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[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202211470693.1有效
发明人：杨俊;黄秀洪;苏芳;杨文敏;余良;相奇 -专利权人：广东芯粤能半导体有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供碳化硅衬底；于碳化硅衬底的上表面形成第一图形化掩模层，第一图形化掩模层内具有第一开口；基于第一图形化掩模层刻蚀碳化硅衬底，以于碳化硅衬底内形成初始沟槽；初始沟槽的两侧侧壁与碳化硅衬底的底面的夹角均为90°；于碳化硅衬底的上表面形成第二图形化掩模层，第二图形化掩模层内具有第二开口，第二开口暴露出初始沟槽的部分底面、初始沟槽的一侧侧壁及碳化硅衬底的部分上表面；基于第二图形化掩模层刻蚀碳化硅衬底，以形成一侧侧壁相较于碳化硅衬底的底面倾斜的沟槽上述半导体结构的制备方法，可以显著提升半导体器件的沟道迁移率。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法-CN200710101312.1无效
发明人：中村俊一;米泽喜幸 -专利权人：富士电机控股株式会社
申请日： 2007-04-16 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在一种碳化硅半导体器件的制造方法中，包括在碳化硅半导体衬底上形成包含氧化硅作为主要成分的氧化物层的过程，该过程包括以下步骤：在碳化硅半导体衬底的表面上沉积氧化硅层；之后在非氧化气氛中将氧化硅层的温度升高到使氧化硅成为液化态的温度；以及之后将氧化物层快速冷却到等于或小于1140℃的温度，以形成所述包含氧化硅作为主要成分的氧化物层。因此，提供了一种能够通过减小包括氧化硅作为主要成分的氧化绝缘膜和碳化硅半导体衬底之间的界面处的界面态密度来提高沟道迁移率以降低导通电阻的碳化硅半导体器件以及该器件的制造方法。
碳化硅半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置、电气光学装置、电力转换装置及电子设备-CN201210288637.6有效
发明人：岛田浩行 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制元件特性的降低的半导体装置。所述半导体装置包括：硅基板(11)；形成在硅基板(11)的表面的碳化硅膜(12)；形成在碳化硅膜(12)的表面且具有开口部(13h)的掩膜件(13)；以在开口部(13h)露出的碳化硅膜(12)为基点进行外延生长，而覆盖碳化硅膜(12)及掩膜件(13)的单晶碳化硅膜(14)；形成在单晶碳化硅膜(14)的表面上的半导体元件(20)，在掩膜件(13)上存在单晶碳化硅膜(14)缔合而形成的缔合部(12Sb)，半导体元件
半导体装置电气光学电力转换电子设备

[发明专利]NMOS晶体管及其形成方法-CN201110226348.9有效
发明人：赵猛;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种NMOS晶体管及其形成方法，所述NMOS晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源/漏区，所述源/漏区包括：位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的第一碳化硅应力层和位于所述第一碳化硅应力层底部且与所述第一碳化硅应力层接触的第二碳化硅应力层，所述第一碳化硅应力层向栅极结构的一侧突出。由于所述第一碳化硅应力层向栅极结构的一侧突出，且所述第二碳化硅应力层深度较大，使得所述NMOS晶体管的源/漏区产生的拉伸应力更大，所述NMOS晶体管的沟道区的晶格间距更大，电子的迁移率变得更大。
nmos 晶体管及其形成方法

[发明专利]一种碳化硅半导体装置及其制造方法-CN202110580457.4在审
发明人：李隆盛;洪建中;李传英 -专利权人：上海瀚薪芯座科技发展有限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体装置及其制造方法，该碳化硅半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在一碳化硅基板上提供一半导体元件结构，该半导体元件结构形成于该碳化硅基板的一正面上；在该碳化硅基板的一背面上形成一多层结构，
一种碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件-CN99808341.0有效
发明人： R·辛格 -专利权人：克里公司
申请日： 1999-06-08 - 公布日： 2001-08-15 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明揭示了多种碳化硅沟道半导体器件,通过利用半导体栅极层和掩埋基区当栅极上无偏置电压时产生一个“夹断”栅极区,去掉了栅极绝缘体。在本发明的实施例中,半导体器件包括一个第一类电导类型碳化硅漂移层,其中碳化硅漂移层有一个第一表面,并且有一个沟道区。在碳化硅漂移层中提供了一个第二类电导类型半导体材料的掩埋基区,以定义沟道区。在碳化硅漂移层的第一表面上形成了一个第二类电导类型半导体材料的栅极层,与碳化硅漂移层的沟道区相邻。在栅极层上还可以形成一个栅极接触。晶体管和闸流管都可以提供。
碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件

[实用新型]基于半导体碳化硅晶体管的磁控溅射脉冲电源-CN201721015010.8有效
发明人：陈利军;郑启发;王小军 -专利权人：湖南众源电子科技有限公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H02M9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于半导体碳化硅晶体管的磁控溅射脉冲电源，包括交流输入端，输入变压器，整流模块，储能电容，半导体碳化硅晶体管模块、输出变压器和脉冲输出端，还包括DSP控制板和晶体管驱动电路，所述DSP控制板通过晶体管驱动电路与半导体碳化硅晶体管模块的栅极连接半导体碳化硅晶体管模块具有宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速度和高热导率的电学特性，在相同的耐压水平下，半导体碳化硅晶体管的寄生电容远小于其它器件，使磁控溅射脉冲电源的可靠性大大提高。
基于半导体碳化硅晶体管磁控溅射脉冲电源

