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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种介入式光纤传感探头-CN201810932139.8在审
发明人：刘智超 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种介入式光纤传感探头，包括玻璃头，所述玻璃头的前期设置有半球槽，所述半球槽的槽口处设置有第二硼硅敏感薄膜；所述第二硼硅敏感薄膜的内侧面贴合设置有第一硼硅敏感薄膜，第一硼硅敏感薄膜的内侧面贴合设置有反射膜，所述第一硼硅敏感薄膜与反射膜一体相连，本发明整体反射率高，第一硼硅敏感薄膜和所述反射膜之间设置有真空间隙，利用真空间隙提升了第一硼硅敏感薄膜和反射膜的导光效果，第一硼硅敏感薄膜和所述反射膜的上端设置有保护层，保护层由金属钛制成，能有效保护第一硼硅敏感薄膜和反射膜，提升第一硼硅敏感薄膜和反射膜的结构强度。
敏感薄膜硼硅反射膜光纤传感探头贴合设置真空间隙半球槽保护层介入式整体反射率玻璃导光效果一体相连侧面上端槽口处金属钛

[发明专利]提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法-CN02159060.5有效
发明人：吴欣昌;蔡正原;方郁文;杨能辉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-27 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明是提供一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧电浆，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧电浆处理过硼硅玻璃膜底下的氮化硅膜之后，该硼硅玻璃膜的Kapp值比未处理的
提高玻璃氮化之间粘合强度方法

[发明专利]等离子体处理方法-CN202080012015.3在审
发明人：刘超美;古林均;森政士;高桥良太 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：对含有硼的硅膜、多晶硅膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法使用卤素气体、含有氟的气体、以及三氯化硼气体的混合气体，对含有所述硼的多晶硅膜进行蚀刻。由此，能够在对含有硼的多晶硅膜进行等离子体蚀刻时，实现蚀刻速率的提高，抑制蚀刻不良。
等离子体处理方法

[发明专利]一种发射极及其制备方法和应用-CN202310318739.6在审
发明人：曹建伟;王树林;李鹏飞;王英杰 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提出一种发射极及其制备方法和应用，其中发射极的制备方法包括：采用等离子体增强化学气相沉积法在清洗制绒后的硅片正面依次沉积硼硅玻璃和掩膜层，获得含有硼硅玻璃、掩膜层的硅片；采用激光在所述含有硼硅玻璃、掩膜层的硅片的正面制作选择性重掺杂发射极，获得含有硼硅玻璃、掩膜层、选择性重掺杂发射极的硅片。本申请所述发射极的制备方法，等离子体增强化学气相沉积法沉积硼硅玻璃完成后，采用激光制作选择性重掺杂发射极时，由于沉积的硼硅玻璃很薄且硼原子含量高，激光可将硼硅玻璃中的硼原子推进到硅表面。
一种发射极及其制备方法应用

[发明专利]晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法-CN201210256223.5无效
发明人：杜国平;陈楠 -专利权人：南昌大学
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种晶体硅激光辅助铝硼共掺杂及电极制备方法，首先采用磁控溅射法、电子束蒸发法、或丝网印刷法等技术方法在晶体硅表面制备一层铝硼膜层，其中硼含量为0.001wt%-5wt%，优选0.05wt%-1wt%；然后激光照射铝硼膜层使之熔化，同时其底下的硅也随之熔化，形成铝、硼、硅共熔体。当激光被切断电源或移开之后，该区域迅速冷却，硅从共熔体中析出开始结晶生长，部分铝原子和硼原子留在该结晶硅中，从而实现晶体硅的铝硼共掺杂，剩余的铝和硼将在该区域的表面凝固成膜，并与其他未受激光照射的铝硼膜层相互接触形成电极
晶体激光辅助铝硼共掺杂电极制备方法

