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[实用新型]一种适用于微反射镜阵列镀膜的硅晶圆掩膜板-CN202320124686.X有效
发明人：胡敬佩;黄惠杰 -专利权人：上海镭望光学科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/52 文献下载
摘要：一种适用于微反射镜阵列镀膜的硅晶圆掩膜板，包括第一层硅晶圆、绝缘层和第二层硅晶圆；绝缘层位于第一层硅晶圆和第二层硅晶圆之间，第一层硅晶圆的厚度大于第二层硅晶圆的厚度；第二层硅晶圆用于与微反射镜阵列贴合；硅晶圆掩膜板配合微反射镜阵列设置有微反射镜阵列区域和非微反射镜阵列区域，微反射镜阵列区域中的第一层硅晶圆和绝缘层被刻蚀，微反射镜阵列区域中的第二层硅晶圆对应微反射镜阵列刻蚀有通孔阵列。通过半导体光刻工艺和刻蚀工艺将硅晶圆掩膜板开孔大小做的更加精准，对准图形更加精细，硅晶圆的硬度在足够薄的情况下相对于金属更不容易产生形变，且通过半导体加工工艺后，硅晶圆掩膜板表面光滑度更能满足其与微反射镜的贴合度
一种适用于反射阵列镀膜硅晶圆掩膜板

[发明专利]一种去除晶圆背面掩膜层的方法-CN201310036133.X在审
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除晶圆背面掩膜层的方法，依次包括以下步骤：在晶圆的一面生长多晶硅层；在晶圆背面和多晶硅层表面生长掩膜层；将晶圆背面朝向喷液机台的喷嘴；从喷嘴喷射清洗液，去除晶圆背面的掩膜层。本发明还提供了一种生产晶圆的方法，依次包括以下步骤：在晶圆上生长掩膜层；对晶圆背面进行清洗；对晶圆正面进行光刻，形成电路图案。
一种去除背面掩膜层方法

[发明专利]一种防止图案缺失的方法及其晶圆制造方法-CN201310036476.6有效
发明人：李健 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止图案缺失的方法，尤其是防止掩膜层图案缺失的方法，依次包括在晶圆的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层表面形成掩膜层；在多晶硅层表面形成的掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层；去除多余掩膜层本发明还提供了一种防止图案缺失的晶圆制造方法，依次包括在晶圆上的一个表面上生长多晶硅层；在多晶硅层上形成掩膜层；在掩膜层上形成厚度在4000埃以上的保护层；去除晶圆背面的掩膜层；去除保护层；刻蚀晶圆形成电路图案本发明提供的方法科学有效的避免了图案缺失的问题，尤其是避免了掩膜层图案缺失，而且不会增加工艺时间和生产成本。
一种防止图案缺失方法及其制造

[发明专利]一种改善沟槽刻蚀导致晶圆毛边的方法-CN202110447798.4有效
发明人：刘秀勇;陈正嵘;李志国;谭艳琼;彭笋娟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种改善沟槽刻蚀导致晶圆毛边的方法，提供硅基底，在硅基底上形成硬掩膜层；对硬掩膜层进行研磨，使硬掩膜层上表面中心区域的高度低于边缘区域的高度；在硬掩膜层被研磨的中心区域形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光和显影，形成用于制作沟槽的光刻胶图形；按光刻胶图形刻蚀所述硬掩膜层，硬掩膜层的所述中心区域形成为多个硬掩膜沟槽；按照硬掩膜沟槽刻蚀所述硅基底，形成多个沟槽。本发明通过将现有技术中的硬掩膜层加厚，并在沟槽光刻前增加一步对硬掩膜的区域研磨，使晶圆边缘洗边处硬掩膜比面内厚，从而硬掩膜刻蚀后保留一定量的硬掩膜作为边缘沟槽刻蚀的阻挡层，达到消除晶圆硅基底毛边的目的。
一种改善沟槽刻蚀导致毛边方法

[实用新型]一种光刻机及其掩膜结构-CN202121532930.3有效
发明人：霍锦充 -专利权人：东莞王氏港建机械有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及光刻机技术领域，更具体地说，它涉及一种光刻机及其掩膜结构，其中，掩膜结构包括上模板、下模板、掩膜安装板和掩膜板；掩膜安装板为浮动板，且用于安装在上模板上；掩膜板用于安装在掩膜安装板上，以随掩膜安装板一起运动；下模板用于承载晶圆；上模板可相对下模板升降，以带动掩膜板相对靠近或远离晶圆，掩膜板相对靠近晶圆时还可与晶圆相抵。根据本实用新型的方案，当上模板带动掩膜板靠近晶圆直至与晶圆相抵时，掩膜板在下压晶圆的过程中可以受晶圆推动，而使自身的各个边角发生不同程度的运动，以补偿各边角与晶圆之间的间隙，使掩膜板的各个边角均与晶圆贴合，从而可以提高掩膜板与晶圆的平行度。
一种光刻及其膜结构