[发明专利]掺氮的碳化硅薄膜的形成方法-CN200910201179.6有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种掺氮的碳化硅薄膜的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成掺氮的碳化硅薄膜，形成掺氮的碳化硅薄膜的反应气体包括：四甲基硅烷和氨气；形成掺氮的碳化硅薄膜的反应气体还包括氮气。本发明形成的掺氮的碳化硅薄膜反射率差异值范围小，性质均匀性好。
碳化硅薄膜形成方法

[发明专利]碳化硅半导体器件的退火方法-CN201510296003.9在审
发明人：王辉;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅半导体器件制备技术领域，尤其公开了一种碳化硅半导体器件的退火方法，所述碳化硅半导体器件包括具有离子注入的碳化硅晶片，该退火方法包括步骤：A、将经过离子注入的碳化硅晶片置于化学气相沉积反应腔室中；B、将反应腔室抽真空，并充入保护气体；C、将充入保护气体后的反应腔室升温，并充入反应气体，进行热解反应，碳化硅晶片的经过离子注入的一侧的表面上形成碳膜；D、将镀有碳膜的碳化硅晶片进行退火处理。根据本发明的退火方法，利用化学气相沉积法，在碳化硅晶片表面形成致密碳膜，使得在后续退火过程中，不仅抑制经离子注入的元素不从碳化硅晶片表面逸出，而且保护碳化硅晶片表面的形貌和粗糙度不发生恶化。
碳化硅半导体器件退火方法

[发明专利]碳化硅半导体装置-CN201680068913.4有效
发明人：田中梨菜;福井裕;菅原胜俊;黑岩丈晴;香川泰宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够抑制由晶面导致的通态电流的不均以及阈值电压的不均的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置包括碳化硅漂移层(2)、主体区域(5)、源极区域(3)、多条沟槽(7)、栅极绝缘膜(9)、栅电极(10)、源电极(11)、漏电极(12)和耗尽抑制层(6)，所述碳化硅漂移层(2)形成在具有偏角的碳化硅半导体衬底耗尽抑制层俯视时位于被多条沟槽夹着的位置，在碳化硅半导体衬底的带有偏角的方向上，耗尽抑制层和与耗尽抑制层相邻的一个沟槽之间的距离，不同于耗尽抑制层和与耗尽抑制层相邻的另一个沟槽之间的距离。
碳化硅半导体装置

[发明专利]用于生长半导体晶体的半导体设备和方法-CN201280015140.5有效
发明人：金武成;曹荣得;孙昌铉;金范燮 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体设备包括：基座衬底；在所述基座衬底上的图案；在所述基座衬底上的缓冲层；以及在所述缓冲层上的外延层。所述图案是自组装图案。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装图案；在所述碳化硅衬底上形成缓冲层；以及在所述缓冲层上形成外延层。一种半导体设备，包括：包括图案凹槽的基座衬底；以及在所述基座衬底上的外延层。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装凸起；中形成图案凹槽；以及在所述碳化硅上形成外延层。
用于生长半导体晶体半导体设备方法

[发明专利]半导体元件以及半导体元件制造方法-CN200880116660.9无效
发明人：小林光;长泽弘幸;八田直记;河原孝光 -专利权人： HOYA株式会社;小林光
申请日： 2008-11-11 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件以及半导体元件制造方法，该半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板、形成在所述半导体基板上的栅极绝缘膜以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极。所述半导体基板表面中与所述栅极绝缘膜结合的结合面在宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明的半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板和形成在所述半导体基板上的电极。所述半导体基板表面中与所述电极结合的结合面宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明是以碳化硅为基板的半导体元件，在碳化硅外延层的非极性面中，能够提高电极-碳化硅界面，或者氧化膜(绝缘膜)-碳化硅界面的电特性和稳定性，而与基板的缺陷密度无关。
半导体元件以及制造方法

[发明专利]碳化硅半导体开关器件-CN98813915.4无效
发明人：大野俊之;岩崎贵之;八尾勉 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1998-03-19 - 公布日： 2001-03-07 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型的半导体区域之间形成pn结。pn结果面包括从碳化硅单晶表面开始沿着深度方向延伸的界面,而延伸的界面包括与碳化硅单晶(1120)取向平行或大致与之平行的晶面。因此减小漏电流。
碳化硅半导体开关器件

[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置-CN201580007867.2有效
发明人：福田祐介;渡部善之;中村俊一 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体装置的制造方法，依次包含：研磨工序，通过从第二主面114侧对碳化硅半导体基体110进行研磨，从而在所第二主面形成凹凸；金属薄膜形成工序，在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜118；激光照射工序，通过对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物120；蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层122利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成工序，在金属碳化物上形成阴电极126。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及粘着特性的欧姆电极的碳化硅半导体装置的制造方法。
碳化硅半导体装置制造方法以及

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN202080101331.8在审
发明人：田中贵规;永久雄一;川畑直之;纲城启之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：碳化硅半导体装置具备：碳化硅半导体基板；半导体层，形成于碳化硅半导体基板的上表面；以及背面电极，形成于碳化硅半导体基板的下表面，将电阻率是第1值的区域设为第1电阻区域，将电阻率是比第1值大的第2值的区域设为第
碳化硅半导体装置以及电力变换