[发明专利]一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法-CN202111012964.4在审
发明人：王振刚;马擎天;宋楠;郁寅珑;俞超 -专利权人：环晟光伏（江苏）有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体表面依次生长的P+掺杂层、以及掺杂硼的非晶硅层；对所述N型晶体硅基体的正表面做制绒处理，再进行硼扩散处理，形成所述P+掺杂层和硼硅玻璃层；根据金属化部分对所述硼硅玻璃层进行开槽；再沉积一掺有硼的非晶硅层，在掺有硼的非晶硅层上生长一层掩膜；去掉非金属化部分的掩膜，接着去除非金属化部分的掺有硼的非晶硅层；最后去除剩余的掩膜和残留的硼硅玻璃层
一种太阳电池扩散选择性发射极制备方法

[发明专利]一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法-CN201510562132.8在审
发明人：张中伟;张世勇;廖亚琴 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备双面N型晶硅电池的掩膜扩散方法，是在硼扩散过程中，首先对硼扩散面上形成的硼硅玻璃层进行氧化处理，再在硼硅玻璃层上沉积形成氮化硅层；利用硼硅玻璃和氮化硅层作为磷扩散的掩膜，用于防止两次扩散之间的相互掺杂电池采用经过氧化处理的硼硅玻璃层和致密的氮化硅层叠层薄膜充当后续磷扩散的扩散掩蔽层，减少了制程中多次刻蚀和掩膜沉积的过程。在制备工艺中对硼扩散推进完毕后的在硼发射极表面形成的硼硅玻璃层进行氧化处理，可降低硅与硼硅玻璃层界面处的Si－B键的密度，有利于后续酸处理去除硼硅玻璃，形成疏水表面，有利于提高电池的开路电压；本发明可大大简化工艺
一种制备双面型晶硅电池扩散方法

[发明专利]一种电磁加热电饭煲玻璃内胆的导磁膜及其制备方法和应用-CN202011054311.8有效
发明人：高山俊;沈春晖;曹振宇;刘红兵;姚烨 -专利权人：代梓鹏
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本发明涉及公开了一种电磁加热电饭煲硼硅玻璃内胆的导磁膜，它包括自下而上依次设置的底层、导磁层和保护层；其中底层原料由硼硅玻璃粉和甘油混合而成；导磁层原料由导磁粉末、硼硅玻璃粉和胶粘剂混合而成；保护层原料由陶瓷颜料、硼硅玻璃粉和有机溶剂混合而成；底层、导磁层和保护层原料均采用丝网印刷方法涂覆在基底材料表面。本发明所述导磁膜制作工艺简单，将其应用于制备电磁加热电饭煲硼硅玻璃内胆时涉及的烧结温度较低，并可与硼硅玻璃结合牢靠；该导磁膜不仅可用于硼硅玻璃内胆的平面底部，还可用于硼硅玻璃内胆的曲面四周，适合推广应用
一种电磁加热电饭煲玻璃内胆导磁膜及其制备方法应用

[发明专利]一种高灵敏宽量程电容式力传感器及其制备方法-CN201910701969.4在审
发明人：王庆贺;何威 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：所述高灵敏宽量程电容式力传感器包括相键合的硅衬底和玻璃衬板，所述硅衬底的第一端通过介质连接有上层硅薄膜；所述上层硅薄膜的表面依次形成有第一硼硅膜和第一膜上电极；所述硅衬底的第二端形成有下层硅悬臂梁，所述硅衬底的第二端和所述下层硅悬臂梁的上表面覆盖有第二硼硅膜；所述第二硼硅膜的表面依次形成有第二硼硅膜和第二膜上电极；所述高灵敏宽量程电容式力传感器还包括衬底电极，位于所述玻璃衬板的顶表面。
电容式力传感器硅衬底宽量程硼硅灵敏玻璃衬板硅悬臂梁电极硅薄膜下层制备传感器技术领域上层衬底电极第一端顶表面上表面键合覆盖

