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[发明专利]SiC单晶、其制造方法、SiC晶片和半导体器件-CN201280027744.1有效
发明人：郡司岛造;重藤启辅;浦上泰;山田正德;安达步;小林正和 -专利权人：株式会社丰田中央研究所;株式会社电装;昭和电工株式会社
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11‑20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11‑20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11‑20}面生长与{1‑100}面生长的交替生长法。
sic 制造方法晶片半导体器件

[发明专利]使用气相传输的材料生长装置、生长方法以及检测装置-CN201610929270.X有效
发明人：姜全忠;徐现刚 -专利权人：姜全忠
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用气相传输的材料生长装置，包括真空室和生长室，生长室置于真空室中，生长室包括出气道和至少两个内表面，两个内表面分别用于搁置所需的生长源料和衬底；生长源料至少包括上表面和和下表面，生长源料的上表面与衬底相对、而下表面则与生长室接触；衬底至少包括生长面和背面，衬底的背面与生长室接触、而生长面与生长源料相对，生长源料的上表面与衬底的生长面之间形成生长腔；其特征在于：生长源料的上表面、衬底的生长面、生长室和出气道设置成使得由生长源料产生的气流在衬底的生长面上流动时，与衬底的生长面平行。还公开了使用该生长装置形成材料的方法、以及料生长过程的检测装置。
使用相传材料生长装置方法以及检测

[发明专利]用于生长外延结构的衬底及其使用方法-CN201110025768.0有效
发明人：魏洋;冯辰;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长外延结构的衬底及其使用方法。一基底，该基底具有一外延生长面，其中，所述衬底进一步包括一碳纳米管层设置于所述基底的外延生长面，该碳纳米管层具有多个开口，从而使得该基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露，通过该碳纳米管层使外延层从所述基底的外延生长面通过该开口暴露的部分生长该衬底的使用方法包括以下步骤：提供一衬底，该衬底包括：一基底具有一外延生长面，以及一碳纳米管层设置于所述外延生长面，且该碳纳米管层包括多个开口，从而使得该基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露；以及在所述基底的外延生长面生长外延层
用于生长外延结构衬底及其使用方法

[实用新型]碳化硅晶体生长用籽晶黏合治具-CN202221884731.3有效
发明人：郭正富;蔡国基;许仙薇 -专利权人：青岛嘉展力拓半导体有限责任公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长用籽晶黏合治具，属于碳化硅晶体生长技术领域。其技术方案为：包括石墨生长台座和置重物，籽晶的非生长面黏合在石墨生长台座上，置重物置于籽晶的生长面上；石墨生长台座的黏合面、籽晶、置重物与籽晶的接触面均为向下弯曲的圆弧面。本实用新型可以有效降低籽晶与石墨生长台座之间的团聚气泡，使得籽晶受热更加均匀，能稳定晶体生长，减少由于气泡所造成的晶体缺陷。
碳化硅晶体生长籽晶黏合治具

[发明专利]提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法-CN200510026556.9无效
发明人：杭寅;宋词;夏长泰;张连翰;周圣明;徐军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-06-08 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：一种提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法，该方法的实质是将ZnO籽晶的生长速度快和生长晶体质量好的结晶学面即+c面显露出来作为晶体生长面，在单片ZnO籽晶的－c面涂覆一层贵金属隔离层，抑制生长速度慢且出的晶体质量差的－c面的晶体生长。本发明抑制ZnO晶体－c面的生长，大大提高晶体生长效率，而且生长出来的晶体结构完整，质量完好。
提高水热法生长 zno 晶体生长效率质量方法

[发明专利]用于制造氮化物半导体器件的方法和氮化物半导体器件-CN201680033433.4在审
发明人：托比亚斯·戈特施克;巴斯蒂安·加勒;于尔根·奥弗;维尔纳·贝格鲍尔;托马斯·伦哈特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于制造氮化物半导体器件(100)的方法，所述方法包括如下步骤‑提供具有生长表面(10)的生长衬底(1)，所述生长表面通过平坦面(11)形成，所述平坦面具有在所述平坦面(11)上的多个三维成形的表面结构(12)，‑在生长表面(10)上生长基于氮化物的半导体层序列(30)，其中该生长选择性地在生长衬底的生长面(13)上开始，并且其中生长面(13)小于生长表面(10)的45％。
用于制造氮化物半导体器件方法

[实用新型]非极性AlGaN基深紫外LED外延片-CN202022122249.3有效
发明人：高芳亮;杨金铭 -专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;深圳市三航工业技术研究院
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了非极性AlGaN基深紫外LED外延片，包括：生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的非掺杂a面AlGaN缓冲层、生长在所述非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN
极性 algan 深紫 led 外延

