“电介质”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1045085个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件-CN202210472083.9在审
发明人：小清水亮;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的栅极电介质膜、形成在栅极电介质膜上的栅极电极、与栅极电极一体形成的场板部、与场板部接触的阶梯电介质膜、以及高电介质常数膜，该高电介质常数膜与阶梯电介质膜接触并且具有高于硅的电介质常数
半导体器件

[发明专利]在堆叠的量子计算装置中的集成电路元件-CN201780088460.6在审
发明人： J.S.凯莉;J.Y.穆图斯 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：一种堆叠的量子计算装置包括：第一芯片，包括第一电介质基板和在第一电介质基板上的超导量子比特；以及第二芯片，接合到第一芯片并包括第二电介质基板、在第二电介质基板上的量子比特读出元件、在第二电介质基板上的控制线、覆盖控制线的电介质层以及覆盖电介质层的屏蔽层。
电介质基板电介质层量子计算芯片控制线堆叠集成电路元件超导量子读出元件接合屏蔽层覆盖量子

[发明专利]电介质瓷器组合物和电子部件-CN200810183711.1有效
发明人：阿满三四郎;宫内真理;关秀明 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-12-11 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供电介质瓷器组合物和电子部件，所述电介质瓷器组合物含有BaTiO₃和BaZrO₃，该电介质瓷器组合物的特征在于，由2个以上的电介质粒子(20)和晶界相(30)构成，设以BaTiO₃为主成分的电介质粒子(20)为第1电介质粒子(21)、以BaZrO₃为主成分的电介质粒子(20)为第2电介质粒子(22)、第1电介质粒子(21)的平均结晶粒径为D1、第2电介质粒子(22)的平均结晶粒径为D2时，D2与D1之比(D2/D1)为0.04～0.33、D2为0.02μm～0.25μm、第2电介质粒子(22)的总个数与第1电介质粒子根据本发明，能够提供击穿电压良好、适合用于额定电压高(例如100V以上)的中高压用途的电介质瓷器组合物。
电介质瓷器组合电子部件

[发明专利]等离子显示器中用于电介质的印刷电路基板及其制造方法-CN200510110943.0无效
发明人：安正植;赵润熙 -专利权人：乐金电子（南京）等离子有限公司
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01J17/02 文献下载
摘要：本发明是关于等离子显示器中用于电介质的印刷电路基板及其制造方法，依据本发明的等离子显示器中用于电介质的印刷电路基板具有由以下几个部分构成的特征：形成电介质层的电介质材料；在电介质材料的上部或下部形成的保护薄膜在这里，电介质材料包括上部电介质材料和下部电介质材料。本发明的方法缩短等离子显示器的制造周期，减少其制造成本。
等离子显示器用于电介质印刷路基及其制造方法

[发明专利]一种通过界面变化调控介电常数的可变电容器-CN201811580020.5在审
发明人：蒋维涛;刘红忠;牛东;王方园;张雅君;韩捷;陈邦道;史永胜;尹磊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01G5/013 文献下载
摘要：一种通过界面变化调控介电常数的可变电容器，包括设置在第一金属极板和第二金属极板之间的电介质，电介质是由第一电介质和第二电介质复合而成，第一电介质和第二电介质具有不同的介电常数ε₁，ε₂，其中第二电介质的形状在外界条件变化下能够发生改变，本发明仅由两种不同的电介质组合而成，通过动态调控电介质材料两种材料的界面来改变电介质的介电常数从而改变电容器电容，不涉及到复杂的结构设计
电介质介电常数可变电容器金属极板外界条件变化电介质材料电容器电容介电常数ε 动态调控电容调控复合制造

[发明专利]多层绝缘膜堆叠-CN202011403467.2在审
发明人：王捷平;陈亭纲;卢柏全;黄泰钧;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件的方法，包括：在鳍之上形成栅极结构，其中，鳍突出高于衬底；在栅极结构中形成开口；沿着开口的侧壁和底部形成第一电介质层，其中，第一电介质层是非共形的，其中，第一电介质层在栅极结构的远离衬底的上表面附近具有第一厚度，并且在开口的底部附近具有第二厚度，其中，第一厚度大于第二厚度；以及在第一电介质层之上形成第二电介质层以填充开口，其中，第一电介质层由第一电介质材料形成，并且第二电介质层由与第一电介质材料不同的第二电介质材料形成
多层绝缘堆叠

[发明专利]具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构-CN202211005222.3在审
发明人： M·K·哈兰;M·哈桑;T·加尼;A·S·默西 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构，以及制造具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括具有突出于浅沟槽隔离(STI)结构上方的部分的子鳍。栅极电介质材料层在子鳍的突出部分之上，在STI结构之上，并围绕水平堆叠的纳米线。导电栅极层在栅极电介质材料层之上。导电栅极填充材料在导电栅极层之上。电介质栅极墙与子鳍和多个水平堆叠的纳米线横向间隔开，电介质栅极墙在STI结构上。电介质栅极插塞在电介质栅极墙上。
具有电介质栅极集成电路结构

[发明专利]互连件区域-CN201110289839.8有效
发明人：凯尔·K·柯比;菲利普·J·爱尔兰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：所述区域沿横截面可含有：闭合形状的内部区域，其中具有导电材料；第一电介质材料，其被配置为完全围绕所述内部区域的横向外围延伸的衬里；及至少两个电介质突出部，其接合到所述电介质材料衬里且从所述内部区域横向向外所述电介质突出部可具有环绕内电介质区域的外电介质环。所述外环可由所述第一电介质材料组成且所述内电介质区域可为不同于所述第一电介质材料的组合物的组合物，且在一些实施例中，所述内电介质区域内的所述组合物可为气体的。
互连区域

