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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于IMOD显示器的电介质增强镜-CN201180051011.7有效
发明人：马克·莫里斯·米尼亚尔;卡斯拉·哈泽尼 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明提供用于包含定位于第一导电层与第二可移动导电层之间的电介质堆叠的显示装置的系统、方法及设备。在一个方面中，所述电介质堆叠包含交替的高折射率电介质层及低折射率电介质层。通过控制所述电介质堆叠内各层的折射率及厚度，可反转所述显示装置的光反射状态，使得当所述可移动层接近于所述第一导电层定位时反射光。
用于 imod 显示器电介质增强

[发明专利]三维存储器阵列-CN201880055601.9有效
发明人： A·皮罗瓦诺;A·雷达埃利;F·佩里兹;I·托尔托雷利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在实例中，一种存储器阵列可包含多个第一电介质材料及多个堆叠，其中每一相应第一电介质材料及每一相应堆叠交替，且其中每一相应堆叠包括第一导电材料及存储材料。第二导电材料可穿过所述多个第一电介质材料及所述多个堆叠。每一相应堆叠可进一步包含所述第一导电材料与所述第二导电材料之间的第二电介质材料。
三维存储器阵列

[发明专利]具有附加式金属栅极和具有偶极层的栅极电介质的全环绕栅极集成电路结构的制造-CN202110966539.2在审
发明人： D·S·拉弗里克;D·M·克鲁姆;O·萨达特;O·戈隆兹卡;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：描述了具有附加式金属栅极和具有偶极层的栅极电介质的全环绕栅极集成电路结构。例如，一种集成电路结构包括：水平纳米线的第一垂直布置以及水平纳米线的第二垂直布置。第一栅极堆叠处于水平纳米线的第一垂直布置之上，第一栅极堆叠具有在第一栅极电介质之上的P型导电层，第一栅极电介质包括在第一偶极材料层上的高k电介质层。第二栅极堆叠处于水平纳米线的第二垂直布置之上，第二栅极堆叠具有在第二栅极电介质之上的N型导电层，第二栅极电介质包括在第二偶极材料层上的高k电介质层。
具有附加金属栅极偶极层电介质环绕集成电路结构制造

[发明专利]虚设栅极切割工艺及所得栅极结构-CN202011163833.1在审
发明人：林士尧;林志翰;张书维;蔡雅怡;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法包括：形成虚设栅极堆叠，蚀刻虚设栅极堆叠以形成开口，沉积延伸到开口中的第一电介质层，以及在第一电介质层上沉积第二电介质层，并且第二电介质层延伸到开口中。然后执行平坦化工艺，以形成包括第一电介质层和第二电介质层的栅极隔离区域。然后移除虚设栅极堆叠以在栅极隔离区域的相对侧上形成沟槽。该方法还包括：执行第一蚀刻工艺，以移除第一电介质层的侧壁部分，执行第二蚀刻工艺，以使第二电介质层变薄，以及在沟槽中形成替代栅极。
虚设栅极切割工艺所得结构

[发明专利]用于显示器应用的层堆叠-CN201880072510.6有效
发明人：芮祥新;崔寿永;栗田真一;翟羽佳;赵来 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般地涉及包含高介电常数电介质层的层堆叠，所述层堆叠形成于第一电介质层与金属电极上方。高介电常数电介质层具有20或更高的介电常数值且可形成为电子装置中的电容器、栅极绝缘层或任意合适的绝缘层的一部分，电子装置例如显示器装置。层堆叠包含设置于第一电介质层与金属层上的第二电介质层，和设置于第二电介质层上的高介电常数电介质层。第二电介质层提供均质表面，高介电常数电介质层形成于均质表面上。均质表面使高介电常数电介质材料得以均匀地沉积于其上，这样产生均匀的厚度分布。
用于显示器应用堆叠

[发明专利]用于新兴存储装置的电介质修复-CN201510578075.2有效
发明人：尼莉莎·德雷格;索斯藤·利尔;黛安·海姆斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明总体上涉及用于新兴存储装置的电介质修复。提供了包括提供包含多个层的非易失性随机存取存储器(NVRAM)堆叠的系统和方法。该多个层包括电介质层和金属层。NVRAM堆叠的金属层被图案化。所述图案化对电介质层的横向侧部造成损害。所述电介质层的横向部分是通过沉积电介质材料在所述电介质层的横向侧部来修复的。
用于新兴存储装置电介质修复

[发明专利]晶体管栅极及其形成方法-CN202011329103.4在审
发明人：林士尧;林志翰;张书维;蔡雅怡;古淑瑗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种器件，包括：半导体衬底；以及第一栅极堆叠，该第一栅极堆叠位于半导体衬底之上，该第一栅极堆叠位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间。该器件还包括第二栅极堆叠，该第二栅极堆叠位于半导体衬底之上，该第二栅极堆叠位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间；以及电介质材料，该电介质材料将第一栅极堆叠与第二栅极堆叠分开。该电介质材料至少部分地位于第一栅极间隔件和第二栅极间隔件之间，电介质材料的上部分的第一宽度大于电介质材料的下部分的第二宽度，并且第一栅极间隔件的上部分的第三宽度小于第一栅极间隔件的下部分的第四宽度。
晶体管栅极及其形成方法

