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[发明专利]从半导体衬底晶片制造集成电路的方法-CN202310028099.5在审
发明人： C·A·苏亚雷斯·塞戈维亚;D·帕克;C·特鲁伊勒;A·马勒布;S·尼埃尔 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：每个集成电路包括电有源区域。沿着划片路径在各种集成电路的有源区域周围形成导热保护结构。保护结构位于集成电路的电有源区域和划片路径的激光烧蚀区域之间。用于划片的工艺包括在激光烧蚀区域中执行激光烧蚀，然后执行蚀刻或物理划片中的一项。
半导体衬底晶片制造集成电路方法

[发明专利]一种长寿命抗微点蚀风电齿轮油及其制备方法-CN201610108683.1有效
发明人：赫常山;王宜献;蔡德华;肖颖 -专利权人：北京雅士科莱恩石油化工有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C10M169/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种长寿命抗微点蚀风电齿轮油及其制备方法，所述长寿命抗微点蚀风电齿轮油由下述质量百分比的原料组成：工业齿轮油复合剂3‑6％、抗氧剂0.1‑0.3％、抗磨剂0.1‑1％、余量为基础油。本发明具有抗微点蚀、清净好、抗磨性好、低温性好、氧化安定性好和抗剪切性能好等优点，特别是有水情况下依旧保持优异的性能。长期使用依旧可以保持良好的性能。
一种寿命抗微点蚀风电齿轮油及其制备方法

[发明专利]太阳能电池制造工艺中膜叠堆的烧蚀-CN201180028121.1有效
发明人：加布里埃尔·哈利;金太锡;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-03-24 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明涉及用激光烧蚀太阳能电池(105)的介电膜叠堆。所述介电膜叠堆包括在激光源(102)的工作波长下具有吸收性的层。以一定的脉冲重复率发射激光脉冲(103)的所述激光源(102)被配置成烧蚀所述膜叠堆，以暴露下面的材料层。所述激光源(102)可被配置成在单个脉冲重复内发射两个激光脉冲的脉冲串或单个时间不对称的激光脉冲，从而在单个步骤中实现完全烧蚀。
太阳能电池制造工艺中膜叠堆

[发明专利]用于天沟的防溢流过渡装置-CN202211233639.5在审
发明人：霍泽瑞;陈豪;康怀振;张曾水;张正洪;张世阳;林文彪;徐晨仪;向加;张志杰 -专利权人：中国建筑第八工程局有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： E04D13/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于天沟的防溢流过渡装置，采用三段式内附板，在安装于天沟的落水端后，在恶劣天气下天沟的室外流体(雨水)排放时通过对雨水依次进行乱流减速、水流控制消能、水流扩散的物理手段处理，大幅降低雨水内能量，在减少溢流现象出现保证水流平稳进入落水斗的同时还可以减少空蚀空化的情况发生，延长了落水系统材料使用寿命，最大幅度降低溢流及空化空蚀现象对房屋雨水落水系统造成的影响，为建筑工程给排水设备良性运行提供了保障。本发明解决了现有的屋面天沟中的室外水体直接汇入落水斗中，容易造成落水斗和落水管的固定锚栓松动，且室外水体产生的空化空蚀现象降低了落水管和落水斗的使用寿命的问题。
用于天沟溢流过渡装置

[发明专利]一种外层减薄铜的方法-CN201811460809.7在审
发明人：黄明安;胡小义;何小国 -专利权人：四会富仕电子科技股份有限公司
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种外层减薄铜的方法，本发明的方法是采用半蚀和砂带研磨工艺来实现的，流程是：板电→掩孔→半蚀→研磨→外层线路。
研磨减薄外层线路板电砂带

