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[实用新型]石英舟与石英舟系统-CN202122509981.0有效
发明人：陈素素;李志辉;王贵梅 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英舟，包括主体以及硅片间隔结构，硅片间隔结构包括第一间隔结构、第二间隔结构以及硅片安装组，其中，所述硅片安装组包括多个硅片安装位，所述硅片安装位用于安装所述硅片，所述硅片安装位之间的间距相同，且所述硅片安装组与所述第一间隔结构之间的间距等同于所述硅片安装位之间的间距，所述硅片安装组与所述第二间隔结构之间的间距等同于所述硅片安装位之间的间距。通过让硅片安装组与第一间隔结构之间的间距等同于硅片安装位之间的间距以及让硅片安装组与第二间隔结构之间的间距等同于硅片安装位之间的间距，进而减少在扩散通源时形成的扰流，提高硅片的质量。
石英系统

[发明专利]一种硅片钝化装置及方法-CN201911212164.X在审
发明人：俎世琦;金柱炫 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B05C11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片钝化装置及方法，涉及半导体硅片领域。该装置包括：硅片载台，硅片载台包括有多个支撑臂，多个支撑臂的一端相接，另一端套设硅片载件，硅片载件的用于与硅片接触的表面具有一定斜度；涂敷结构，与硅片载台相对设置，涂敷结构与硅片载台之间形成放置硅片的空间；支撑结构，与硅片载台背向硅片的表面连接，用于支撑硅片载台并控制硅片载台运动；导轨，与支撑结构远离硅片载台的一端连接，支撑结构能够沿导轨移动。本发明实施例能够解决钝化硅片的过程中无法将钝化液均匀涂抹在硅片表面，从而无法保证钝化均匀性的问题。
一种硅片钝化装置方法

[发明专利]一种支撑结构和具有其的热处理装置-CN201910531379.1有效
发明人：郭恺辰;文英熙;柳清超;张婉婉 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种支撑结构和具有其的热处理装置，所述支撑结构的上表面形成有能够与硅片的下表面形成面接触的环形支撑面，用以在对硅片进行加热时支撑硅片。根据本发明的支撑结构，能够解决硅片被加热期间硅片所受压强大，硅片滑移严重的问题，利用本发明的支撑结构能够增大硅片与支撑结构的接触面积，使得硅片受力均匀稳定，减小硅片被加热期间硅片所受压强，控制位错位置，减轻滑移，提高硅片性能和产品良率，支撑结构易于更换，易于发现损坏或变形。
一种支撑结构具有热处理装置

[发明专利]硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线-CN202010519994.3有效
发明人：钱丽勋;王文军;李宏军;王建志;申晓芳;杨志;付兴中;董春晖;王胜福;李丰;梁敬庭;周名齐;周少波;陈旭东;石晶晶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线，该硅基空气填充微同轴结构包括上层硅片、中层硅片和下层硅片；上层硅片设置第一凹槽；中层硅片的芯子硅片与第一凹槽位置对应；中层硅片的多个左支撑梁硅片设置在其第一硅片与芯子硅片之间；中层硅片的多个右支撑梁硅片设置在其芯子硅片与第二硅片之间；第一硅片和第二硅片分别设置贯穿上下表面的第一通孔阵列；下层硅片设置与第一凹槽对应的第二凹槽及与第一通孔阵列对应的第二通孔阵列通过第一凹槽与第二凹槽形成填充空气的空腔结构，芯子硅片位于空腔结构内，形成传输性能好，易于与半导体工艺集成，适于批量生产的硅基空气填充微同轴结构。
空气填充同轴结构传输线

[发明专利]硅片清洗设备、限位结构-CN201911146272.1在审
发明人：左国军;余兴梅;万红朝 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了硅片清洗设备、限位结构。该硅片清洗设备包括：清洗设备本体；限位结构，设于清洗设备本体上，并适于在第一位置和第二位置之间切换；其中，限位结构在第一位置时避让硅片载具，以使得硅片载具移入或移出硅片清洗设备；限位结构在第二位置时止挡硅片载具，以限制移入硅片清洗设备的硅片载具移动。本发明能够在硅片清洗处理过程中有效避免硅片漂浮，从而提高硅片的质量。
硅片硅片清洗设备限位结构载具第二位置第一位置清洗设备移入硅片清洗避让移出止挡漂浮移动

