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[发明专利]外延工艺方法-CN201911162959.4有效
发明人：涂火金;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延工艺方法，两次以上的子外延层生长工艺，在最顶层子外延层之前的各子外延层的所述子外延层生长工艺完成之后还包括气体清洗工艺，用于将对应的子外延层生长工艺的残余工艺气体去除，之后再进行外延生长工艺参数切换并进行下一次子外延层生长本发明能防止残余工艺气体在生长工艺参数切换过程中产生缺陷，从而能在多次子外延层生长工艺中防止缺陷产生。
外延工艺方法

[发明专利]一种神经网络模型预测的半导体薄膜工艺参数优化系统-CN202010833547.5有效
发明人：刘胜;东芳;甘志银;王彪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种神经网络模型预测的半导体薄膜工艺参数优化系统。本发明包括集成多种在线监测功能的神经网络模型预测的半导体薄膜工艺参数优化装置。本发明结合半导体薄膜质量特征向量、人工标定的质量等级构建半导体薄膜质量训练集并进行训练，得到训练后半导体薄膜质量等级预测神经网络模型；通过半导体薄膜质量训练集对生长工艺参数预测神经网络模型进行训练，得到训练后生长工艺参数预测神经网络模型；进一步通过半导体薄膜质量等级预测神经网络模型、生长工艺参数预测神经网络模型优化半导体薄膜样品的生长工艺参数特征向量，使样品生长达到半导体薄膜样品质预定等级。实现生长条件优化，低位错密度，低缺陷高质量外延半导体薄膜的生长。
一种神经网络模型预测半导体薄膜工艺参数优化系统

[发明专利]半导体衬底及形成方法-CN201280032113.9有效
发明人： J-P·福里;B·博蒙 -专利权人：圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成用于电子器件的半导电衬底材料的方法包括在反应室中的连续生长工艺期间在衬底上形成多个半导电层，其中在连续生长工艺期间，通过改变连续生长工艺期间的至少一个生长工艺参数在基层和外延层之间形成释放层。
半导体衬底形成方法

[发明专利]一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质-CN201910181545.X在审
发明人：邓先亮 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质，所述方法包括：预先设置放肩过程不同阶段的晶体生长角度设定值和所述放肩过程不同阶段的晶体生长工艺参数的设定值；获得所述放肩过程不同阶段的晶体直径，并计算获得晶体直径的变化值和晶体长度的变化值，并利用所述晶体直径的变化值与所述晶体长度的变化值之间的比值计算晶体生长角度值；将所述晶体生长角度值与所述晶体生长角度设定值进行比较，得到差值，并将所述差值作为PID算法的输入变量；通过PID算法计算晶体生长工艺参数的调节值，作为PID算法的输出变量；将所述晶体生长工艺参数的调节值和所述晶体生长工艺参数的设定值相加，得到实际长晶过程的工艺参数。
一种用于过程晶体生长控制方法装置系统计算机存储介质

[发明专利]一种外延生长工艺调优方法-CN202310635958.7在审
发明人：黄宋平;张斌;林志鑫;余航波 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长工艺调优方法，包括：S1：提供多个实验片，并测量各所述实验片的平坦度数据；S2：对多个所述实验片分别在不同工作参数下生长外延层，并测量各所述实验片生长外延层后的平坦度数据；S3：计算各所述实验片生长外延层前后平坦度数据的差值，并将使得生长外延层前后平坦度数据的差值最小的工作参数作为所述外延生长工艺调优方法当前的最优工作参数。采用本发明提供的外延生长工艺调优方法，使得无需工艺人员现场观察每片基片的形变并做调整直至最佳工艺设定，节省了人力和时间。
一种外延生长工艺方法