[发明专利]纳米片的多阈值电压-CN202111435501.9在审
发明人：张婧芸;安藤崇志;李忠贤;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该半导体结构包括在衬底上的纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层以及围绕纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道层的结晶化栅极电介质层、在结晶化栅极电介质的顶部上并且包围纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道材料层的偶极层、以及由围绕纳米片堆叠的第二子组的半导体沟道层的扩散的偶极材料改性的栅极电介质。一种方法，包括在衬底上形成纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层，去除纳米片堆叠的组的牺牲半导体材料层，形成围绕纳米片堆叠的半导体沟道层的栅极电介质，以及结晶化纳米片堆叠的子组的栅极电介质
纳米阈值电压

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202180004505.3在审
发明人：杨远程;刘磊;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该方法包括：设置交替电介质堆叠体(554)，该交替电介质堆叠体(554)包括交替堆叠在衬底(330)上的第一电介质层(556)和第二电介质层(558)；形成在垂直于衬底(330)的第一方向上穿透交替电介质堆叠体该方法还包括去除交替电介质堆叠体(554)的顶部部分处的至少一个第二电介质层(558)以形成顶部选择栅极(TSG)切口通道(876)并在平行于衬底(330)的第二方向上暴露电荷俘获层(337‑2)的一部分
三维存储器及其制备方法

[发明专利]布线板及布线板的制造方法-CN200580045279.4无效
发明人：由利伸治;折口诚;乾靖彦;大塚淳 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2005-12-27 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种布线板(1)，具有堆叠布线层部分(6)，其中电介质层和导体层堆叠核心板部分(2)的至少一个主表面上；堆叠布线层部分(6)包括堆叠复合层部分(8)，其中聚合物电介质层(3A)、导体层(4B)和陶瓷电介质层(5)按此顺序堆叠。堆叠复合层部分(8)中的导体层(4B)被从面内方向部分切割以形成导体侧切割部分(18)，陶瓷电介质层(5)被从面内方向部分切割以形成陶瓷侧切割部分(16)，陶瓷侧切割部分(16)和导体侧切割部分(18)构成聚合物电介质层(3A)的聚合物被填入连通切割部分(21)以经由导体侧切割部分(18)延伸到陶瓷侧切割部分(16)。
布线制造方法

[发明专利]光学组件和光学装置-CN202111258948.3在审
发明人：福井慎次;桑原世治 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：第二层组包括交替堆叠的第一电介质层和第二电介质层，第一层组包括交替堆叠的第三电介质层和第四电介质层。第一电介质层具有比第二电介质层高的折射率，并且第三电介质层具有比第四电介质层高的折射率。
光学组件装置

[发明专利]三维存储器及其制备方法、存储系统-CN202210123317.9在审
发明人：颜丙杰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：根据本公开的一种制备三维存储器的方法包括：在衬底的一侧上形成电介质堆叠结构，电介质堆叠结构包括核心区；在核心区形成贯穿电介质堆叠结构的沟道结构；形成辅助虚拟结构，辅助虚拟结构的至少部分位于核心区的边缘；以及形成贯穿电介质堆叠结构的共源极结构，辅助虚拟结构电隔离沟道结构和共源极结构。
三维存储器及其制备方法存储系统

[发明专利]用于三维存储器件的贯穿阵列触点（TAC）-CN202210166774.6在审
发明人：陶谦;胡禺石;吕震宇;肖莉红;戴晓望;周玉婷;汤召辉;郭美澜;唐志武;魏勤香;徐前兵;刘沙沙;孙坚华;王恩博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：在示例中，3D NAND存储器件包括半导体衬底、设置于半导体衬底上的交替堆叠层、以及在衬底的隔离区域上的垂直延伸通过交替堆叠层的电介质结构。此外，交替堆叠层邻接电介质结构的侧壁表面，并且电介质结构由电介质材料形成。3D存储器件额外包括垂直延伸通过电介质结构和隔离区域的一个或多个贯穿阵列触点，以及垂直延伸通过交替堆叠层的一个或多个沟道结构。
用于三维存储器件贯穿阵列触点 tac

[发明专利]形成穿透硅通孔的方法-CN200910126308.X有效
发明人：林全益;李松柏;黄庆坤;林生元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：包括以下步骤：提供在其上形成有第一电介质层的半导体器件。在该第一电介质层上形成一个或多个电介质层，由此，每一个电介质层具有一个堆叠结构，其中一个或多个电介质层中的堆叠结构的垂直对齐。堆叠结构可能是，例如，金属环。该堆叠结构然后被去除从而形成第一凹口。由第一凹口延伸到到衬底中形成第二凹口。在第二凹口中填充导电物质从而形成TSV。
形成穿透硅通孔方法

[发明专利]用于三维存储器件的贯穿阵列触点(TAC)-CN201880000655.5在审
发明人：陶谦;胡禺石;吕震宇;肖莉红;戴晓望;周玉婷;汤召辉;郭美澜;唐志武;魏勤香;徐前兵;刘沙沙;孙坚华;王恩博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：在示例中，3D NAND存储器件包括半导体衬底、设置于半导体衬底上的交替堆叠层、以及在衬底的隔离区域上的垂直延伸通过交替堆叠层的电介质结构。此外，交替堆叠层邻接电介质结构的侧壁表面，并且电介质结构由电介质材料形成。3D存储器件额外包括垂直延伸通过电介质结构和隔离区域的一个或多个贯穿阵列触点，以及垂直延伸通过交替堆叠层的一个或多个沟道结构。
电介质结构交替堆叠衬底存储器件隔离区域互连结构触点半导体三维存储器件电介质材料侧壁表面沟道结构邻接贯穿三维

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