[实用新型]一种高灵敏宽量程电容式力传感器-CN201921224977.6有效
发明人：王庆贺;何威 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：所述高灵敏宽量程电容式力传感器包括相键合的硅衬底和玻璃衬板，所述硅衬底的第一端通过介质连接有上层硅薄膜；所述上层硅薄膜的表面依次形成有第一硼硅膜和第一膜上电极；所述硅衬底的第二端形成有下层硅悬臂梁，所述硅衬底的第二端和所述下层硅悬臂梁的上表面覆盖有第二硼硅膜；所述第二硼硅膜的表面依次形成有第二硼硅膜和第二膜上电极；所述高灵敏宽量程电容式力传感器还包括衬底电极，位于所述玻璃衬板的顶表面。
硅衬底硼硅电容式力传感器宽量程灵敏玻璃衬板硅悬臂梁电极硅薄膜下层上层本实用新型传感器领域衬底电极第一端顶表面上表面键合覆盖

[发明专利]在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法-CN200510026205.8无效
发明人：戴旭涵;赵小林;丁桂甫;蔡炳初 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-05-26 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： C03C17/06 文献下载
摘要：一种在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法，属于先进制造技术领域。本发明采用在清洗干净的硼硅玻璃片表面溅射铬铜种子层，经过光刻，形成加工玻璃深槽阵列的掩膜窗口；将硼硅玻璃片置入腐蚀液去除窗口内的铬铜种子层，分析纯丙酮中超声去胶，采用电镀方法，首先电镀铜掩膜，然后在铜掩膜上再电镀金掩膜，腐蚀，连续刻蚀，从而在硼硅玻璃表面刻出底部光滑的微沟槽阵列。本发明简便易行，基于溅射和无掩膜微电镀工艺来制备湿法腐蚀硼硅玻璃的掩膜，从而达到减小针孔缺陷和钻蚀量的效果。
玻璃表面加工阵列方法

[发明专利]选择性SiGeSn:B沉积-CN202280010300.0在审
发明人：吴贞莹;黄奕樵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述用于在基板上沉积硅锗锡硼(SiGeSn:B)膜的方法。此方法包括将基板暴露至包括硼前驱物、硅前驱物、锗前驱物、及锡前驱物的前驱物混合物以在基板上形成硼硅锗锡(SiGeSn:B)膜。
选择性 sigesn 沉积

[发明专利]检测掺硼硅玻璃膜缺陷的方法-CN200610030794.1有效
发明人：游宽结;肖金磊;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种检测掺硼硅玻璃膜缺陷的方法，工艺步骤为：在控片上沉积掺硼硅酸盐玻璃膜；在控片的掺硼硅酸盐玻璃膜上形成多晶硅膜；检测控片的表面。本方法不仅大大的缩短了检测掺硼硅酸盐玻璃膜缺陷的周期，而且提高了晶圆的良率。
检测掺硼硅玻璃缺陷方法

[发明专利]多晶硅膜的形成方法-CN200810167500.9有效
发明人：冈田充弘;宫原孝广;西村俊治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅膜的形成方法，用于形成掺杂有磷或硼的多晶硅膜，该方法的特征在于，具有下述工序：将被处理基板配置在反应容器内，一边在减压气氛下对被处理基板进行加热，一边向上述反应容器内导入硅成膜用气体、用于向膜中掺杂磷或硼的气体、和含有防止多晶硅结晶柱状化并促进多晶硅结晶微细化的成分的粒径调整用气体，在上述被处理基板上堆积掺杂有磷或硼的硅膜。
多晶形成方法

[发明专利]一种N型背结晶体硅电池及其制备方法-CN201510562066.4在审
发明人：张中伟;程鹏飞;李愿杰 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型背结晶体硅电池及其制备方法，该电池包括前表面Ag电极、前表面减反射膜、磷扩散N+前表面场层、N型基底、硼扩散发射极P+层、背面钝化复合膜、背面AgAl电极；其中，PN结位于电池背面，电池背面采用抛光结构；背面钝化复合膜包括硼硅玻璃层和氮化硅层，硼硅玻璃层在硼扩散发射极P+层之上，氮化硅层则沉积在硼硅玻璃层上；利用硼扩散过程中生成的硼硅玻璃层和氮化硅叠层薄膜结构对硼发射极进行钝化，背面采用抛光结构，进一步提升硼发射极的钝化效果；本发明电池的制备工艺较为简单，能够与当前晶体硅电池制造生产线设备兼容，可降低成本，适于大规模工业化生产。
一种结晶体电池及其制备方法

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