[发明专利]低成本稀土闪烁晶体的生长-CN201710060012.7在审
发明人：薛冬峰;孙丛婷 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明提供了稀土闪烁晶体生长工艺中生长参数的计算方法及低成本稀土闪烁晶体的生长工艺，包括以下步骤，首先将制备稀土闪烁晶体的氧化物原料进行混合后，得到混合原料；然后在真空或保护性气氛下，将上述步骤得到的混合原料经过烧结后，得到多晶料块；最后在真空或保护性气氛下，将多晶料块熔化后，在具有特定生长方向的籽晶的引导下，依据计算方法所计算的生长参数，采用提拉法进行晶体生长后，得到稀土闪烁晶体。本发明从晶体生长理论出发，通过特定的模拟、推演和计算方法，得到热力学允许的最快生长速率、提拉生长速率和晶体旋转速率等生长参数。该生长工艺，能耗低，贵金属损耗少，生长过程时间短，晶体成品率高，具有明显的低成本优势。
低成本稀土闪烁晶体生长

[发明专利]一种晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质-CN201811272682.6在审
发明人：邓先亮 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质，所述方法包括：预先设置放肩过程不同阶段的晶体直径变化值的设定值和晶体生长工艺参数的设定值；获得放肩过程不同阶段的晶体直径，并计算变化值；将晶体直径的变化值与设定值进行比较，得到差值，作为PID算法的输入变量；通过PID算法计算晶体生长工艺参数的调节值，作为PID算法的输出变量；将晶体生长工艺参数的调节值和设定值相加，得到实际长晶过程的工艺参数采用本发明的方法、装置、系统及计算机存储介质，采用PID算法对放肩过程的直径变化进行控制调节，克服热场微小变化对放肩过程的影响，保证晶体直径的变化值一致，提高放肩工艺的可重复性和工艺的稳定性。
放肩计算机存储介质晶体生长工艺晶体生长直径变化可重复性控制调节输出变量输入变量微小变化预先设置热场相加保证

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202110314445.7在审
发明人：李娜 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成沟槽；进行工艺温度为950℃～1100℃的热氧化生长工艺，以在所述沟槽的内壁形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；进行工艺温度为1100℃～1200℃的热氧化生长工艺，以在所述沟槽的内壁形成栅氧化层。本发明所述的半导体器件的制造方法通过改进热氧化生长工艺形成牺牲氧化层和栅氧化层时的工艺参数使得沟槽的底部更加圆滑，同时提高了所述栅氧化层的厚度均匀性，从而优化了半导体器件的性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种碳化硅沟槽结构外延填充方法-CN202111362158.X在审
发明人：李赟;赵志飞;王翼;周平;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅沟槽结构外延填充方法，包括以下步骤：S1.使用生长实验片进行实验，确定正式片的外延生长工艺参数；S2.使用刻蚀实验片进行实验，确定氯化氢刻蚀工艺参数；S3.准备含沟槽结构的碳化硅正式片；S4.按照步骤S1确定的生长工艺参数进行生长；S5.生长结束后快速降低反应腔压力；S6.根据步骤S2确定的刻蚀工艺参数，向反应室通入氯化氢气体进行刻蚀；S7.刻蚀完成后快速降低反应腔压力；S8.重复步骤
一种碳化硅沟槽结构外延填充方法

[发明专利]一种三维存储器沟道的制备方法及三维存储器-CN201710772625.3有效
发明人：程媛;李冠男;王家友;郭海峰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器沟道的制备方法及三维存储器，所述三维存储器的制备方法在第二沟槽中形成单晶硅立柱之前，先根据衬底上所有的第二沟槽的高度和深度参数确定所述衬底各区域的单晶硅生长工艺参数；然后根据所述衬底各区域的单晶硅生长工艺参数在所述第二沟槽中进行单晶硅的生长，实现生长高度均一的单晶硅立柱的目的，为后续沟道的沉积提供了良好的基础，从而提升了后续形成的沟道的质量，进而提升了三维存储器的电学性能。
一种三维存储器沟道制备方法

[发明专利]一种改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法-CN201711340470.2有效
发明人：马鸣明;张伟光 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善隧穿氧化层生长工艺中晶圆抖动的方法，包括以下步骤：先对一半导体衬底进行隧穿氧化层生长工艺；再对进行了隧穿氧化层生长工艺的所述半导体衬底进行退火工艺：对反应腔加温，同时通入氢气和氧气，使反应腔内气压保持不变；退火反应一定时间；停止对所述反应腔加温，使反应腔内温度降低；关闭氢气，减少氧气通气量，并同时通入氮气，使反应腔内气压保持不变；等降温后，完成所述退火工艺。本发明对ISSG退火工艺的改进，通过对晶圆形变的技术分析理解，在找到其缺陷引发原因后，改变工艺流程及参数，解决硅片在高温制程过程中抖动的问题，运用此方法之后，硅片的良率能提高5％以上。
一种改善氧化生长工艺中晶圆抖动方法

