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[发明专利]一种基于n长基区碳化硅晶闸管及其制作方法-CN201711209284.5有效
发明人：蒲红斌;刘青;王曦;李佳琪 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于n长基区碳化硅晶闸管，包括自下而上依次设置的阳极欧姆电极、碳化硅p+发射区外延层、碳化硅n+缓冲层、碳化硅n型长基区外延层、碳化硅p‑短基区外延层、碳化硅n+发射区外延层；碳化硅n+发射区外延层上覆盖有阴极欧姆电极；碳化硅p‑短基区外延层上部镶嵌有两个碳化硅p+区；每个碳化硅p+区上覆盖有门极欧姆电极，门极欧姆电极与碳化硅n+发射区外延层设置有隔离层。在高质量的n型碳化硅衬底上外延生长得到的p+外延层来取代p型碳化硅衬底，能够将串联电阻减小约两个数量级。
一种基于长基区碳化硅晶闸管及其制作方法

[发明专利]一种含埋层结构的碳化硅PiN二极管-CN201911187102.8有效
发明人：张有润;王帅;罗佳敏;钟炜;罗茂久 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：一种含埋层结构的碳化硅PiN二极管，包括从下至上依次设置的阴极、N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层、P型区和金属阳极，N型碳化硅外延层内还设置有N型埋层和/或P型埋层，N型埋层位于N型碳化硅衬底上方，用于增强N型碳化硅衬底与N型碳化硅外延层边界处的电场；P型埋层位于P型区下方，用于增强P型区与N型碳化硅外延层边界处的电场。本发明通过引入P型埋层增强P型区与N型碳化硅外延层边界处的电场，通过引入N型埋层增强N型碳化硅衬底与N型碳化硅外延层边界处的电场，增强了电导调制的效果，提高了碳化硅PiN二极管正向导通电流，提高了碳化硅
一种含埋层结构碳化硅 pin 二极管

[发明专利]一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法-CN202210610312.9有效
发明人：闫春泽;刘桂宙;王长顺;欧阳震;史玉升 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜及其制备方法。所述方法包括：将表面包覆有聚碳硅烷的碳化硅粉末作为打印粉末，采用增材制造技术根据梯度多孔的三维结构打印碳化硅素坯；碳化硅素坯中碳化硅的体积分数沿着Z轴方向线性变化；将碳化硅素坯进行高温裂解处理得到碳化硅陶瓷体；然后对碳化硅陶瓷体进行预氧化处理；再采用液态铝合金填充碳化硅陶瓷体得到铝基碳化硅镜坯；在铝基碳化硅镜坯的一表面上沉积SiC致密层，所述表面为碳化硅的体积分数最大的一面；对SiC致密层表面进行抛光处理，得到高比分梯度铝基碳化硅复合材料反射镜。
一种比分梯度碳化硅复合材料反射及其制备方法

[发明专利]一种超薄衬底生长碳化硅单晶的有效方法-CN202110493961.0在审
发明人：李祥彪;仲崇贵 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄衬底生长碳化硅单晶的有效方法，通过在超薄碳化硅单晶衬底的背面粘接碳化硅多晶片的有效方法，提高衬底片厚度，实现超薄衬底生长碳化硅单晶，首先在超薄碳化硅单晶衬底的背面粘接碳化硅多晶片，然后将粘接好的碳化硅复合衬底多晶片一面粘在石墨坩埚盖内侧，单晶生长面朝向石墨坩埚内，即可进行物理气相传输法生长碳化硅晶体。
一种超薄衬底生长碳化硅有效方法

[发明专利]复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备-CN202110765400.1在审
发明人：高博;黄伯宁;万玉喜 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：复合衬底包括：第一碳化硅层和第二碳化硅层。第一碳化硅层的材料包括单晶碳化硅；第二碳化硅层与第一碳化硅层键合，第二碳化硅层至少局部的缺陷密度大于第一碳化硅层的缺陷密度。
复合衬底及其制备方法半导体器件电子设备