[发明专利]一种硅晶圆结构及其制造方法-CN201910622606.1在审
发明人：徐建卫;徐艳;汪鹏 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅晶圆结构及其制造方法，硅晶圆结构包括：硅晶圆主体，在硅晶圆主体上设有第一槽和第二槽，硅晶圆主体还形成有第一尖角或第二尖角，其中，第一尖角或第二尖角设置在第一槽和第二槽的连接处。制造方法，包括：采用薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜；在硅晶圆主体的背面腐蚀出第一槽；在硅晶圆主体的背面以及第一槽的表面蒸镀薄膜；在上述结构的正面进行掩膜图形化工艺形成图形化掩膜层，并进行二次腐蚀并腐蚀出第二槽本申请中硅晶圆主体的背面用抗腐蚀的薄膜保护，使正面腐蚀时可以停止在薄膜上，夹角处被保护，可以有效地避免尖角被腐蚀液迅速腐蚀。
一种硅晶圆结构及其制造方法

[发明专利]一种多台阶形貌的制备方法及其多级终端结构-CN202111027293.9在审
发明人：葛欢;吴沛飞;赵万利 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种多台阶形貌的制备方法及其多级终端结构，其中制备方法包括：对硅晶圆涂覆光刻胶；采用具有不同曝光区域尺寸的多块光刻掩膜版依次对硅晶圆表面的光刻胶进行曝光处理；对经过曝光处理的硅晶圆表面的光刻胶进行显影处理，形成具有多台阶掩膜的硅晶圆；对具有多台阶掩膜的硅晶圆进行一次刻蚀，形成终端结构的多台阶形貌。
一种台阶形貌制备方法及其多级终端结构

[发明专利]一种硅通孔结构的形成方法-CN202111533963.4在审
发明人：刘清召 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种硅通孔结构的形成方法，所述方法包括：提供载体晶圆，所述载体晶圆表面依次形成有硬掩膜层和第一键合标记层；通过所述一键合标记层将所述载体晶圆和功能晶圆的第一面键合；提供底部晶圆，所述底部晶圆表面形成有第一介质层以及位于所述第一介质层中的第一金属层；将所述底部晶圆和所述功能晶圆的第二面键合；去除所述载体晶圆；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述第一键合标记层和所述功能晶圆形成贯穿所述第一键合标记层和所述功能晶圆且暴露所述第一金属层的硅通孔；在所述硅通孔中填充金属形成硅通孔结构本申请提供一种硅通孔结构的形成方法，可以提高硅通孔结构的密度，提高功能晶圆之间的电信号互联密度。
一种硅通孔结构形成方法

[发明专利]一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法及掩膜板-CN202011593252.1在审
发明人：黄苒;赵博华 -专利权人：天津市滨海新区微电子研究院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法及掩膜板，包括：将掩膜板的凹槽与硅晶圆的像素电极对位贴合；根据该所述掩膜板，对所述硅晶圆的像素电极依次进行蒸镀。如此，本发明通过在相邻的像素电极(包括红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极)上制备独立发光的红、绿、蓝OLED器件，提高OLED微显示器的显示亮度，避免了现有技术中因滤色膜的光透过率较低而导致损失大量的光强的问题
一种彩色 oled 显示器制作方法掩膜板

[发明专利]一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法-CN201810093853.2有效
发明人：李新坤;庄海涵;梁德春;刘福民;吴浩越;王风娇;徐宇新 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种实现高陡直度深硅刻蚀结构的光刻工艺方法，涉及硅微机械加工技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、在待刻蚀晶圆上表面涂覆光刻胶；步骤(二)、采用热板对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；步骤(三)、在光刻胶的上表面进行曝光显影，形成预先设计图形的光刻胶掩膜；步骤(四)、采用氩等离子体对光刻胶掩膜的外表面进行轰击处理；步骤(五)、在光刻胶掩膜的上表面，采用氧等离子体对光刻胶掩膜进行边角削除；得到最终图形成型的光刻胶掩膜；步骤(六)、通过最终图形成型的光刻胶掩膜，对待刻蚀晶圆进行深硅刻蚀；本发明使光刻胶掩膜具有更强的抗刻蚀能力、更高的图形符合度，有利于实现高陡直度深硅刻蚀结构。
一种实现陡直度深硅刻蚀结构光刻工艺方法