[发明专利]用于生长外延结构的掩模及其使用方法-CN201110025710.6有效
发明人：魏洋;冯辰;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长外延结构的掩模及其使用方法。该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层具有多个开口，从而使得基底的外延生长面可以通过该多个开口部分暴露，通过该掩模使外延层从所述基底的外延生长面通过该开口暴露的部分生长。该掩模的使用方法包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一掩模，该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层包括多个开口，从而使得基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露；以及在所述基底的外延生长面生长外延层。
用于生长外延结构及其使用方法

[发明专利]非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法-CN202011017651.3在审
发明人：高芳亮;杨金铭 -专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;深圳市三航工业技术研究院
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述非极性AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的非掺杂a面AlGaN缓冲层、生长在所述非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN薄膜，本发明所制备的非极性AlGaN基深紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳。
极性 algan 深紫 led 外延制备方法

[发明专利]外延结构的制备方法-CN201410118380.9有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤提供一基底，该基底具有一外延生长面；在该基底的外延生长面设置一碳纳米管膜，该碳纳米管膜与所述基底的外延生长面接触，该碳纳米管膜具有多个间隙，使得部分所述外延生长面通过所述多个间隙暴露；在该基底的外延生长面沉积一掩模预制体层覆盖所述碳纳米管膜，该掩模预制体层的厚度小于该碳纳米管膜的厚度，且所述掩模预制体层部分沉积于所述碳纳米管膜的表面，部分沉积在所述暴露的部分外延生长面；去除所述碳纳米管膜得到一图案化掩模，该图案化掩模具有多个开口从而使得该外延生长面通过该多个开口部分暴露；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。
外延结构制备方法

[发明专利]非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法-CN202110509475.3在审
发明人：朱刘;宋世金;狄聚青;刘浩飞;张新勇;苑汇帛;汤惠淋 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本公开提供一种非极性AlGaN基紫外LED外延片及制备方法，其外延片结构包括：生长碳化硅衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的低温a面AlGaN层、生长在所述低温a面AlGaN层上的高温非掺杂a面AlGaN层、生长在所述高温非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN层、生长在所述p型掺杂AlGaN层上的p型掺杂GaN层。
极性 algan 紫外 led 外延制备方法

[实用新型]一种直观观测甘薯苗期根系生长的装置-CN201920719096.5有效
发明人：李春华;汪吉东;张辉;张永春 -专利权人：江苏省农业科学院
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直观观测甘薯苗期根系生长的装置。该装置包括生长箱、注水管、生长箱支撑架和遮光布，所述生长箱为无盖长方体形，倾斜放置于生长箱支撑架上，生长箱背面为亚克力有机玻璃面，其余面为PVC面，由螺丝将PVC面和亚克力有机玻璃面连接固定。本装置可更直观的观测到生育前期不同甘薯品种在不同生境下的根系形态及分布，明确甘薯纤维根和储藏根的分化比例、生长速率及发育状况，可为甘薯生育后期制定适宜的农艺及生化调控措施提供相应的参考。
生长箱甘薯有机玻璃面亚克力支撑架本实用新型长方体形发育状况甘薯品种根系形态连接固定苗期根系倾斜放置生化调控生育后期直观观测生长遮光布注水管螺丝生境无盖背面观测纤维直观生育分化参考制定

[发明专利]基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法-CN201010209567.1有效
发明人：郝跃;许晟瑞;张进成;杨林安;王昊;陈珂;曹艳荣;杨传凯 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm，温度为700℃的低温无应力AlInN层；(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm，温度为950-1100℃的高温GaN层；(4)在所述高温GaN层之上生长1-10nm的TiN层；(5)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层；(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的TiN层；(7)在所述TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面本发明具有工艺简单，低缺陷的优点，可用于制作极性c面GaN发光二极管及高电子迁移率晶体管。
基于 sic 衬底极性 gan mocvd 生长方法

[发明专利]SiC单晶及其制造方法-CN201480049773.7有效
发明人：旦野克典 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：以(1‑100)面作为生长面使SiC单晶生长的第1工序，使{0001}面从生长的SiC单晶露出的第2工序，和使用{0001}面露出了的SiC单晶作为晶种，以{0001}面作为生长面使SiC单晶生长的第3工序。
单晶单晶生长生长面制造晶种基板螺旋位错密度降低刃型位错溶液接触温度降低温度梯度基底面贯穿晶种微管位错生长

[发明专利]外延结构的制备方法-CN201210122618.6有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一石墨烯层，所述石墨烯层使所述外延生长面部分被覆盖且部分被暴露；以及在基底的外延生长面被暴露的部分生长外延层
外延结构制备方法

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