[发明专利]碳化硅半导体基板及其制造方法-CN201380051807.1有效
发明人：山内庄一;平野尚彦 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：碳化硅半导体基板由碳化硅单晶构成，至少在表面形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)。在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶(3)生长时，刻印(2)能够在所述碳化硅单晶(3)中作为结晶缺陷而传播。在使用所述碳化硅单晶(3)制作碳化硅半导体基板(4)时，能够成为在各碳化硅半导体基板(4)中已经形成有刻印(2)的状态。
碳化硅半导体及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法-CN201510388855.0在审
发明人：邓小川;萧寒;李妍月;唐亚超;甘志;梁坤元;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括：碳化硅N型重掺杂衬底，碳化硅N型重掺杂衬底上方的第一碳化硅N^-外延层，第一碳化硅N^-外延层中的埋介质槽，第二碳化硅N^-外延层，位于第二碳化硅N^-外延层上部的Pbase区，Pbase区中碳化硅P⁺接触区和N⁺源区形成的源极，多晶硅栅极，多晶硅与半导体之间的二氧化硅介质本发明通过在碳化硅VDMOS器件JFET区下部引入埋介质槽，优化了碳化硅VDMOS器件栅氧电场，提高了器件的可靠性。
一种碳化硅 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]对碳化硅分级的方法-CN201811517809.6在审
发明人：刘苏宁;孙宁磊;曹敏;秦丽娟;李勇 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： B03B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了对碳化硅分级的方法，包括：对碳化硅进行研磨处理，以便得到碳化硅浆料；将所述碳化硅浆料加入固固分离装置内，同时向所述固固分离装置的供水管内通入洗水以便对所述碳化硅浆料进行分级，并由所述固固分离装置的第一固体物质出口分离出较小粒径的碳化硅颗粒，由第二固体物质出口分离出较大粒径的碳化硅颗粒，其中，通过调整所述碳化硅浆料的进料速度和向所述供水管内通入洗水的流速，调整分离出的碳化硅颗粒的粒径。利用该分级方法可以有效实现碳化硅的分选，显著提高分选效率。
碳化硅浆料碳化硅分级固固分离装置碳化硅颗粒固体物质出口供水管分选洗水研磨处理有效实现大粒径小粒径粒径

[发明专利]一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法-CN202010419518.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨鹏谦科技有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。本发明解决了目前制备碳化硅石墨烯衬底外延材料时存在的缺陷问题。本发明提供了一种碳化硅石墨烯衬底外延材料的制备方法，包括碳化硅基层的生长，碳化硅‑石墨烯层的生长，利用衬底制备专用设备对碳化硅‑石墨烯复合层进行加工，获得碳化硅石墨烯外延晶体材料，切割后得到的碳化硅晶体再次生长石墨烯，再次经过加工后得到碳化硅石墨烯衬底外延材料，依次反复操作，即可获得工业化碳化硅石墨烯衬底外延材料。
一种碳化硅石墨衬底外延材料制备方法

[发明专利]一种高纯碳化硅及其制备方法-CN202310047510.3在审
发明人：李奕铭;林宏达;翟虎;宋亚滨 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，公开了一种高纯碳化硅及其制备方法，该制备方法包括：(1)将碳化硅粉料进行除碳处理，得到第一碳化硅粉料；(2)将所述第一碳化硅粉料进行超声清洗处理并干燥，得到第二碳化硅粉料；(3)将碳粉、硅粉与所述第二碳化硅粉料进行混料处理，得到混合料I；(4)采用三阶段程序升温法将所述混合料I进行反应，得到高纯碳化硅。本发明提供的制备高纯碳化硅的方法，能够提高碳化硅晶体的纯度，并且能够提高大粒径碳化硅晶体的收率占比。
一种高纯碳化硅及其制备方法

[发明专利]一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构-CN201810473913.3有效
发明人：张浩 -专利权人：江苏芯澄半导体有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构，涉及碳化硅功率模块封装技术领域，包括碳化硅功率器件和连接各碳化硅功率器件的排线组，还包括隔离衬板，碳化硅功率器件穿设在隔离衬板上，且每两个碳化硅功率器件为一组，每组两碳化硅功率器件的接线通道相对设置，隔离板外设有扣合碳化硅功率器件的壳体，壳体包括分别设于隔离板两侧的上壳体和下壳体。本发明通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使并联的碳化硅功率器件整体更稳定，机械强度更高。
一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构