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201910253134.7有效
发明人：张书维;蔡雅怡;陈嘉仁;魏安祺;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括：刻蚀栅极堆叠以形成延伸到栅极堆叠中的沟槽；在栅极堆叠的侧壁上形成电介质层，并且侧壁暴露于沟槽；以及刻蚀电介质层以移除沟槽的底部的电介质层的第一部分。在刻蚀电介质层之后，栅极堆叠的侧壁上的电介质层的第二部分保留。在移除电介质层的第一部分之后，移除电介质层的第二部分以露出栅极堆叠的侧壁。用电介质区域填充沟槽以形成电介质区域，其中，电介质区域接触栅极堆叠的侧壁。
形成半导体器件方法

[发明专利]偶极设计高K栅极电介质及其形成方法-CN202110029535.1在审
发明人：赖德洋;彭峻彦;杨世海;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及偶极设计高K栅极电介质及其形成方法。一种方法，包括：在第一半导体区域上形成氧化物层，以及在氧化物层之上沉积第一高k电介质层。第一高k电介质层由第一高k电介质材料形成。该方法还包括在第一高k电介质层之上沉积第二高k电介质层，其中，第二高k电介质层由不同于第一高k电介质材料的第二高k电介质材料形成，在从第一高k电介质层和第二高k电介质层中选择的层之上并与该层相接触地沉积偶极膜，执行退火工艺以将偶极膜中的偶极掺杂剂驱入到该层中，去除偶极膜，以及在第二高k电介质层之上形成栅极电极。
设计栅极电介质及其形成方法

[发明专利]一种线性/非线性双层绝缘电介质界面极化特性分析方法-CN201811443195.1有效
发明人：韩永森;夏云彦 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：一种线性/非线性双层绝缘电介质界面极化特性分析方法属于绝缘电介质技术领域；现有技术使得理论推导过程复杂化且很难获得解析解；包括线性绝缘电介质层和非线性绝缘电介质层串联，线性绝缘电介质层与第一电极引线相连，非线性绝缘电介质层与第二电极引线相连，第一电极引线与第二电极引线之间直流高电压U0；分别用第一伏安特效曲线和第二伏安特性曲线表示线性/非线性双层绝缘电介质；将线性/非线性双层绝缘电介质用等效电路模型进行描述，获得线性绝缘电介质层的电压值、非线性绝缘电介质层的电压值、线性/非线性双层绝缘电介质的总极化电流值及时间常数值；解决了双层绝缘电介质的界面极化特性推导过程复杂化的技术问题
一种线性非线性双层绝缘电介质界面极化特性分析方法

[发明专利]形成用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构的方法-CN201880000948.3有效
发明人：肖莉红;胡禺石 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：在示例中，第一电介质层形成在衬底上，并且第一光刻胶层形成在第一电介质层上。通过由修整‑刻蚀所述第一电介质层构成的周期来图案化出穿过所述第一电介质层到达所述衬底的凹陷。形成填充所述凹陷的多个电介质/牺牲层对。在所述电介质/牺牲层对的顶表面上形成第二光刻胶层。通过由修整‑刻蚀所述电介质/牺牲层对构成的周期来使所述电介质/牺牲层对图案化。形成覆盖图案化的电介质/牺牲层对的第二电介质层。通过利用多个导体层替换所述图案化的电介质/牺牲层对中的牺牲层而在所述衬底上形成包括多个导体/电介质层对的存储器堆叠层。
电介质牺牲层电介质层图案化衬底光刻胶层阶梯结构凹陷侧布刻蚀修整三维存储器件存储器件存储器导体导体层顶表面堆叠层填充三维替换穿过覆盖

[发明专利]一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件-CN201810608539.3有效
发明人：丁恩燕;张运俭 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01J23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件，包括外筒，所述外筒内设置有阴极、在外筒轴线方向上设置的同轴内导体，所述阴极与同轴内导体同轴，所述外筒和同轴内导体之间填充有同轴电介质，所述同轴电介质为周期性交错填充且介电系数不同的两种电介质，所述同轴电介质具有一环形结构形成同轴介质腔，所述同轴电介质通过同轴介质腔分为内、两部分外同轴电介质，内同轴电介质和外同轴电介质的两种电介质排列方式相同，阴极发射的环形强流电子束通过磁场引导，在同轴介质腔内进行传输本发明采用上述结构的器件，使得微波在传输的介质中发生全反射，从而增强电子束的群聚，提高束波转换效率。
一种周期性电介质填充同轴功率微波器件

[发明专利]贴片天线-CN202280016360.3在审
发明人：野崎高志;水野浩年 -专利权人：株式会社友华
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01Q13/08 文献下载
摘要：贴片天线具备：辐射元件；设有所述辐射元件的第1电介质部件；设在所述第1电介质部件的周围的至少一个的第2电介质部件。而且，所述第2电介质部件的介电常数比所述第1电介质部件的介电常数大。另外，所述第2电介质部件的介电常数为30以上。
天线

[发明专利]电介质天线-CN201610547416.4有效
发明人：久野俊也 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种耐冲击性出色且接收灵敏度良好的电介质天线。电介质天线，具备：电介质体，将具有柔性且分散有电介质陶瓷粉末的介电部层叠于硬度比该介电部高的基底，从而形成该电介质体；以及电极，设置于所述电介质体。
电介质天线