[实用新型]一种提高光能利用率的单晶硅片

摘要

本实用新型公开了一种提高光能利用率的单晶硅片，包括单晶硅片本体、双层氮化硅减反射层、刻蚀绒面结构层、防腐蚀结构和N型单晶硅片，所述单晶硅片本体的外壁上设置有防腐蚀结构，所述单晶硅片本体的内部设置有N型单晶硅片，且N型单晶硅片的底端设置有硅片底面，硅片底面的平面结构，所述N型单晶硅片上方的单晶硅片本体内部设置有P型单晶硅片，且P型单晶硅片和N型单晶硅片之间设置有导通区，所述N型单晶硅片两侧的外壁上皆固定有下电极，且下电极上方的P型单晶硅片外壁上固定有上电极。本实用新型不仅提高光能的利用率，减少了硅片的腐化、延长了硅片的使用寿命，而且提高了多组单晶硅片本体连接时的便捷性。