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[发明专利]OLED显示面板制备方法和OLED显示面板-CN202011141214.2有效
发明人：徐乾坤;张晓星;张良芬 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法包括：在形成阻挡层之前，制备一有机膜层作为牺牲层，图案化处理牺牲层制备得到作为挡墙成型区的第一沟槽，然后在所述牺牲层表面形成一阻挡层材料，所述阻挡层材料填充所述第一沟槽，再利用掩膜板图案化处理阻挡层制备得到高/窄的挡墙结构，同时利用湿法刻蚀工艺去除第一沟槽；通过在形成阻挡层之前形成牺牲层，形成的挡墙结构的厚度等于牺牲层的厚度加上阻挡层的厚度。
oled 显示面板制备方法

[发明专利]双沟槽隔离结构的形成方法-CN201110142019.6有效
发明人：高超;周建华 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种双沟槽隔离结构的形成方法包括：提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的绝缘体上硅，在顶层硅上依次形成衬垫层，硬掩膜层和第二掩模层；以图案化的第二掩膜层为掩模，刻蚀硬掩模层，衬垫层以及部分顶层硅达到第二沟槽设定深度，形成第二开口；去除第二掩模层，在所述硬掩膜层上以及第二开口内形成牺牲层；去除部分牺牲层至暴露出硬掩膜层；在所述硬掩膜层以及牺牲层上形成图案化的第一掩膜层，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层形成第一开口，第二开口区域与第一开口区域部分重叠；刻蚀衬垫层、顶层硅至暴露出掩埋绝缘层；去除牺牲层，第一掩膜层和硬掩模层，形成设定深度的第一沟槽和第二沟槽。所述方法中的牺牲层保护第二开口下的掩埋绝缘层，避免了在刻蚀第一开口的过程中被刻穿。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]电化学膜生物污水处理器-CN201810069789.4有效
发明人：胡承志;曲久辉;刘会娟;刘锐平;赵凯;梁言 -专利权人：中国科学院生态环境研究中心
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C02F3/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种电化学膜生物污水处理器，该电化学膜生物污水处理器包括：处理池；设置于所述处理池内沿第一方向依次排列的第一电极、牺牲电极和第二电极，所述牺牲电极的活泼性大于所述第一电极和所述第二电极的活泼性；设置于所述处理池内的膜组件，所述膜组件设置于所述第一电极和所述牺牲电极之间，和/或，所述膜组件设置于所述牺牲电极和所述第二电极之间；供电模块，与所述第一电极和所述第二电极电连接。与现有的污水处理装置相比，本发明实施例提供的电化学膜生物污水处理器可以同时提高经处理的污水的水质和减缓膜污染。
电化学生物污水处理器

[发明专利]制造用于PSTTM应用的晶体磁性膜的方法-CN201480081490.0有效
发明人： K·P·奥布赖恩;B·S·多伊尔;K·奥乌兹;R·S·周;S·苏里 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种方法，包括在包括与电介质材料的晶格类似的晶格的完全晶体的牺牲膜或衬底上形成包括位于固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层的器件叠置体；以及将器件叠置体从牺牲膜转移到器件衬底。一种装置，包括：器件叠置体，该器件叠置体包括位于器件衬底上的固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中，固定磁性层和自由磁性层各自的晶格与牺牲膜或衬底的晶格一致，其中所述固定磁性层和所述自由磁性层在转移到所述器件衬底之前形成在所述牺牲膜或衬底上
制造用于 psttm 应用晶体磁性方法

[发明专利]刚柔结合的组件和制造方法-CN201010002019.1在审
发明人：安蒂·伊霍拉;图奥马斯·瓦里斯 -专利权人：伊姆贝拉电子有限公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：在刚柔结合型组件和制造方法中，在柔性区(13)的位置，将柔性膜(20)和牺牲材料片(16)附着于导体膜(12)。在导体膜(12)的表面上制造其内部容纳有牺牲材料片(16)的绝缘体层(1)。以在绝缘体层(1)中制作开口(9)的方式来形成柔性区(13)，通过开口(9)来移除牺牲材料片(16)。柔性区包括至少部分柔性膜(20)以及通过在方法中的适当阶段中构图导体膜(12)来制造的导体(22)。
结合组件制造方法

[发明专利]包括中间金属化层的三维闪速存储器及其制造方法-CN201980058186.7在审
发明人：宋润洽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：根据实施例，一种通过使用后端工艺制造三维闪速存储器的方法包括：在第一块中形成下串，第一块包括形成为在第一方向上延伸并且交替地堆叠的牺牲层和绝缘层；在其中形成有下串的第一块上生成串间绝缘层；蚀刻串间绝缘层的至少一部分以在所述至少一部分被蚀刻的空间中形成至少一个牺牲膜；在形成有至少一个牺牲膜的串间绝缘层上生成第二块，第二块包括形成为在第一方向上延伸并且交替地堆叠的牺牲层和绝缘层；在第二块中形成上串；蚀刻包括在第一块中的牺牲层、至少一个牺牲膜和包括在第二块中的牺牲层；以及在所述至少一个牺牲膜被蚀刻的空间中形成将被用作至少一个中间布线层的电极层，并且包括在第一块中的牺牲层被蚀刻的空间和包括第二块中的牺牲层被蚀刻的空间中形成将被用作字线的电极层。
包括中间金属化三维存储器及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202011213181.8在审
发明人：郭炳容;杨涛;卢一泓;胡艳鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括层叠在基底的上方的牺牲膜层、以及从上向下贯穿牺牲膜层的电容孔。基底中形成有着陆焊盘，该电容孔与着陆焊盘连通。通过保留部分牺牲膜层，下电极由在电容孔内的部分、以及沿着电容孔的侧壁向上延伸到外露于电容孔外的部分组成，由于牺牲膜层部分保留，其环绕在下电极的下部分，能够对下电极进行支撑，防止下电极倾斜；后续工序中在下电极上沉积介质层及上电极时，环绕在下电极的下部分的牺牲膜层还防止下电极弯曲变形，从而防止电容器坍塌。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种金属纳米网的制作方法-CN201710791101.9在审
发明人：秦歌;张云燕;王冠;周奎;闫亮;明平美;刘凯瑞 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：（2）电沉积牺牲层金属。以胶体粒子为掩膜进行电沉积，在基底上沉积出牺牲层金属。（3）电沉积纳米网金属层。以胶体粒子为掩膜、以牺牲层金属为基底进行第二次电沉积，沉积的金属层为纳米网的材料。（5）腐蚀牺牲层金属、得到纳米网。本发明采用胶体粒子掩膜结合牺牲层技术、借助胶体粒子轮廓形状来获得规则阵列的喇叭状孔的纳米网，通过控制胶体粒子粒径和牺牲层的沉积厚度控制纳米网的喇叭状孔上下孔径的大小；该方法制备的纳米网孔均匀、侧壁形状统一
一种金属纳米制作方法

