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[实用新型]一种气浮硅片传输机构-CN202022434312.7有效
发明人：吴廷斌;张学强;张建伟;罗银兵;刘三利 -专利权人：罗博特科智能科技股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅片传输设备领域，涉及一种气浮硅片传输机构。本实用新型通过两皮带单元上的挡料部件对硅片进行支撑，通过驱动单元驱动皮带单元转动带动挡料部件上的硅片移动来实现硅片的运输；避免硅片上下表面与其他部件接触，从而减小了运输过程中硅片表面的磨损；同时气浮组件能够利用经由出气孔流出气体的压强施加给硅片向上是支撑力，从而使得硅片能够悬浮，减小挡料部件定位时硅片因自身重力产生的形变。
一种硅片传输机构

[发明专利]硅片及其制备方法和太阳能电池-CN202111474392.1在审
发明人：赵赞良;谢君霞;刘世科;王肖肖;李卫东;任金龙;孙惠;周硕 -专利权人：宁夏隆基乐叶科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了硅片及其制备方法和太阳能电池，所述硅片的表面为凸凹不平的结构，所述凸凹不平的结构表面设有绒面。通过在硅片表面设置凸凹不平的线痕面，使硅片表面的比表面积增大，再在起伏的线痕面上设置绒面，从而使硅片表面的类金字塔数量大幅增多，从而增大了太阳能电池片的短路电流，提升了太阳能电池片的光转换效率。
硅片及其制备方法太阳能电池

[发明专利]将制绒与清洗分步进行的晶硅太阳能电池湿化学处理方法-CN201410722696.9有效
发明人：舒欣 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种将制绒与清洗分步进行的晶硅太阳能电池湿化学处理方法，该方法的步骤如下：（1）提供一经过前处理后的硅片；（2）采用第一清洗液对硅片进行预清洗，以去除硅片表面颗粒杂质和污染；（3）采用抛光腐蚀液对硅片进行抛光处理，腐蚀掉表面的机械损伤层；（4）采用制绒液对硅片进行制绒处理，使其表面形成绒面结构；（5）采用第二清洗液对硅片进行清洗，以去除表面金属离子，并中和碱性杂质，减少表面化学残留；（6）采用氧化腐蚀液对硅片进行处理，以去除氧化层，并在其表面形成疏水干燥结构。本发明制绒后硅片可以长时间存放，并且其表面洁净度和减反射效果达到了较高的水平，大大减少了生产时间，提高了生产效率。
将制绒清洗分步进行太阳能电池化学处理方法

[发明专利]具有缺陷分类能力的硅片表面缺陷检测仪及缺陷分类方法-CN200910196169.8无效
发明人：陈建芳;程兆谷;王毅强;许永锋;敖计祥;黄惠杰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-09-23 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：一种具有缺陷分类能力的硅片表面缺陷检测仪及缺陷分类方法，采用一束激光从倾斜方向聚焦照射置于高稳定硅片工作平台上的待测硅片的平面表面，由硅片表面缺陷所产生的散射光分别在沿接近硅片表面法线的方向和接近平行硅片表面的方向被两个口径不同的抛物面镜进行圆形窄通道收集和环形宽通道收集由两个光电探测器分别测得两个通道收集到的光电信号的强度并对两个强度取比值，然后通过将该比值与一事先设定的阈值进行比较，即可对硅片表面的缺陷进行分类。该缺陷检测仪具有结构简单、灵敏度高、检测速度快、能对硅片表面缺陷进行分类等优点。
具有缺陷分类能力硅片表面检测方法

[发明专利]一种湿法黑硅片的高效量产制备方法-CN201910145491.1在审
发明人：张良;席珍强;孙鹏;郑守春;余刚;唐骏 -专利权人：镇江仁德新能源科技有限公司;镇江荣德新能源科技有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法黑硅片的高效量产制备方法，包括以下步骤：步骤一，去除损伤层：采用酸腐蚀或者碱腐蚀的方法，将硅片表面的损伤层去除；步骤二，清洗：将去除损伤层的硅片进行清洗，去除其表面多孔硅或者药液残留；步骤三，磷扩散吸杂：采用浓磷扩散在步骤二得到的硅片表面形成重掺杂区，吸收硅片体内杂质；步骤四，去磷硅玻璃：去除磷扩散后硅片表面形成的磷硅玻璃；步骤五，湿法黑硅制备：采用湿法黑硅工艺制备黑硅片。本发明的方法易于实现量产，去除多晶硅片中的杂质，提高多晶硅的少子寿命，提高电池的转换效率。
去除硅片湿法硅片表面损伤层量产制备磷扩散黑硅清洗去磷硅玻璃表面多孔多晶硅片工艺制备磷硅玻璃少子寿命体内杂质药液残留重掺杂区转换效率多晶硅碱腐蚀酸腐蚀浓磷吸杂电池扩散吸收