[发明专利]使用离子注入表面改性催化无电沉积来沉积金属膜的技术-CN200780008808.2无效
发明人：彼得·D·纽南;由里·艾洛克海 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C23C18/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用离子注入表面改性来催化无电沉积以沉积金属膜(150)的技术。在一个特定示范性实施例中，此技术可被实现为一种用于沉积金属膜(150)的方法。此方法可包括在结构(100)上沉积催化材料，其中此结构(100)包括衬底(110)、在衬底(110)上的介电层(120)和在介电层(120)上的抗蚀剂层(130)，其中介电层(120)和抗蚀剂层(130此方法还可包括剥除抗蚀剂层(130)。此方法还可包括在此结构(100)的一或多个开口(140)中的催化材料上沉积金属膜(150)，以填充开口(140)。
使用离子注入表面改性催化沉积金属膜技术

[发明专利]一种深槽电容的制作方法-CN02118539.5有效
发明人：严永松;刘炳良;许书豪;洪圭钧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-04-27 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明先在一半导体衬底表面的深槽底部形成一埋入电极，接着在该衬底及该深槽表面形成一介电层并填满以一光致抗蚀剂层。随后进行一曝光暨显影工艺，以去除该深槽内一预定深度的该光致抗蚀剂层，并使残留于该深槽内的该光致抗蚀剂层的顶部略为切齐于该埋入电极顶部。最后去除未被该光致抗蚀剂层覆盖的该介电层，并依次进行一氧化工艺以及二多晶硅沉积－化学机械抛光－多晶硅凹入蚀刻工艺，以形成一储存电极。
一种电容制作方法

[发明专利]板级封装方法-CN202310137908.6在审
发明人：杜玲玲;颜国秋;上官昌平;黄剑;敖伟平 -专利权人：上海美维科技有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种板级封装方法，包括步骤：S1：准备基板；S2：使用物理气相沉积工艺于基板表面形成金属种子层与芯片电连接；S3：采用狭缝涂布工艺于金属种子层上涂布抗蚀剂层并进行光刻；S4：采用传送式浸浴显影工艺对光刻后的抗蚀剂层进行显影以定义出再布线层图形；S5：采用电镀工艺于图形化的抗蚀剂层上形成金属主体层，金属主体层与金属种子层电连接；S6：依图形化的抗蚀剂层对金属种子层进行刻蚀以形成再布线层，以及去除残余的抗蚀剂层；S7：于再布线层上形成阻焊层并植入与再布线层电连接的焊球
封装方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和计算机存储介质-CN201210053193.8有效
发明人：渡部诚一;佐藤学;成重和树;佐藤孝纪;胜沼隆幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，其蚀刻基板形成台阶状结构，上述基板具有：多层膜，交替叠层有第一介电常数的第一膜和与第一介电常数不同的第二介电常数的第二膜；和位于多层膜的上层作为蚀刻掩模发挥作用的光致抗蚀剂层，该半导体器件的制造方法，包括：第一工序，以光致抗蚀剂层为掩模，对第一膜进行等离子体蚀刻；第二工序，将光致抗蚀剂层暴露于含氢等离子体；第三工序，修整光致抗蚀剂层；和第四工序：以通过第三工序修整过的光致抗蚀剂层和在第一工序中进行了等离子体蚀刻的第一膜为掩模
半导体器件制造方法计算机存储介质

[发明专利]像素结构的制作方法-CN200810137834.1有效
发明人：杨智钧;黄明远;林汉涂;石志鸿;廖达文;方国龙;蔡佳琪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅介电层以覆盖栅极。接着，于栅介电层上形成通道层，并于通道层上形成第二金属层。接着，于第二金属层上形成图案化光致抗蚀剂层，并以图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的第二金属层，以于栅极两侧的通道层上形成源极与漏极，其中栅极、通道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。之后，于图案化光致抗蚀剂层、栅介电层以及薄膜晶体管上形成保护层。移除图案化光致抗蚀剂层，以使图案化光致抗蚀剂层上的保护层一并被移除，而形成图案化保护层，并暴露出漏极。
像素结构制作方法