[发明专利]液体喷射装置及其制造方法-CN201310444465.1有效
发明人：李越 -专利权人：珠海纳思达企业管理有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：本发明液体喷射装置的制造方法包括：在基板上蚀刻形成凹槽；在所述凹槽内形成牺牲层，所述牺牲层与基板的表面平齐；在所述牺牲层上形成弹性膜，以使所述弹性膜搭接在所述凹槽的边缘，并部分覆盖所述凹槽的敞口，所述弹性膜在外力作用下能产生弹性变形；去除所述牺牲层。本发明通过电镀法形成的牺牲层具有耐高温、沉积速度快且容易去除等特点，避免传统方法使用的牺牲层材料去除速度慢以及高温下容易变形而导致桥式结构的变形等问题，使制备的桥式结构形成速度快且结构平坦，优化了压电式喷射装置中桥式结构的制备工艺
液体喷射装置及其制造方法

[发明专利]防止因热引起劣化的半导体器件用接触件及其制造方法-CN200710143722.2无效
发明人：村田真司 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01R13/24 文献下载
摘要：本发明的接触件通过在金属弹簧膜的表面层叠形状记忆合金膜而构成，其形状为圆锥螺旋状。其制造方法包括金属牺牲膜的制造工序、抗蚀锥形成工序、抗蚀膜图案形成工序、形状记忆合金膜制造工序等11个工序。由于有机系抗蚀剂材料不具有耐热性，所以，预先形成金属牺牲膜，在形状记忆合金膜的溅射之前进行抗蚀剂除去，在高温下进行的形状记忆合金的溅射及热处理之后除去金属牺牲膜，对剩余的形状记忆合金膜进行去除。
防止引起半导体器件接触及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910919338.X在审
发明人：潘璋;张婷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有若干相互分立的核心层，且所述核心层顶部表面具有隔离层；在所述基底上形成暴露出隔离层顶部表面的牺牲层；形成所述牺牲层之后，去除所述隔离层；去除所述隔离层之后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层之后，在所述核心层侧壁表面形成掩膜层；形成所述掩膜层之后，去除所述核心层。所述方法能够提高相邻掩膜层间距的均一性，使得形成的半导体结构的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种鳍型场效应晶体管的制作方法-CN201110256123.8有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：首先提供半导体基底，并通过硬掩膜形成鳍片。缩减该硬掩膜，并在所述半导体基底上形成牺牲层。首先实施第一刻蚀，去除一部分所述牺牲层；然后实施第二刻蚀，去除一部分所述牺牲层以及部分该鳍片的上部边角，使所述鳍片的边角圆滑化。最后去除该牺牲层和该硬掩膜。
一种场效应晶体管制作方法

[发明专利]半导体隔离结构及其形成方法-CN200710037674.9无效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-02-13 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种半导体隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成牺牲氧化层；在牺牲氧化层上形成掩膜，图案化所述掩膜，从而在半导体衬底上定义出有源区和隔离区；通过牺牲氧化层向隔离区注入氧离子和氮离子；除去掩膜；对半导体衬底进行退火，形成隔离结构；去除牺牲氧化层。
半导体隔离结构及其形成方法

[发明专利]半导体精细图案的形成方法-CN201210477231.2有效
发明人：何其旸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体精细图案的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层具有第一区域和第二区域；在待刻蚀材料层第一区域的表面形成若干分立的第一牺牲层，在待刻蚀材料层第二区域的表面形成若干分立的第二牺牲层；分别在第一牺牲层和第二牺牲层的两侧形成第一侧墙；去除第一牺牲层和第二牺牲层；在第一侧墙两侧形成第二侧墙，形成若干分立的第一掩膜层和连续的第二掩膜层；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀材料层
半导体精细图案形成方法

[发明专利]一种多重图形化掩膜层的结构及制作方法-CN201510663000.4在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及半导体良率提升领域，尤其涉及一种多重图形化掩膜层的结构，包括基板，用以形成衬底，硬质掩膜，用以提供刻蚀的操作表面。同时提供了一种多重图形化掩膜层的制作方法，沉积硬质掩膜和牺牲层。对牺牲层进行图形化后，沉积薄膜并刻蚀形成第一侧墙，再次沉积薄膜并刻蚀形成第二侧墙。最后去掉牺牲层，用刻蚀的方法修改侧墙的形貌。
一种多重图形化掩膜层结构制作方法