纳米结构薄膜制备剥离方法

[发明专利]一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构-CN202111103172.8在审
发明人：钟红生;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;姚秋鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅籽晶的固定方法及固定结构，固定方法包括以下几个步骤：材料的预处理：在碳化硅籽晶片的上表面镀一层碳化膜；材料的固定：将钨箔片放置在碳化硅籽晶片的碳化膜和碳化硅陶瓷片之间，在碳化硅陶瓷片上放置压重块使得钨箔片、碳化硅籽晶片和碳化硅陶瓷片紧密接触；烧结成型：将固定后的材料放入加热设备中烧结一段时间使得钨箔片加热熔融后与碳化硅籽晶片、碳化硅陶瓷片固定连接，去掉压重块，最终获得碳化硅籽晶固定结构。本发明具有在粘接固定籽晶时无需使用粘接剂以避免粘接剂对碳化硅籽晶的腐蚀，紧密固定籽晶，提高碳化硅晶体的质量和良品率等优点。
一种碳化硅籽晶固定方法结构

[发明专利]一种非均匀结构硬质合金及其制备方法和应用-CN202111670413.7在审
发明人：刘槟赫;邹德良;张颢;洪海侠;周行 -专利权人：株洲硬质合金集团有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C22C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种非均匀结构硬质合金，其制备原料包括碳化钨、钴粉和成型剂，以碳化钨和钴粉的总量计，碳化钨的用量为90wt％‑94.5wt％，其中，碳化钨包括超粗晶碳化钨、粗晶碳化钨和中粗晶碳化钨，以碳化钨的总重量计，超粗晶碳化钨的含量为40wt％‑60wt％，粗晶碳化钨的含量为20wt％‑30wt％，余量为中粗晶碳化钨；所述超粗晶碳化钨的费氏粒度为18μm‑25μm，所述粗晶碳化钨的费氏粒度为8μm‑18μm，所述中粗晶碳化钨的费氏粒度为
一种均匀结构硬质合金及其制备方法应用

[发明专利]一种阴极组件灯丝的碳化方法及碳化设备-CN202110724636.0在审
发明人：卢锦平;邓武楷 -专利权人：广东格兰仕微波炉电器制造有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种阴极组件灯丝的碳化方法及碳化设备，所述阴极组件灯丝的碳化方法包括如下步骤：S1.将阴极组件放入碳化设备内；S2.抽真空；S3.碳化；S4.冷却后取出。步骤S2中，通过抽真空装置对碳化设备的内部抽真空，直到内部的真空度满足P1，步骤S3中，所述电源装置通电的时间为20～50s，通电电压为3～8V，通碳源的时间为20～36s。所述碳化设备为碳化炉，在碳化炉的活动上盖上设置花洒，通过花洒将气体碳源喷洒在灯丝上。采用本发明所述的阴极组件灯丝的碳化方法及碳化设备，能减少碳化过程中杂质的形成，碳化后的灯丝电阻变化分布较小，且形成的碳化层均一，从而保证阴极组件能够在较长时间平稳的辐射电子并具备较长的使用寿命。
一种阴极组件灯丝碳化方法设备

[发明专利]具有横向P+区域的碳化硅MOSFET器件-CN202111094091.6在审
发明人：叶菊芳 -专利权人：一能科技有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件，其包括第一掺杂类型的碳化硅基底、位于碳化硅基底之上的第一掺杂类型的第一碳化硅层、嵌入第一碳化硅层的顶部分中的第二掺杂类型的第二碳化硅层、嵌入第二碳化硅层的顶部分的第一掺杂类型的第三碳化硅层、与第一碳化硅层、第二碳化硅层及第三碳化硅层重叠的栅极氧化层、以及沿垂直于碳化硅基底的方向至少部分地与第二碳化硅层重叠的第四碳化硅层。
具有横向区域碳化硅 mosfet 器件