[实用新型]多工位石墨烯快速生长设备-CN201720306853.7有效
发明人：李占成;伍俊;王钟勋;史浩飞;李华峰;黄德萍;张永娜;段银武;余杰 -专利权人：重庆墨希科技有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够将石墨烯生长设备充分利用的多工位石墨烯快速生长设备，包括安装固定平台、真空泵、气体输送管道、加热装置、石墨烯生长工艺腔；所述石墨烯生长工艺腔具有密封法兰、抽真空口、进气口；所述抽真空口与真空泵连通；所述进气口与气体输送管道连通；所述石墨烯生长工艺腔至少具有两个；所述石墨烯生长工艺腔安装在固定平台上；所述石墨烯生长工艺腔具有工艺腔外管，所述加热装置设置在工艺腔外管的外侧；所述安装固定平台上设置有将加热装置从一个工艺腔外管外侧移动到另一个工艺腔外管外侧的加热装置移动装置
多工位石墨快速生长设备

[发明专利]一种彩色尖晶石宝石单晶的生长方法-CN201610494635.0在审
发明人：董永军 -专利权人：安徽中科镭泰激光科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： C30B29/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种彩色尖晶石宝石单晶的生长方法，所述方法包括根据颜色要求，提供预定比例的致色剂和氧化铝及氧化镁的原料；利用所述预定比例的致色剂和氧化铝及氧化镁的原料，合成掺杂所述致色剂的氧化铝及氧化镁多晶块料；根据所述致色剂的物理化学性能，确定生长工艺参数，并进而基于所述生长工艺参数，将所述氧化铝及氧化镁多晶块料通过提拉法生长成所述彩色尖晶石宝石单晶。
一种彩色尖晶石宝石生长方法

[发明专利]一种消除硅芯棒隐裂的装置及方法-CN201710250236.4有效
发明人：李圳达;梁燕 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除硅芯棒隐裂的装置及方法，其采用直拉法生长硅芯棒，硅芯棒可为单晶、多晶、单多晶混型结构，产品无裂纹、脆断、外观均匀，是用于切割成多晶还原炉方硅芯的原材料。本发明涉及热场的设计和生长工艺参数的设置，热场设计包括加装、调整热屏装置、使其与上、中保温筒等热场部件，满足合适的温度梯度设计，生长工艺参数包括晶体规格、生长速率、退火步骤、冷却时间的控制，有效的消除了晶体隐裂
硅芯棒多晶隐裂生长工艺参数还原炉脆断热场退火直拉法生长硅热屏装置温度梯度保温筒方硅芯单晶等热硅芯混型加装芯棒冷却切割合格率生长加工

[发明专利]一种大尺寸掺铈铝酸钇闪烁晶体的生长工艺-CN201410261479.4无效
发明人：王桂素;石全州;张永珍 -专利权人：成都东骏激光股份有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明为一种大尺寸掺铈铝酸钇闪烁晶体的生长工艺。该工艺采用圆弧底型铱金坩埚作发热体，晶体的原料包括：纯度为99.999%的CeO₂、纯度为99.999%的Y₂O₃、纯度为99.995%以YAP基质晶体作籽晶，采用中频感应加热提拉法生长不同浓度的掺铈铝酸钇闪烁晶体。本发明通过采用圆弧底型铱金坩埚及相应的保温结构，以及设置适合的生长工艺参数，并采取抽气降温的特殊方式，解决了掺铈铝酸钇（Ce:YAP）晶体易产生相变、开裂的问题；还可提高晶体的完整率及利用率，进而降低生长成本本发明提供了一种获得大尺寸（直径为2英寸至3英寸）晶体的生长工艺，使Ce:YAP晶体可应用于更多的领域。
一种尺寸掺铈铝酸钇闪烁晶体生长工艺

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