[发明专利]一种高速硅片分选机-CN202310649580.6在审
发明人：赵亮;姜君;郭跃;郑志 -专利权人：曲靖阳光新能源股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B07C5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速硅片分选机，包括：上料组件、检测组件、分选组件、传送组件，所述上料组件用于持续将硅片供入检测组件输入端，所述检测组件输出端连接分选组件，所述检测组件、分选组件均设置在传送组件上，所述检测组件包括：厚度检测模组，用于检测硅片厚度尺寸；线痕检测模组，用于检测硅片表面是否存在线痕；裂纹检测模组，用于检测硅片表面是否存在隐形裂纹；脏污检测模组，用于检测硅片表面是否存在脏污；边缘尺寸检测模组，用于检测硅片外形尺寸；翘曲检测模组，用于检测硅片翘曲度；所述分选组件用于将不合格硅片从所述传送组件剔除，用于通过多种检测方式同时对一条检测线上的硅片进行检测。
一种高速硅片分选

[发明专利]硅片键合方法-CN201510189318.3有效
发明人：徐爱斌;王俊杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种硅片键合方法。该方法包括：提供第一硅片，并在所述第一硅片中形成孤岛结构；在所述第一硅片上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层，使得所述孤岛结构的边缘硅表面低于中央区域；在所述第一硅片上形成键合氧化层，该键合氧化层在孤岛结构的边缘厚于中央区域；提供第二硅片，所述第二硅片通过所述孤岛结构与第一硅片键合。本发明中由于通过孤岛结构的硅表面和键合氧化层厚度的互相补偿，获得了良好的表面微观平整度，能够使得第一硅片与第二硅片键合时有较大的键合面积，提高了键合强度。
硅片方法

[发明专利]检测外延硅缺陷的方法-CN201110322043.8无效
发明人：孙勤;高杏;钱志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G01N27/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测外延硅缺陷的方法，在硅片外延层上生长热氧化层，硅片外延层与硅片衬底同型；对硅片表面注入电荷，通过表面电压测量，得到硅片各位置的热氧化层与外延层界面的热氧化浅层缺陷寿命；在热氧化层表面产生感应电荷，同理也可得到硅片各位置的感应电荷复合寿命；如果该硅片各位置的热氧化浅层缺陷寿命大于设定值，则以该硅片上各位置的感应电荷复合寿命的长短表示各位置的硅片外延层的缺陷程度。本发明的检测外延硅缺陷的方法，可以定性、定量判定硅片外延层缺陷产生的程度和位置，更准确、更全面。
检测外延缺陷方法

[发明专利]一种硅片边缘剥离方法及硅片-CN202010392779.1在审
发明人：衡鹏;徐鹏;文英熙 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片边缘剥离方法及硅片，所述方法包括：对硅片背面的氧化层进行边缘剥离；对边缘剥离后的硅片的正面进行亲水性处理。根据本发明实施例的硅片边缘剥离方法，通过在边缘剥离工艺中进行边缘剥离后增加亲水性处理步骤，可以在边缘剥离工艺后直接得到具有亲水性表面的硅片，而亲水性表面能够有效阻止污染物进入硅片内部，从而可以防止硅片受污染，继而提高了制得的硅片的品质。
一种硅片边缘剥离方法

[发明专利]一种PN结的扩散方法-CN201210143416.X无效
发明人：马桂艳;宋连胜;田世雄;张东升 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种PN结的扩散方法，包括：在硅片表面形成氧化层；提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。由于本发明所提供的PN结的扩散方法，首先在硅片表面形成氧化层；然后提供磷原子，并使所述磷原子通过所述氧化层向所述硅片内部进行扩散。如此磷原子透过氧化层向硅片内部扩散的扩散方法，可以降低硅片表面杂质浓度，减少高浓度浅结磷扩散对硅片表面带来的晶格损伤，进而提高电池片的转换效率。
一种 pn 扩散方法

[发明专利]一种硅片加工方法、硅片以及包含该硅片的芯片-CN202310150310.0在审
发明人：于航;李铁男;董善伟;李大哲 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种硅片加工方法、硅片以及包含该硅片的芯片，涉及微电子芯片制造领域，解决了现有双向可控硅表面腐蚀坑影响芯片可靠性的问题。S1、利用CVD技术在硅片表面生长SIPOS保护膜；S2、利用钝化技术在硅片的玻璃槽内生长玻璃；S3、利用CVD技术在硅片表面生长一层薄的氧化层；S4、利用光刻胶感光后发生化学反应，将光刻版上的图形转移到被腐蚀的硅片上；S5、将硅片放入SIPOS+多晶腐蚀液中进行一步腐蚀，所述SIPOS+多晶腐蚀液由硝酸、氢氟酸和冰乙酸配制而成；S6、腐蚀后去除光刻胶并清洗，得到表面具有所需图形的硅片。
一种硅片加工方法以及包含芯片