[实用新型]一种基于硅片键合的真空封装结构-CN201621409657.4有效
发明人：项望;景欢旺;吕海军;高超;王晓丽 -专利权人：江苏晶鼎电子材料有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于硅片键合的真空封装结构，包括基底硅片和封盖硅片，基底硅片的上表面固定安装有阻气层和支撑垫片，且支撑垫片设置在阻气层的左右两端，在基底硅片的上方固定安装有空腔结构，空腔结构的下方为基底硅片，在空腔结构的内部固定安装有吸气剂，空腔结构的数量为多个，多个空腔结构在基底硅片的上方平行排列；封盖硅片固定安装在基底硅片的上方，在封盖硅片的下表面固定安装有第一聚合物层，且封盖硅片通过第一聚合物层完全涂覆在基底硅片的上表面，在封盖硅片的上方还固定安装有聚合物层，该真空封装结构通过硅片的相互键合作用，使得气体通过排气孔道排放，内部空腔的真空度良好。
一种基于硅片真空封装结构

[发明专利]一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法-CN201110055917.8无效
发明人：秦明;康兴华;胡尔同 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法，包括衬底硅片、结构硅片，在所述结构硅片一面设置有键合区域、支撑点，另一面设置有加力点，所述支撑点设置在键合区域和加力点之间，所述衬底硅片和结构硅片通过键合区域键合成一体制造这种微结构的方法，包括以下步骤：步骤1，对结构硅片表面进行氧化，形成腐蚀阻挡层，然后光刻所述腐蚀阻挡层，形成腐蚀窗口，再用腐蚀液将结构硅片腐蚀2微米至200微米深度；步骤2，将衬底硅片和结构硅片通过硅直接键合工艺键合成一体本发明的微结构结构简单，设置灵活，操作方便。
一种测量硅片强度微结构及其制造方法

[实用新型]硅片清洗设备、限位结构-CN201922019867.2有效
发明人：左国军;余兴梅;万红朝 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了硅片清洗设备及限位结构。该硅片清洗设备包括：清洗设备本体；限位结构，设于清洗设备本体上，并能够在第一位置和第二位置之间切换；其中，限位结构在第一位置时避让硅片载具，以使得硅片载具移入或移出硅片清洗设备；限位结构在第二位置时止挡硅片载具，以限制移入硅片清洗设备的硅片载具移动。本实用新型能够在硅片清洗处理过程中有效避免硅片漂浮，从而提高硅片的质量。
硅片清洗设备限位结构

[实用新型]一种立式HWCVD设备载板-CN202222465135.8有效
发明人：孟虹辰;吴小元;周浪 -专利权人：南昌大学共青城光氢储技术研究院
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种立式HWCVD设备载板，所述载板包括载板条，单排放1‑20片硅片，所述载板条上每块放硅片区域四周三个方向设置有硅片限位结构，防止载板和硅片竖直放置时硅片掉落。本实用新型通过将硅片从没有硅片限位结构一侧插入载板条中，完全插入后硅片位于放硅片区域中，此时硅片限位结构防止硅片掉落，该载板进行topcon所需的非晶硅膜制备，镀膜时硅片温度最高近450度，载板反复镀膜600次，依然可实现硅片稳定的取放，碎片率0.05％，远低于采用永磁体的载板设计0.3％碎片率的水平，不仅可以提高硅片的镀膜质量，而且设计结构简单，成本低。
一种立式 hwcvd 设备

[发明专利]一种转运设备及太阳能电池生产系统-CN202210614741.3在审
发明人：王伟;黄纪德;金浩;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B65G49/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种转运设备及太阳能电池生产系统，涉及硅片生产技术领域，包括：硅片调整装置、硅片转运装置以及分别与硅片调整装置和硅片转运装置电连接的控制器，硅片具有弯曲状态和平行状态；其中，硅片调整装置包括：变节器，用于调整硅片的间距，具有多个用于承载硅片的承载结构；多个弯曲度检测装置，每个弯曲度检测装置与每个承载结构一一对应，用于在相应承载结构中的硅片处于弯曲状态时检测硅片的弯曲程度；多个气流抬升装置，每个气流抬升装置与每个承载结构一一对应，用于通过气流将相应承载结构上的硅片由弯曲状态抬升至平行状态。阻止了吸盘吸附硅片时破真空现象的产生，减少了硅片的破损，提高了产能和生产效率。
一种转运设备太阳能电池生产系统