[发明专利]太阳能电池的选择性制绒方法-CN201110045069.2无效
发明人：童锐;石东益 -专利权人：茂迪（苏州）新能源有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的选择性制绒方法，首先在单晶硅晶圆表面制作掩膜，将单晶硅晶圆的正面用于接触正面电极的部分以及单晶硅晶圆的整个背面覆盖；然后进行碱制绒，使所述单晶硅晶圆表面未覆盖掩膜的部分形成金字塔状的绒面；最后去除掩膜。本发明对单晶硅片的背面，以及正面用于制作BusBar和Finger的区域采用掩膜保护，不进行碱制绒，而做预清洗或酸制绒，其他区域使用碱制绒，通过这种选择性制绒的方式既不影响电池的受光面积，在保证了绒面反射率的同时
太阳能电池选择性方法

[发明专利]硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组-CN201810123726.2在审
发明人：吴疆 -专利权人：上海瀚莅电子科技有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基OLED的制备方法，包括以下步骤：S1、制备若干带有蒸镀像素图形的硅基掩膜版；S2、选取具有相应像素图形的硅基掩膜版；S3、将所述硅基掩膜版与晶圆的对位贴合，并蒸镀对应的OLED功能层膜；S4、OLED功能层膜蒸镀结束后，采用分离技术分离所述硅基掩膜版与所述晶圆；S5、重复步骤S2～S4将制备硅基OLED的其余功能层膜分别蒸镀在所述晶圆上，制得硅基OLED基体；S6、对所述步骤S5中的硅基OLED基体进行封装，硅基OLED的制备结束。本发明的硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组，减少了CF层的使用及白光OLED的单独制备，使得硅基OLED显示模组的亮度提高了4倍，同时提高了硅基OLED的PPI并简化了硅基OLED的制备工艺。
硅基制备掩膜版蒸镀功能层晶圆模组像素图形对位贴合分离技术制备工艺制备硅基白光封装重复

[发明专利]一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法-CN201710581729.6在审
发明人：唐在峰;许进;任昱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，包括下列步骤对晶圆刻蚀时，利用终点监控系统，检测大块刻蚀区域硬掩膜的刻蚀终点，并实施刻蚀终点控制；对刻蚀晶圆通孔区域的硬掩膜进行断面形貌刻蚀量检测；进行晶圆通孔区域硬掩膜的总刻蚀量计算，并增加通孔区域的刻蚀量；重新进行晶圆硬掩膜和硅通孔的刻蚀，完成菜单开发。本发明提出的图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，精确控制硅通孔的深度及形貌，达到保障器件特性，提高开发效率及保障后续量产稳定性的目的。
一种图像传感器栅极硅通孔刻蚀方法

[发明专利]一种离子注入附加掩膜的方法-CN201210375752.7在审
发明人：赖朝荣;邓建宁;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入附加掩膜的方法，其属于离子注入技术领域，具体包括在所述多项目晶圆前增加一块掩膜板，并往所述多项目晶圆中注入N元素；所述N元素用于把所述多项目晶圆的硅表面非晶化；上述技术方案的有益效果是：大大简化了生产工艺的步骤，同时，离子注入掩膜板最多可以实现4种不同剂量注入，这意味着可以在同一片晶圆上实现4种不同厚度的栅氧化层，而原有多项目单晶圆流程至少需要额外三道光罩才能达到这个效果，在节省成本的同时
一种离子注入附加方法

[发明专利]一种用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板和方法-CN201910221285.4在审
发明人：郭素华 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种用于带凸起部晶圆曝光的掩膜板和方法，晶圆朝向掩膜板的一侧设置有至少一个凸起部，掩膜板上设置有图形层和对准标记，掩膜板上朝向晶圆的一面上还开设有能够接纳所述凸起部插入的缺口。利用本发明方法进行曝光前将所述晶圆的所有凸起部插入至所述掩膜板对应的所述缺口内，并根据所需要的分辨率调整所述凸起部插入至所述缺口内的深度以使所述掩膜板与所述晶圆曝光面之间达到预定的曝光间隙要求后，保持所述掩膜板与所述晶圆的位置不变，再利用曝光光源对所述晶圆进行曝光。利用本发明掩膜板和曝光方法无需对步进式光刻机进行改进就能够使掩膜板与晶圆曝光面达到预定的间隙，不仅提高了对准精度和分辨率，而且节约了成本。
一种用于凸起部晶圆曝光掩膜板方法

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