[发明专利]一种perc电池的背面刻蚀工艺-CN202211637402.3在审
发明人：刘凯;徐承宗;石剑;章康平;王建明;宋登元;刘勇 -专利权人：一道新能源科技（衢州）有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：其包括以下步骤：将perc电池硅片进行预清洗；将perc电池硅片表面的磷硅玻璃层去除；将硝酸溶液与perc电池硅片接触，刻断PN结；将perc电池硅片通过混合溶液喷淋；去除硅片表面的多孔硅，同时除去喷墨工序中喷涂的蜡层；用去离子水冲洗perc电池硅片，最后烘干；该perc电池的背面刻蚀工艺中，在perc电池硅片在进行刻蚀前，首先通过氢氟酸溶液对硅片表面进行处理，使其表面的磷硅玻璃层去除，减少了磷硅玻璃层对硅片刻蚀的影响
一种 perc 电池背面刻蚀工艺

[发明专利]硅片清洗组合物、硅片清洗方法和应用-CN202310766366.9在审
发明人：王涛;梁海波;方保华;金小俊 -专利权人：句容协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C11D1/825 文献下载
摘要：本申请提供的硅片清洗组合物中，通过两种聚氧乙烯醚的复配，能够使聚氧乙烯醚的疏水基团更好地与硅片的污垢、杂质等有机物质相互作用，使其脱离硅片表面；同时聚氧乙烯醚的亲水基团能够保持与水分子之间的相互作用，使脱离硅片表面的有机物质被包裹在胶束内，从而达到更好的清洗；另外，本申请所提供的硅片清洗组合物，能够降低硅片的表面张力，使清洗组合物能够更容易的渗透到硅片表面，提高清洗效果；进一步地，本申请提供的硅片清洗组合物在各组分的合理配伍下，并能够有效减少硅片在清洗之后的污片率
硅片清洗组合方法应用

[发明专利]一种硅片单面处理装置-CN201810021341.5有效
发明人：李世磊;阳军;吴会旭;李钊 -专利权人：池州市星聚信息技术服务有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片单面处理装置，包括底座、伺服电机、丝杠、进给螺母、滑座、下模板、上模座、过渡条、滑动吸取机构、进气通道、进气管、托架、直线模组、立板、调速电机、弹性机构、磨头，将硅片直接置于设置在上模座上的定位槽内，伺服电机带动硅片右移，过渡条对磨头产生推力，弹性机构内的第二弹簧压缩，使得磨头与硅片保持完全接触，同时，直线模组带动立板前后移动，进而带动磨头前后移动，从而完成硅片“扫描”时磨洗。该装置结构简单，能对硅片表面进行自动磨洗处理，而且通过“扫描”式磨洗，能对硅片表面各个地方进行均匀磨洗，清除硅片表面附着的杂质，提高表面处理质量及生产效率，同时，硅片装夹、拆卸方便快捷，效率高。
一种硅片单面处理装置

[实用新型]一种硅片单面处理装置-CN201820036684.4有效
发明人：李世磊;阳军;吴会旭;李钊 -专利权人：苏州聚晶科技有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片单面处理装置，包括底座、伺服电机、丝杠、进给螺母、滑座、下模板、上模座、过渡条、滑动吸取机构、进气通道、进气管、托架、直线模组、立板、调速电机、弹性机构、磨头，将硅片直接置于设置在上模座上的定位槽内，伺服电机带动硅片右移，过渡条对磨头产生推力，弹性机构内的第二弹簧压缩，使得磨头与硅片保持完全接触，同时，直线模组带动立板前后移动，进而带动磨头前后移动，从而完成硅片“扫描”时磨洗。该装置结构简单，能对硅片表面进行自动磨洗处理，而且通过“扫描”式磨洗，能对硅片表面各个地方进行均匀磨洗，清除硅片表面附着的杂质，提高表面处理质量及生产效率，同时，硅片装夹、拆卸方便快捷，效率高。
硅片磨洗硅片表面磨头单面处理弹性机构伺服电机直线模组过渡条上模座立板扫描本实用新型拆卸方便弹簧压缩调速电机进给螺母进气通道前后移动生产效率完全接触吸取机构装置结构定位槽进气管下模板滑动底座附着滑座丝杠托架右移装夹移动