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[发明专利]薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201210011805.7无效
发明人：李佳霖;毕建中 -专利权人：联相光电股份有限公司
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：半导体层包含P型晶硅层、第一I型晶硅层、第一N型晶硅层、第二I型晶硅层以及第二N型晶硅层。P型晶硅层是位于基板上；第一I型晶硅层是位于P型晶硅层上；第一N型晶硅层是位于第一I型晶硅层上；第二I型晶硅层是位于第一N型晶硅层上；以及第二N型晶硅层是位于第二I型晶硅层上。其中，通过在半导体层内增设第二I型晶硅层及第二N型晶硅层，以提升薄膜太阳能电池的光电转换效率。
薄膜太阳能电池及其制造方法

[实用新型]串联型薄膜太阳能电池组件-CN201220384053.4有效
发明人：王庆东 -专利权人：深圳蔚光能电子科技有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种串联型薄膜太阳能电池组件，包括基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方。其中，穿隧缓冲层与P型纳米晶硅层接合。本实用新型的太阳能电池组件有效降低了串联式薄膜太阳能电池内部的漏电效应，提高光电转换效率。
串联薄膜太阳能电池组件

[实用新型]一种高效N型HIBC太阳能电池-CN202021948246.9有效
发明人：杜娟;张敏;卢刚 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了高效N型HIBC太阳能电池，包括N型硅衬、第一本征非晶硅层、N型非晶硅层和减反层、及第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和接触层，N型硅衬底的厚度为160～190μm；第一本征非晶硅层的厚度为1～15nm；N型非晶硅层的厚度为5～20nm；掺杂非晶硅层包括交替间隔设置的P型非晶硅区和N型非晶硅区；第二本征非晶硅层的厚度为1～15nm；掺杂非晶硅层的厚度为0.1～0.4μm，P型非晶硅区的宽度为300～1000μm；N型非晶硅区的宽度为80～220μm，相邻的P型非晶硅区和N型非晶硅区之间的间隙宽度为10～50μm。
一种高效 hibc 太阳能电池

[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳电池-CN200810052621.9有效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
柔性衬底薄膜太阳电池

[实用新型]一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池-CN201420869014.2有效
发明人：杨与胜;葛洪;张超华;周泗海 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有非晶硅/微晶硅复合层的HIT太阳能电池，其包括：N型硅片；设在N型硅片受光面和背光面的本征非晶硅层；设在N型硅片受光面本征非晶硅层上的掺杂P型非晶硅层；设在掺杂P型非晶硅层上的掺杂P型微晶硅层；设在N型硅片背光面本征非晶硅层上的掺杂N型非晶硅层；设在掺杂N型非晶硅层上的掺杂N型微晶硅层；分别设在P型微晶硅层和N型微晶硅层上的ITO透明导电膜层；设在型硅片受光面和背光面ITO透明导电膜层上的金属栅线电极
一种具有非晶硅微晶硅复合 hit 太阳能电池

[发明专利]温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110295345.0无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极，本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
温度制作高效率基材薄膜太阳能电池

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池-CN201110285753.8无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、P型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、N型氢化微晶硅薄膜、第二透明导电层与金属背电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
结合氢化氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池

[发明专利]HBC光伏电池及其制作方法-CN202211576806.6在审
发明人：钱锋;姚飞;廖运华;宋银海;贾银海;王小东 -专利权人：东莞帕萨电子装备有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种HBC光伏电池及其制作方法，包括玻璃基板，所述玻璃基板的表面设有N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层，所述N+型非晶硅层与所述P+型非晶硅层呈间隔交替地布置；所述N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层内分别设有金属电极；所述玻璃基板的表面设有非晶硅本征层，且所述非晶硅本征层覆盖于所述N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层上；所述非晶硅本征层的表面设有掺杂型晶体硅层以及与所述掺杂型晶体硅层的掺杂类型相同的高浓度掺杂型晶体硅层；所述掺杂型晶体硅层为N型晶体硅层或P型晶体硅层；所述高浓度掺杂型晶体硅层为N+型晶体硅层或P+型晶体硅层。
hbc 电池及其制作方法

[发明专利]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池-CN201810713687.1在审
发明人：杨振英;卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;王旭辉 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
本征非晶硅背面背接触钝化层异质结光电转换效率绝缘隔离层基体正面减反层接触层沉积掺杂

[实用新型]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池-CN201821040332.2有效
发明人：卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;杨振英;王旭辉 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N⁺层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层本实用新型的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
本征非晶硅背面背接触钝化层异质结本实用新型光电转换效率绝缘隔离层基体正面减反层接触层沉积掺杂

[发明专利]广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法-CN201110119980.3无效
发明人：黄永光;朱小宁;刘德伟;王熙元;马丽;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构，包括：一n型硅衬底；一黑硅层，该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层，该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层，该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层，该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面，形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。
广谱吸收非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构制作方法

[发明专利]太阳能单电池和太阳能电池组件-CN201580062370.0有效
发明人：东方田悟司;神田雅央;汤川博喜 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：太阳能单电池(16)包括：n型单晶硅基片(22)；配置在n型单晶硅基片(22)的第1主面上的n型非晶硅层(26)；配置在n型非晶硅层(26)上的受光面电极(28)；配置在n型单晶硅基片(22)的第2主面上的p型非晶硅层(32)；和配置在p型非晶硅层(32)上的背面电极(34)，n型单晶硅基片(22)具有3.5～13Ωcm的范围的电阻率。能够在n型单晶硅基片(22)与n型非晶硅层(26)之间设置i型非晶硅层(24)，在n型单晶硅基片(22)与p型非晶硅层(32)之间设置另一i型非晶硅层(30)。
太阳能电池太阳能电池组件

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110285754.2无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
结合氢化氦化硅制作基材薄膜太阳能电池

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法-CN202111429426.5在审
发明人：连维飞 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司;江苏爱康科技股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及的一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法，它包括N型单晶硅基片，所述N型单晶硅基片的正面设有一层n+掺杂层，在n+掺杂层的表面沉积一层第一本征非晶硅/微晶硅膜，所述第一本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的n型非晶硅/微晶硅膜，最外层的n型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第一导电膜；所述N型单晶硅基片的背面设有一层第二本征非晶硅/微晶硅膜，所述第二本征非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有不少于两层的p型非晶硅/微晶硅膜，最外层的型非晶硅/微晶硅膜的表面沉积有一层第二导电膜。本发明在N型单晶硅基片主表面形成一层n+掺杂层，形成高低结，对光生载流子起到一定的分离作用，减少光生载流子的复合。
一种硅基异质结太阳能电池结构及其制备方法

[发明专利]一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池-CN201410242634.8有效
发明人：李孝峰;曹国洋;尚爱雪;李珂;张程 -专利权人：苏州大学
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池，包括内核、外壳和导电电极，其特征在于：内核包括p型微晶硅纳米线型核，和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n⁺型微晶硅层，外壳包括由内向外沉积在重掺杂n⁺型微晶硅层外的重掺杂p⁺型非晶硅层，非晶硅本征层和n型非晶硅层，重掺杂n⁺型微晶硅层和重掺杂p⁺型非晶硅层之间形成隧穿结，而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构，实现了对更宽太阳能波段(300～1100nm)更加充分地吸收，从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。
一种微晶硅非晶硅径向纳米太阳能电池

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