[实用新型]一种提高光能利用率的单晶硅片-CN202021540445.6有效
发明人：郑文广 -专利权人：深圳市百度微半导体有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高光能利用率的单晶硅片，包括单晶硅片本体、双层氮化硅减反射层、刻蚀绒面结构层、防腐蚀结构和N型单晶硅片，所述单晶硅片本体的外壁上设置有防腐蚀结构，所述单晶硅片本体的内部设置有N型单晶硅片，且N型单晶硅片的底端设置有硅片底面，硅片底面的平面结构，所述N型单晶硅片上方的单晶硅片本体内部设置有P型单晶硅片，且P型单晶硅片和N型单晶硅片之间设置有导通区，所述N型单晶硅片两侧的外壁上皆固定有下电极，且下电极上方的P型单晶硅片外壁上固定有上电极。本实用新型不仅提高光能的利用率，减少了硅片的腐化、延长了硅片的使用寿命，而且提高了多组单晶硅片本体连接时的便捷性。
一种提高光能利用率单晶硅

[实用新型]一种硅片搬运机构-CN202021291618.5有效
发明人：刘振辉;胡耿涛;林生财;魏纯 -专利权人：矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提出一种硅片搬运机构。所述硅片搬运机构包括，用于搬运硅片的搬运部安装于机架；用于分离硅片的毛刷部运动安装于机架；所述毛刷部能够沿搬运部搬运的硅片边沿止抵于硅片，使毛刷部上的毛刷能够进入相互吸附的硅片之间；采用上述技术方案，通过采用毛刷插入相互吸附的硅片从而使硅片分离；此方案不同于常规采用气流使硅片分离；上述技术方案结构简单，仅需要毛刷部以及带动毛刷部运动的结构，结构简单，操作方便。
一种硅片搬运机构

[实用新型]一种硅片传输装置及硅片传输系统-CN201821205974.3有效
发明人：易书令;马晓林;姜大俊 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片传输装置及硅片传输系统，涉及太阳能加工设备技术领域。该硅片传输装置包括运输台、吸气组件及限位结构，运输台用于将第一硅片和第二硅片先后运至指定位置；吸气组件位于指定位置的上方并能够对先到达指定位置的第一硅片，以使第一硅片与运输台之间形成容纳第二硅片的容纳空间；限位结构对应指定位置。该硅片传输装置中，先到达指定位置的第一硅片在吸气组件的施力作用下与运输台脱离，第二硅片通过运输台运输至容纳空间内，使得第二硅片位于第一硅片的底部，从而实现硅片在运输过程中的堆叠；且限位结构能够限制第一硅片和第二硅片的位置，避免第一硅片或第二硅片偏离，有利于硅片的运输与堆叠。
硅片运输台硅片传输装置吸气组件限位结构硅片传输系统容纳空间堆叠本实用新型加工设备运输过程施力运输太阳能偏离容纳脱离

[发明专利]一种全硅环境隔离MEMS器件-CN201810940684.1有效
发明人：何凯旋;郑宇;王鹏;喻磊;陈璞;王新龙 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种全硅环境隔离MEMS器件，包括隔离硅片,隔离硅片上方依次设有形成配合的衬底SOI硅片、敏感结构硅片与硅盖帽，隔离硅片、衬底SOI硅片与敏感结构硅片相互之间晶圆级硅硅直接键合；隔离硅片的中部蚀刻有加热电阻图形，使隔离硅片中部形成加热电阻；隔离硅片的四周蚀刻有悬臂梁图形，使隔离硅片四周形成悬臂梁；敏感结构硅片上制备有MEMS敏感可动结构，敏感结构硅片上还蚀刻有温度传感电阻；硅盖帽顶面集成有MEMS结构处理电路与温度控制电路
一种环境隔离 mems 器件

[实用新型]一种测量硅片键合强度的微结构-CN201120059705.2无效
发明人：秦明;康兴华;胡尔同 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测量硅片键合强度的微结构，包括衬底硅片、结构硅片，在所述结构硅片一面设置有键合区域、支撑点，另一面设置有加力点，所述支撑点设置在键合区域和加力点之间，所述衬底硅片和结构硅片通过键合区域键合成一体。本实用新型的微结构结构简单，设置灵活，操作方便。
一种测量硅片强度微结构

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