[发明专利]短沟道碳化硅功率MOSFETS及其制造方法-CN01820007.9有效
发明人：柳世衡;A·阿加瓦尔;M·K·达斯;L·A·利普金;J·W·帕尔穆尔;R·辛 -专利权人：克里公司
申请日： 2001-10-02 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供碳化硅金属－氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其制造方法。碳化硅MOSFET有n型碳化硅漂移层，在n型漂移层内包含有一定间隔的、其中又包含n型碳化硅区的p型碳化硅区，和氮化的氧化层。MOSFET还有n型短沟道，从相应的n型碳化硅区穿过p型碳化硅区延伸到n型碳化硅漂移层。在另一个实施例中，提供碳化硅MOSFET及其制造方法，MOSFET包括施加零栅偏压时为配置为自耗尽源区的一个区域，其处在n型碳化硅区和漂移层之间，与氧化层相邻。
沟道碳化硅功率 mosfets 及其制造方法

[发明专利]多通道碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法-CN201810075203.5在审
发明人：郭健 -专利权人：山东四海水处理设备有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供一种多通道碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法，制备方法包括如下：支撑体的制备、过渡层的制备、以及表面膜层的制备，其中，支撑体使用碳化硅粉体Ⅰ、碳化硅粉Ⅱ，过渡层使用碳化硅粉Ⅲ，表面膜层使用碳化硅粉Ⅳ，碳化硅粉Ⅳ的平均粒径＜碳化硅粉Ⅲ的平均粒径＜所述碳化硅粉Ⅰ的平均粒径，且碳化硅粉Ⅱ＜碳化硅粉Ⅰ的平均粒径。根据本发明获得的多通道碳化硅陶瓷膜元件，表现为较强的亲水憎油特性；良好的机械性能；所制备的陶瓷膜元件孔隙率在35％～45％之间，结合其亲水憎油特性，膜通量达到氧化铝陶瓷膜的3倍以上；碳化硅的化学稳定性较强
碳化硅粉制备平均粒径碳化硅陶瓷膜多通道表面膜层过渡层支撑体亲水憎油机械性能氧化铝陶瓷膜化学稳定性碳化硅粉体陶瓷膜元件氧化剂孔隙率膜通量碳化硅溶剂耐受表现

[发明专利]一种碳化硅晶体的位错识别方法-CN202010042808.1在审
发明人：张九阳;李霞;高宇晗;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体的位错识别方法，所述方法包括以下步骤：(1)将碳化硅晶体在碱性腐蚀剂中进行腐蚀；(2)腐蚀完成后，观察位错腐蚀坑形貌，从而将碳化硅晶体中刃位错、螺位错和基平面位错识别；所述碳化硅晶体包括高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅，其中，高纯碳化硅的腐蚀时间为5～7min，氮掺杂碳化硅的腐蚀时间为7～9min。本发明通过优化碱性腐蚀的腐蚀时间，将高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅的腐蚀时间控制在少于10min，就能将高纯碳化硅或氮掺杂碳化硅中的刃位错、螺位错和基平面位错三种位错准确区别开来；腐蚀时间短且能将晶体中的三种位错准确识别出来
一种碳化硅晶体识别方法

[发明专利]一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其处理方法-CN202010238731.5在审
发明人：张红丹;焦倩倩;刘瑞;吴昊;李玲;赛朝阳;吴军民;金锐;汤广福 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网北京市电力公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅功率器件制备中碳化硅外延片及其的处理方法，在所述碳化硅外延片正面和背面分别淀积介质层；对碳化硅外延片正面的介质层进行刻蚀，之后去除碳化硅外延片背面的介质层；对刻蚀完的碳化硅外延片正面进行离子注入本发明大大减小了碳化硅外延片的翘曲度，且降低了拒片率，提高了光刻工艺精度和离子注入加工精度，降低了离子注入的拒片率和碎片率，大大提高了碳化硅外延片的精度和合格率；在碳化硅外延片正面和背面分步形成各自的介质层，抵消了碳化硅外延片正面直接淀积介质层带来的材料应力，为碳化硅外延片的翘曲度的改善提供基础；成本低，效率高，适用于多种规格的碳化硅外延片。
一种碳化硅功率器件制备外延及其处理方法