[发明专利]使用光致抗蚀剂掩模的蚀刻-CN200680010250.7无效
发明人： J·金;S·李;B·A·沃尔沙姆;R·查拉坦;S·M·R·萨亚迪 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种蚀刻衬底上的介电层的方法。在介电层上形成光致抗蚀剂掩模。将衬底放入等离子体处理室中。向等离子体室提供含NF₃的蚀刻气体。由NF₃气体形成等离子体。通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF₃气体形成的等离子体蚀刻介电层。
使用光致抗蚀剂掩模蚀刻

[实用新型]一种用于空化演示及测试材料空蚀特性的装置-CN201721583580.7有效
发明人：蔡朋飞 -专利权人：长沙三昌泵业有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： F04B51/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于空化演示及测试材料空蚀特性的装置，包括基座和设置在该基座上的装有液体的容器，所述容器内放置有待测试片，所述基座上设有可对所述容器进行加热的加热器，所述容器上设有振动加速度传感器和声发射传感器，所述振动加速度传感器和声发射传感将感应的信号分别传送至计算机，计算机将信号转换为数据后与预设的发生空蚀现象的传动泵的数据进行对比，并通过对比结果判断传动泵的空蚀现象。
振动加速度传感器本实用新型测试材料空蚀现象传动泵空化空蚀和声演示加热器发射传感器对比结果节能环保课堂教学实时显示信号转换测试片振动源计算机传感声源预设加热传送直观发射

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810181939.7无效
发明人：柳尚旭 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在半导体衬底上方可形成第一层间介电膜，并且在第一层间介电膜上可形成金属线。在包括金属线的第一层间介电膜上方可形成第二层间介电膜。在第二层间介电膜上可形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案可包括具有第一组多个开口的高图案密度区，具有第二组多个开口的低图案密度区以及具有第三组多个开口的虚设图案区。使用光致抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻第二层间介电膜，可以形成导通孔。
半导体器件制造方法

[发明专利]光敏丙烯酸AED树脂和包括它的负性光致抗蚀剂组合物及其制备方法-CN201310227700.X无效
发明人：何江川 -专利权人：江阴摩尔化工新材料有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C08F265/06 文献下载
摘要：本发明公开采用阳极电沉积工艺制备的负性光致抗蚀剂的组合物，该光致抗蚀剂组合物主要包含，除了去离子水以外，(A)一种光敏丙烯酸阳极电沉积（AED）基料，(B)多官能度的活性稀释剂，(C)碱性中和剂和(D)所述的光致抗蚀剂通过阳极电沉积的方法自动化程度高，膜层薄而致密、厚度均匀、与电极表面结合得非常紧密，能保证在精细化时在细线上有足够的、强劲的粘合力,可以提高在显影、蚀刻时的可靠性，并且很大程度减少了VOC该光致抗蚀材料可应用于印刷线路板抗蚀刻成像油墨、液晶显示器彩色滤光片等领域。
光敏丙烯酸 aed 树脂包括负性光致抗蚀剂组合及其制备方法

[实用新型]一种用于海上风电防腐包覆施工的工具-CN202223406858.7有效
发明人：行九晖;胡穗兴;赖俊荣;阮芳伟;李楚章;谢志猛;黎祯祥;李岩;林斌 -专利权人：中广核阳江海上风力发电有限公司;深圳国能宸泰科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： F03D80/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于海上风电防腐包覆施工的工具，该一种用于海上风电防腐包覆施工的工具包括紧固组件和支撑组件，紧固组件用于与风机的套笼结构连接；支撑组件，设于紧固组件，用以支撑防蚀保护罩。本实用新型技术方案通过提供一种用于海上风电防腐包覆施工的工具，该工具包括紧固组件和支撑组件，紧固组件用于与风机的套笼结构连接，支撑组件设于紧固组件，用以支撑防蚀保护罩。由此，支撑组件通过紧固组件安装于风机的套笼结构上，从而能够承托防蚀保护罩，保证复层包覆施工顺利进行，进而解决了在施工期间，防蚀保护罩无法固定在风机塔筒或者是无法贴紧在风机塔筒的技术问题。
一种用于海上防腐施工工具